MOS管的米勒效应-讲的很详细

1、米勒效应的影响：MOSFET极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后，MOSFETC进入开通状态；当MOSFE开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFE队饱和区；但由丁米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs乂上升到驱动电压的值，此时MOSFET电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。由丁米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，贝U与通电阻下降，从而Vds下降）米勒效应在MO&：动中

2、臭名昭著，他是由MCff的米勒电容引发的米勒效应，在M3开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电压乂开始上升直至完全与通。为什么会有稳定值这段呢？因为，在MOSTI前，D极电压大丁G极电压，MOt生电容Cgd储存的电量需要在其与通时注入G极与其中的电荷中和，因MO织全与通后G极电压大丁D极电压。米勒效应会严重增加MOSJ开通损耗。（MOSTF能很快得进入开关状态）所以就出现了所谓的图腾驱动！选择MOSt,Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。MOSFE的米勒平台实际上就是MOSFEbT放大区”的典型标志用用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有

3、一个平台或凹坑，这就是米勒平台。米勒效应指在MO开通过程会产生米勒平台，原理如下。理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推存值加O.ICiess的电容值是有好处的。下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台删荷系数的这张图在第一个转折点处：Vds开始与通。Vds的变化通过Cgd和驱动源的内阻形成一个微分。因为Vds近似线性下降，线性的微分是个常数，从而在Vgs处产生一个平台。米勒平台是由丁mos的gd两端的电容引起的，即mosdatasheet里的Crss。这个过程是给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平的时候,Vgs才开始继

4、续上升。Cgd在mos刚开通的时候，通过mo6快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台Fig.12.Thegmphcf-i3(tiadSDidit)whenturnontot1:Vgsfrom0toVth.Mosfet没通.电流由寄生二极管Df.t1t2:VgsfromVthtoVa.Idt2t3:Vds下降引起电流继续通过Cgd.Vdd越高越需要的时间越长.Ig为驱动电流.开始降的比较快.当Vdg接近为零时，Cgd增加直到Vdg变负,Cgd增加到最大.下降变慢.t3t4:Mosfet完全与通，运行在电阻区.Vgs继续上升到Vgg.平台后期，VGS

5、t续增大,IDS是变化很小，那是因为 MOI和了。，但是，从楼主的图中，这个平台还是有一段长度的这个平台期间，可以认为是 MOSE处在放大期。前一个拐点前：MOSBt期，此时Cgs充电，Vgs向Vth逼进前一个拐点处:后一个拐点处:MOSE式进入放大期MOSE式退出放大期，开始进入饱和期。当斜率为dt的电压V施加到电容C上时(如驱动器的输出电压 流：),将会增大电容内的电I=CX dV/dt (1)因此，向MOSF施加电压时，将产生输入电流Igate = I1 + I2，如下图所示在右侧电压节点上利用式(1),可得到：I1=Cgdxd(Vgs-Vds)/dt=Cgdx(dVgs/dt-dVds

6、/dt)(2)I2=CgsXd(Vgs/dt)(3)如果在MOSFET加栅-源电压Vgs,其漏-源电压Vds就会下降(即使是呈非线性下降)。因此，可以将连接这两个电压的负增益定义为：Av=-Vds/Vgs(4)将式代入式(2)中，可得：I1=Cgdx(1+Av)dVgs/dt(5)(6)在转换(与通或关断)过程中，栅-源极的总等效电容Ceq为:Igate=I1+I2=(Cgdx(1+Av)+Cgs)xdVgs/dt=CeqxdVgs/dt式中(1+Av)这一项被称作米勒效应，它描述了电子器件中输出和输入之间的电容反馈当栅-漏电压接近于零时，将会产生米勒效应。Cds分流最厉害的阶段是在放大区。为啥？因为这个阶段Vd变化最剧烈。平台恰恰是在这个阶段形成。你可认为：门电流Igate完全被Cds吸走，而没有电流流向Cgso当Cgd通过mos放电结束后(即在平台区Cgd先放电然后Vgs给它充电)，MOSS入了饱和阶段，Vd变化缓慢。虽然Vgs的增长也能够让部分电流流想Cds,但主要的门电流是流向Cgs。门电流的分流比：I1: