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1、例例3.分别研究如图所示分别研究如图所示(仅为一级仅为一级的情况的情况)Q点稳定电路中点稳定电路中C1 C2和和Ce所确定的下限频率表达式及结电所确定的下限频率表达式及结电容所确定的上限频率表达式。容所确定的上限频率表达式。本题结果可作为公式。本题结果可作为公式。交流混合交流混合 模模型等效电路型等效电路1.考虑考虑C1对低频特性的影响对低频特性的影响C1所在回路的等效电路所在回路的等效电路112111212121CRRCrRRRfiSbebbSL/2.考虑考虑C2对低频特性的影响对低频特性的影响 C2所在回路的等效电路所在回路的等效电路2222121CRRfLcL上面两种情况本质上相同，因为

2、倘若电路的负载是下一级放大电路，上面两种情况本质上相同，因为倘若电路的负载是下一级放大电路，则则RL即为后级的输入电阻即为后级的输入电阻Ri，而，而Rc正是后级电路的信号源内阻正是后级电路的信号源内阻Rs。在考虑某一电容对频率响应的影在考虑某一电容对频率响应的影响时，应将其它电容作理想化处响时，应将其它电容作理想化处理，即将耦合电容和旁路电容视理，即将耦合电容和旁路电容视为短路，将极间电容视为开路。为短路，将极间电容视为开路。3.考虑考虑Ce对低频特性的影响对低频特性的影响Ce所在回路的等效电路所在回路的等效电路4.4.考虑结电容对高频特性的影响考虑结电容对高频特性的影响结电容所在回路的等效电

3、路结电容所在回路的等效电路CRRRrrfSbbbbebHH/212121比较比较C1、C2、Ce所在回路的所在回路的时间常数时间常数1、2、e,当取当取C1=C2=Ce时，时，e将远小于将远小于1,2，即即fLe远大于远大于fL1和和fL2因此因此fLe约为电路下限频率。约为电路下限频率。eSbbbeeeLICRRRrRf1/212121e 22.6CCBEQBQbVUIAR(1)1.8EQBQIImA26(1)1.17b eEQmVrkI26(1)1.27bebbEQmVrrkI 69.2/EQmTIgmA VU/1.27ibebRrRk()178ib eusmmcisbeRrAg RRRr VCC=12V；晶体管的C=4pF，fT=50MHz, ，080 。试求解(1)中频电压放大倍数 ；(2) ； (3)fH和fL；(4)画出波特图。100bbrusmAC 解：解：(1) (2) (1)1602mcCCg R CpFCRRgCCKCCL)/(1()1 (cm02142b eTCCpFrf)(220)0(00CCrCrffebkebT(3)结电容结电容CRRRrrCRfSbbbbebHH/2121212111752HfkHzRC1142 ()LsifHzRR C耦合电容

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