光电子器件_第六章ccd和cmos

1、第第6 6章章 ccdccd和和cmoscmos成像器件成像器件6.1 图像传感器简介 6.1.1 图像传感器发展历史图像传感器发展历史 完成图像信息光电变换的功能器件称为光电图像传感器。光电图像传感器的发展历史悠久，种类很多。 早在1934年就成功地研制出光电摄像管（Iconoscope），用于室内外的广播电视摄像。但是，它的灵敏度很低，信噪比很低，需要高于10 000lx的照度才能获得较为清晰的图像。使它的应用受到限制。 1947年制出的超正析像管（Imaige Orthico），的灵敏度有所提高，但是最低照度仍要求在2 000lx以上。 1954年投放市场的高灵敏视像管（Vidicon）

2、基本具有了成本低，体积小，结构简单的特点，使广播电视事业和工业电视事业有了更大的发展。 1965年推出的氧化铅视像管(Plumbicon)成功地取代了超正析像管，发展了彩色电视摄像机，使彩色广播电视摄像机的发展产生一次飞跃。诞生了1英寸，1/2英寸，甚至于1/3英寸（8mm）靶面的彩色摄像机。然而，氧化铅视像管抗强光的能力低，余辉效应影响了它的采样速率。 1976年，又相继研制出灵敏度更高，成本更低的硒靶管（Saticon）和硅靶管（Siticon）。不断满足人们对图像传感器日益增长的需要。 1970年，美国贝尔电话实验室发现的电荷耦合器件（CCD）的原理使图像传感器的发展进入了一个全新的阶段

3、，使图像传感器 从真空电子束扫描方式发展成为固体自扫描输出方式。CCD图像传感器不但具有固体器件的所有优点，而且它的自扫描输出方式消除了电子束扫描造成的图像光电转换的非线性失真。即CCD图像传感器的输出信号能够不失真地将光学图像转换成视频电视图像。而且，它的体积、重量、功耗和制造成本是电子束摄像管根本无法达到的。CCD图像传感器的诞生和发展使人们进入了更为广泛应用图像传感器的新时代。利用CCD图像传感器人们可以近距离的实地观测星球表面的图像，可以观察肠、胃耳、鼻、喉等器官内部的病变图像信息，可以观察人们不能直接观测的图像（如放射环境的图像，敌方阵地图像等）。CCD图像传感器目前已经成为图像传感

4、器的主流产品。CCD图像传感器的应用研究成为当今高新技术的主流课题。 6.1.2 图像传感器的分类 CCD图像传感器目前已经成为图像传感器的主流产品。CCD图像传感器的应用研究成为当今高新技术的主流课题。它的发展推动了广播电视、工业电视、医用电视、军用电视、微光与红外电视技术的发展，带动了机器视觉的发展，促进了公安刑侦、交通指挥、安全保卫等事业的发展。 图像传感器按其工作方式可分为扫描型两类和直视型。扫描型图像传感器件通过电子束扫描或数字电路的自扫描方式将二维光学图像转换成一维时序信号输出出来。这种代表图像信息的一维信号称为视频信号。视频信号可通过信号放大和同步控制等处理后，通过相应的显示设备

5、（如监视器）还原成二维光学图像信号。 视频信号的产生、传输与还原过程中都要遵守一定的规则才能保证图像信息不产生失真，这种规则称为制式。 例如广播电视系统中遵循的规则被称为电视制式。数字图像传输与处理过程中根据计算机接口方式的不同也规定了许多种类的制式。 扫描型图像传感器输出的视频信号可经A/D转换为数字信号（或称其为数字图像信号），存入计算机系统，并在软件的支持下完成图像处理、存储、传输、显示及分析等功能。因此，扫描型图像传感器的应用范围远远超过直视型图像传感器的应用范围。 直视型图像传感器用于图像的转换和增强。它的工作方式是将入射辐射图像通过外光电转化为电子图像，再由电场或电磁场的加速与聚焦

6、进行能量的增强，并利用二次电子的发射作用进行电子倍增，最后将增强的电子图像激发荧光屏产生可见光图像。 本章主要讨论从光学图像到视频信号的转换原理，即图像传感器的基本工作原理和典型应用问题 。 6.2 电荷耦合器件的结构和工作原理6.2.1mos结构特征 CCD是一种半导体器件 图图9.7.1 MOS电容的结构电容的结构1金属金属 2绝缘层绝缘层SiO2上一页下一页返 回1平带条件下的能带平带条件下的能带 Ec导带底能量导带底能量Ei禁带中央能级禁带中央能级Ef费米能级费米能级Ev价带顶能量价带顶能量 平带条件：平带条件：当当MOS电容的极板上无外加电压时，在理想情况下，半导体从电容的极板上无外

7、加电压时，在理想情况下，半导体从体内到表面处是电中性的，因而能带体内到表面处是电中性的，因而能带(代表电子的能量代表电子的能量)从表面到从表面到内部是平的。内部是平的。 上一页下一页返 回加上正电压加上正电压MOS电容的能带电容的能带 (a)栅压栅压UG较小时，较小时，MOS电容器处于耗尽状态。电容器处于耗尽状态。 (b)栅压栅压UG增大到开启电压增大到开启电压 Uth时时 ,半导体表面的费米能级半导体表面的费米能级 高于禁带中央能极高于禁带中央能极, 半导体表面上的电子层称为反型层。半导体表面上的电子层称为反型层。 上一页下一页返 回有信号电荷的势阱有信号电荷的势阱 当MOS电容器栅压大于开

8、启电压UG，周围电子迅速地聚集到电极下的半导体表面处，形成对于电子的势阱。 势阱：深耗尽条件下的表面势。势阱：深耗尽条件下的表面势。势阱填满：电子在半导体表面堆积后使平面势下降势阱填满：电子在半导体表面堆积后使平面势下降。 上一页下一页返 回 2.2. 电荷耦合电荷耦合原理原理 6.2.3电荷耦合原理 上一页下一页返 回6.2.46.2.4 CCD CCD的电极结构的电极结构 1.1.三相单层铝电极结构三相单层铝电极结构 2. 2. 三相电阻海结构三相电阻海结构 光学系统光学系统CCD2v3. 3. 三相交叠硅栅结构三相交叠硅栅结构v 4. 二相硅-铝交叠栅结构 5. . 阶梯状氧化物结构阶梯

9、状氧化物结构 被测物被测物光学系统光学系统2CCD2光学系统光学系统1重叠部分重叠部分v6. 6. 四相四相CCDCCD 6 6. .2.52.5转移信道结构转移信道结构 体沟道体沟道CCD CCD （BCCD)BCCD)模拟信号模拟信号数字信号数字信号6.2.6 通道的横向限制如果电极间距较大，势阱形状将发生弯曲变化，会使信号电荷漏出，外面的电荷也会漏进来。为了限制势阱的横向范围，形成一个高势能的位垒，将沟道与沟道隔开。目前的横向限制工艺有沟阻扩散和氧化物台阶法。、加屏蔽电场：在屏蔽极上施以与栅极极性相反的电压，以吸收多子，造成多子在耗尽层内横向边界上的堆积，以限制耗尽层区的横向扩展。、氧化

10、物台阶法：氧化物越厚，表面势越小，势阱越浅。使耗尽层以外的氧化层厚度加厚，保证它下面不会深耗尽，自动限制了势垒的高度、沟阻扩散法：利用掺杂浓度越高，表面势越小，势阱越浅，在同一珊压下，局部掺杂浓度不同。v（1 1）光注入）光注入 Qin=qNeoAtc式中：为材料的量子效率；q为电子电荷量； Neo为入射光的光子流速率；A为光敏单元的受光面积；tc为光的注入时间。 l（2 2 ） 电注入电注入 (1) 电流注入法电流注入法 (2) 电压注入法电压注入法 1如图 （a）所示为电流注入法结构如图（b）所示为电压注入法结构2thiginoxg2UUUCLWIs2thiginoxg2UUUCLWQs输

11、出电流输出电流I Id d与注入到二极管中的电荷量与注入到二极管中的电荷量Q QS S的关系的关系 Q Qs s= =I Id dd dt t )0()(1)0()()0(QtQQtQQ)0()(QtQ电荷转移效率为 电荷转移损失率为 电荷转移效率与损失率的关系为 1 驱动频率的下限驱动频率的下限 电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t ，少数载流子的平均寿命为i 则 驱动频率的上限驱动频率的上限 电荷从一个电极转移到另一个电极的固有时间为g 则 ii31fg31f1CCD转移寄存器转移寄存器 2转移控制栅转移控制栅 3积蓄控制电极积蓄控制电极 4光敏区光敏区 SH转移控制栅输入端转移控制

12、栅输入端 RS复位控制复位控制 VOD漏极输出漏极输出 OS图像信号输出图像信号输出 OG输出控制栅输出控制栅线型图像传感器结构线型图像传感器结构上一页下一页返 回v (1)(1)单沟道线阵单沟道线阵CCD CCD 图8-26所示为三相单沟道线阵CCD的结构图。 图8-27为双沟道线阵CCD摄像器件。它具有两列CCD模拟移位寄存器A与B，分列在像敏阵列的两边。 (a)(b)线型线型CCD图像传感器图像传感器转移栅转移栅光积分单元光积分单元不透光的电荷转移结构不透光的电荷转移结构输出输出光积分区光积分区转移栅转移栅(a)x-y 选址选址 (b)行选址行选址 (c)帧场传输式帧场传输式 (d)行间

13、传输式行间传输式上一页下一页返 回(1) 帧转移面阵帧转移面阵CCD 图8-28为三相面阵帧转移摄像器的原理结构图。它由成像区(像敏区)、暂存区和水平读出寄存器等三部分构成。 隔列转移型面阵CCD的结构如图8-29(a)所示。 图8-29（b）是隔列转移型面阵CCD的二相注入势垒器件的像敏单元和寄存器单元的结构图。 如图8-30所示，它与前面两种转移方式相比，取消了存储区，多了一个线寻址电路。 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）图像传感器出现于1969年,它是一种用传统的芯片工艺方法将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器

14、和计算机接口电路等集成在一块硅片上的图像传感器件，这种器件的结构简单、处理功能多、成品率高和价格低廉，有着广泛的应用前景。 CMOS图像传感器虽然比CCD出现还早一年，但在相当长的时间内，由于它存在成像质量差、像敏单元尺寸小、填充率（有效像元与总面积之比）低（10%20%），响应速度慢等缺点，因此只能用于图像质量要求较低、尺寸较小的数码相机中，如机器人视觉应用的场合。 1989年以后，出现了年以后，出现了“主动像元主动像元”（有源）结构。它不仅有光敏元件和像元寻址开关，（有源）结构。它不仅有光敏元件和像元寻址开关，而且还有信号放大和处理等电路，提高了光电灵敏度，减小了噪声，扩大了动态范围，而且

15、还有信号放大和处理等电路，提高了光电灵敏度，减小了噪声，扩大了动态范围，使它的一些性能参数与使它的一些性能参数与CCD图像传感器相接近，而在功能、功耗、尺寸和价格等方面要图像传感器相接近，而在功能、功耗、尺寸和价格等方面要优于优于CCD图像传感器，所以应用越来越广泛。图像传感器，所以应用越来越广泛。 1. CMOS成像器件的组成 CMOS成像器件的组成原理框图如图8-31所示，它的主要组成部分是像敏单元阵列和MOS场效应管集成电路，而且这两部分是集成在同一硅片上的。像敏单元阵列实际上是光电二极管阵列，它也有线阵和面阵之分。 图像信号的输出过程可由下图图像传感器阵列原理图更清楚地说明。 这种器件

16、的像敏单元结构有两种类型，即被动像敏单元结构和主动像敏单元结构。前者只包含光电二极管和地址选通开关两部分，如图8-33所示。其中像敏单元的图像信号的读出时序如图8-34所示。 主动式像敏单元结构的基本电路如图所示。从图可以看出，场效应管V1构成光电二极管的负载，它的栅极接在复位信号线上，当复位脉冲出现时，V1导通，光电二极管被瞬时复位；而当复位脉冲消失后，V1截止，光电二极管开始积分光信号。 图中所示为上述过程的时序图，其中，复位脉冲首先来到，V1导通，光电二极管复位；复位脉冲消失后，光电二极管进行积分； 场效应管场效应管V2：源极跟随放大器，进行电流放大，：源极跟随放大器，进行电流放大， 积

17、分结束后，V3管导通，信号输出。从技术的角度来比较两者主要存在的区别从技术的角度来比较两者主要存在的区别（a）信息读取方式不同）信息读取方式不同 （b）速度有所差别（c）电源及耗电量 （d）成像质量 （e）内部结构（传感器本身的结构） 抗辐射性、成本、集成度等方面 ： 性能指性能指标标 CMOS CMOS图图像像传传感器感器 CCD图图像像传传感器感器暗电流（暗电流（PA/MPA/M2 2）电子电子- -电压转换率电压转换率动态范围动态范围响应均匀性响应均匀性读出速度读出速度( (Mpixels/sMpixels/s) )偏置、功耗偏置、功耗工艺难度工艺难度信号输出方式信号输出方式集成度集成度应用范围应用范围性价比性价比1010100100大大略小略小较较差差1000 1000 小小小小x xy y寻寻址可址可随随机采机采样样高高低端、民用低端、民用高高1010略小略小大大好好7070大大大大顺顺序逐序逐个个像元像元输输出出低低高端、高端、军军用、用、研研究究略低略低lCCD与 CMOS图象传感器出货量（单位：百万颗） 国外芯片厂商国外芯片厂商：l生产生产CMOS图像传感器，比较著名的有：图像传感器，比较著名的有： Micron（美光）（美光）lOmni Vision（豪威）（豪威）lMitsubishi（三菱）（三菱） lKodak（ 柯达）等。柯达