中级维修电工理论-电子技术

1、中级维修电工理论知识复习题电子技术一、选择题（每题1分）：1-25型号为 2AP9的晶体二极管表示（ D ）。 （）型材料整流管（）型材料稳压管（）型材料开关管（）型材料普通管15-8. 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为(C)。 A、0.5V B、0.7V C、0.3V D、0.1V2-53用于整流的二极管型号是（ C ）。 （）29 （）214 （）252B （）2843-52下面型号中，表示稳压管型号的是（ B ）。 （）2AP1 （）2CW54 （）2CK84A （）2CZ509-42当反向电压小于击穿电压时二极管处于（ B ）状态。 （）死区 （）截止 （）导通 （）击穿9-43

2、晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性是（ B ）。 （）电压微变，电流微变 （）电压微变，电流剧变· （）电压剧变，电流微变 （）电压不变，电流剧变9-69晶体二极管正偏导通时，外电场（ A ）。 （）与结内电场方向相反，扩散运动加强 （）与结内电场方向相同，漂移运动加强 （）与结内电场方向相同，扩散运动减弱 （）与结内电场方向相反，漂移运动减弱9-70硅二极管正向导通，其管压降为（ A ）。 （）. （）. （） 1 （） .13-49晶体二极管正向偏置是指（ A ）。 （）正极接高电位，负极接低电位 （）正极接低电位，负极接高电位 （）二极管没有正负极之分 （）二极管的极性任意接

3、8-52二极管两端加上正向电压时（ B ）。 （）一定导通（）超过死区电压才导通 （）超过0.3才导通（）超过0.7才导通14-62半导体整流电路中使用的整流二极管应选用（ D ）。 A、变容二极管 B、稳压二极管 C、点接触型二极管 D、面接触型二极管（ ）3-97晶体二极管具有单向导电性。（ × ）8-99二极管正向电阻比反向电阻大（ ）11-49按整理材料，晶体二极管可分为硅管和锗管。9-45硅稳压二极管与整流二极管不同之处在于（ B ）。 （）稳压管不具有单向导电性 （）稳压管可工作在击穿区，整流二极管不允许 （）整流二极管可工作在击穿区，稳压管不能 （）稳压管击穿时端电压稳

4、定，整流管则不然15-21. 硅稳压二极管与一般二极管不同的是，稳压管工作在(B )。 A、击穿区 B、反向击穿区 C、导通区 D、反向导通区3-51欲使硅稳压管工作在击穿区，必须（ D ）。 （）加正向电压，且大于死区电压 （）加正向电压，且小于死区电压 （）加反向电压，且小于击穿电压 （）加反向电压，且大于击穿电压3-53硅稳压管稳压电路中，若稳压管稳定电压为10，则负载电压为（ A ）。 （）等于10 （）小于10 （）大于10 （）无法确定2-62硅稳压管加正向电压时，（C ）。 （）立即导通 （）超过0.3导通 （）超过死区电压导通 （）超过导通5-58在硅稳压管稳压电路中，限流电阻

5、的一个作用是（ D ）。 （）减小输出电流 （）减小输出电压 （）使稳压管工作在截止区 （）调节输出电压（ × ）1-87在硅稳压管稳压电路中，稳压管必须与负载串联。（ × ）11-51稳压二极管若工作在击穿区，必然烧毁。（ × ）11-148硅稳压管只要工作在击穿区就立即损坏。9-44锗低频小功率三极管型号为（ C ）。 （） （） （） （） 2-61晶体三极管内部结的个数有（ B ）个。 （）（）（）（）3-50估测三极管穿透电流时，（ A ）说明三极管性能较好。 （）阻值很大，指针几乎不动 （）阻值很小，指针缓慢摆动 （）阻值很小，指针较快摆动 （）无法判

6、定5-56在型晶体三极管放大电路中，如将其基极与发射极短路，三极管所处的状态是（ A ）。 （）截止 （）饱和 （）放大 （）无法判定7-72三极管的开关特性是（ D ）。 （）截止相当于开关接通 （）放大相当于开关接通（）饱和相当于开关接通 （）截止相当于开关断开，饱和相当于开关接通10-70开关三极管一般的工作状态是（ D ）。（A）截止 （B）放大（C）饱和 （D）截止和饱和14-60如图所示电路中，三极管工作状态是（ B ）。 A、放大 B、饱和 C、截止 D、击穿13-10. 三极管放大区的放大条件为(C)。 A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结反偏或零偏，集电结反偏 C、发射结和

7、集电结正偏 D、发射结和集电结反偏7-69.放大电路设置静态工作点的目的是（ B ）。（）提高放大能力 （）避免非线性失真（）获得合适的输入电阻和输出电阻 （）使放大器工作稳定（ ）11-50晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（ × ）9-99在实际工作中，型三极管和型三极管可直接替换。（ ）11-110实际工作中，放大三极管与开关三极管不能相互替换。 ( × ) 14-95. 在实际工作中整流二极管和稳压二极管可互相代替。( × )15-85. 三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏，集电结反偏。( ) 20-94.开关电路中，欲使三极管工作在饱和状

8、态，其输入电流必须大于或等于三极管临界饱和电流。2-63在共发射极放大电路中，静态工作点一般设置在（ D ）。 （）直流负载线的上方 （）直流负载线的中点上 （）交流负载线的下方 （）交流负载线的中点上9-48在共发射极放大电路中，若静态工作点设置过低，易产生（ C ）。 （）饱和失真 （）交越失真 （）截止失真 （）直流失真10-67阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（ A ）。 （A）第一级输入电阻 （B）各级输入电阻之和（C）各级输入电阻之积 （D）末级输入电阻15-32在图中所示放大电路，已知Ucc=6V、Rc=2K、RB=200K、=50。放大电路的静态工作点为(A)。 A、 B、

9、C、 D、3-55在三种基本组合状态的放大电路中，输入电阻最低的是（ C ）电路。 （）共射放大 （）共集放大 （）共基放大 （）共射极偏置电路2-64在单管晶体管放大电路中，电压放大倍数小的电路是（ A ）。 （）共集电极电路 （）共发射极电路 （）共基极电路 （）分压式偏置电路14-55阻容耦合多级放大器中，（ A ）的说法是错误的。 A、放大直流信号 B、放大缓慢变化的信号 C、便于集成化 D、各级静态工作点互不影响 8-51阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（ A ）。 （）第一级输入电阻（）各级输入电阻之和（）各级输入电阻之积（）末级输入电阻4-46阻容耦合多级放大器可放大（ B ）

10、。 （）直流信号 （）交流信号 （）交、直流信号 （）反馈信号16-42. 直流耦合放大电路可放大(C)。 A、直流信号 B、交流信号 C、直流信号和缓慢变化的交流信号 D、反馈信号1-58直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是：（ A ）变化。 （）温度 （）湿度 （）电压 （）电流6-55直流放大器克服零点漂移的措施是采用（ D ）。 （）分压式电流负反馈放大电路 （）振荡电路 （）滤波电路 （）差动放大电路14-58差动放大电路的作用是（ D ）信号。 A、放大共模 B、放大差模 C抑制共模 D、抑制共模，又放大差模2-51放大电路的静态工作点，是指输入信号（ A ）三极管的工作点。

11、（）为零时 （）为正时 （）为负时 （）很小时13-3. 推挽功率放大电路比单管甲类功率放大电路(C)。 A、输出电压高 B、输出电流大 C、效率高 D、效率低6-54推挽功率放大电路在正常工作过程中，晶体管工作在（ D ）状态。 （）放大 （）饱和 （）截止 （）放大或截止2-52对功率放大电路最基本的要求是（ C ）。 （）输出信号电压大 （）输出信号电流大 （）输出信号电压和电流均大 （）输出信号电压大、电流小6-53欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（ D ）。 （）串联反馈 （）并联反馈 （）正反馈 （）负反馈3-72将一个具有反馈的放大器的输出端短路，即三极管输出电压为，

12、反馈信号消失，则该放大器采用的反馈是（ C ）。 （）正反馈 （）负反馈 （）电压反馈 （）电流反馈（）1-98共集电极放大电路，输入信号与输出信号相位相同。（ ）2-97共发射极放大电路既有电压放大作用，也有电流放大作用。（ × ）7-98共发射极放大电路，想使静态工作点稳定，应引入正反馈。（ × ）11-54射极输出器，输出信号与输入信号相位相反。（ × ）11-53单管共发射极放大电路，输入信号和输出信号相位相同。（ ）11-107多级放大电路，要求信号在传输的过程中，失真要小。（ × ）11-108在输入信号一个周期内，甲类功放与乙类功放相比，单

13、管工作时间短。（ ）11-109差动放大电路既可双端输入，又可单端输入。( ) 13-86. 在直流放大器中，前级产生的零点飘移比后级严重得多。3-73正弦波振荡器由（ B ）大部分组成。 （） （） （） （） 4-47振荡器中，为容易起振而引入的反馈属于（ B ）。（A）负反馈 （B）正反馈 （C）电压反馈 （D）电流反馈16-1. 正弦波振荡器的振荡频率f取决于( D )。 A、正反馈强度 B、放大器放大倍数 C、反馈元件参数 D、选额网络参数7-71变压器耦台式振荡器属于（ A ）。 （）振荡电路 （）RC振荡电路（）RL振荡电路（）石英晶体振荡电路16-73. 低频信号发生器的低频振

14、荡信号由(D)振荡器产生。 A、LC B、电感三点式 C、电容三点式 D、RC16-74. 低频信号发生器输出信号的频率范围一般在( B )。 A、020HZ B、20HZ200KHZ C、50100HZ D、100200HZ3-54带直流负反馈的串联型稳压电路，是利用（ B ）作电压调整器件与负载串联。 （）取样电路 （）三极管 （）基准电路 （）比较放大电路6-77带直流负反馈的串联型稳压电路，为提高稳压灵敏度，其比较放大电路的放大倍数应（ C ）。 （）较低 （）很低 （）较高 （）很高1-26单相半波整流电路，加电容滤波器后，整流二极管承受的最高反向电压将（ C ）。（）不变 （）降低

15、 （）升高 （）单相半波整流电路相同9-46一负载电流为10mA的单相半波整流电路，实际流过整流二极管的平均电流是（ B ）mA。 （） （） （） （） 5-57在单相整流电路中，若输入电压相同，则二极管承受反向电压最高的电路是（ B ）。 （）单相半波整流电路（B）单相全波整流电路）单相桥式整流电路（）单相桥式半控整流电路 9-46一负载电流为10mA的单相半波整流电路，实际流过整流二极管的平均电流是（ B ）mA。 （） （） （） （） 9-47小功率负载的滤波电路，要求滤波效果很好，应选择的滤波电路形式是（ D ）。 （）电容滤波器 （）电感滤波器 （） 型滤波器 （）型滤波器（ &

16、#215; ）11-52串联型稳压电路中的基准电压，其温度稳定性不会影响到输出电压的稳定性。（ ）11-137整流电路是把正弦交流电变换成脉动直流电的电路。14-70. KP10-20表示普通反向阻断型晶闸管的正反向重复峰值电压是(D)。 A、10V B、1000V C、20V D、2000V3-74普通晶闸管管心由（ D ）层杂质半导体组成。 （） 1 （）（） （）7-74普通晶闸管由中间层引出的电极是（ B ）。（）阳极（B）门极（）阴极（）无法确定8-55在晶闸管寿命期内，若浪涌电流不超过IT ，晶闸管能忍受的次数是（ B ）。 （） 次 （） 次 （） 次 （） 次4-49晶闸管外部

17、的电极数目为（ C ）个。 （） 1 （） （） （） 10-72晶闸管具有（ B ）性。 （A）单向导电 （B）可控单向导电性 （C）电流放大 （D）负阻效应12-39. 用万用表测量测量控制极和阴极之间正向阻值时，一般反向电阻比正向电阻大，正向(A)，反向数百欧姆以上。 A、几十欧姆以下 B、几百欧姆以下 C、几千欧姆以下 D、几十千欧姆以下1-59晶闸管硬开通是在（ C ）情况下发生的。 （）阳极反向电压小于反向击穿电压 （）阳极正向电压小于正向转折电压 （）阳极正向电压大于正向转折电压 （）阴极加正压，门极加反压2-54欲使导通晶闸管关断，错误的作法是（ B ）。 （）阳极、阴极间加反

18、向电压 （）撤去门极电压 （）将阳极、阴极间正压减小至小于维持电压 （）减小阴极电流，使其小于维持电流12-67. 小容量晶体管调速器电路的主回路采用单相桥式半控整流电路，直接由(C)交流电源供电。 A、24V B、36V C、220V D、380V6-57室温下，阳极加正压，为保证可靠触发所加的门极电流应（ C ）门极触发电流。 （）小于 （）等于 （）大于 （）任意6-58单结晶体管触发电路输出触发脉冲中的幅值取决于（ D ）。 （）发射极电压U C （）电容 （）电阻R b （）分压比2-55关于同步电压为锯齿波的晶体管触发电路叙述正确的是（ B ）。 （）产生的触发功率最大 （）适用于

19、大容量晶闸管 （）锯齿波线性度最好 （）适用于较小容量晶闸管4-50同步电压为锯齿波的晶体管触发电路，以锯齿波电压为基准，再串入（ B ）控制晶体管状态。 （）交流控制电压 （）直流控制电压 （）脉冲信号 （）任意波形电压16-15. 单结晶体管触发电路产生的输出电压波形是(D)。 A、正弦波 B、直流电 C、尖脉冲 D、锯齿波1-46采用单结晶体管延时电路的晶体管时间继电器，其延时电路由（ A ）等部分组成。 （）延时环节、鉴幅器、输出电路、电源和指示灯 （）主电路、辅助电源、双稳态触发器及其附属电路 （）振荡电路、记数电路、输出电路、电源 （）电磁系统、触头系统14-71. 如图所示单结晶

20、体管振荡电路，决定控制角a的元件是( B )。 A、Re B、Re和Ce C、RB2 D、RB114-72. 晶体管触发电路适用于(C)的晶闸管设备中。 A、输出电压线性好 B、控制电压线性好 C、输出电压和电流线性好 D、触发功率小（ ）11-87晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。（ × ）6-99单结晶体管具有单向导电性。（ × ）14-84 在单结晶体管触发电路中单结晶体管工作在关状态（ × ）1-99晶闸管无论加多大正向阳极电压，均不导通。（ ）11-112晶闸管都是用硅材料整理的。（

21、× ）11-113晶闸管的通态平均电压越大越好。（ × ）6-98自激振荡器是一个需外加输入信号的选频放大器。（ ）11-114晶体管触发电路要求触发功率较大。15-28. 在单相半波可控整流电路中，电感Ld电感量越大，电流在负半波流动的时间(B )。 A、越短 B、越长 C、不变 D、变化不定4-51三相半波可控整流电路，若变压器次级电压为2，且00，则输出平均电压为（ A ）。 （）1.172cos （）0.92cos （）0.452cos （）1.1726-59单相全波可控整流电路，若控制角。变大，则输出平均电压（ B ）。 （）不变 （）变小 （）变大 （）为零14

22、-73. 单项全波可控整流电路，若控制角变大，则输出平均电压(B)。 A、不变 B、变小 C、变大 D、为零14-74. 三相半波可控整流电路，晶闸管承受的最大反向电压是(D)。 A、变压器次级相电压有效值 B、变压器次级相电压最大值 C、变压器次级线电压有效值 D、变压器次级线电压最大值3-75单相半波可控整流电路，若负载平均电流为10，则实际通过整流二极管的平均电流为（ C ）。 （） （） （） （） 7-75在三相半波可控整流电路中，控制角的最大移相范围是（ B ）。 （）90 o （）150 o （）180 o （）360 o8-56三相半波可控整流电路，若负载平均电流为18，则每个

23、晶闸管实际通过的平均电流为（ C ）。 （） （） （） （）16-61. 单向半波可控整流电路，变压器次级电压为20V，则整流二极管实际承受的最高反向电压为(B)。 A、20V B、20V C、18V D、9V13-50. 在单相桥式全控整流电路中，当控制角增大时，平均输出电压Ud(B)。 A、增大 B、下降 C、不变 D、无明显变化12-46. 单相桥式全控整流电路的优点是提高了变压器的利用率，(C)，且输出电压脉动小。 A、减少了晶闸管的数量 B、降低了成本 C、不需要带中间抽头的变压器 D、不需要维护( )13-94.在单相半波可控整流电路中，调节触发信号加到控制极上的时刻，改变控制角

24、的大小，就实现了控制输出直流电压的大小。（ ）7-99单向半波可控整流电路，无论输入电压极性如何改变，其输出电压极性不会改变。( × ) 14-96. 单向可控整流电路中，二极管承受的最大反向电压出现在晶闸管导通时。（ × ）10-100单项全波可控整流电路，晶闸管导通角越小，输出平均电压越高。（ ）11-116单向全波可控整流电路，可通过改变控制角大小改变输出负载电压。( × ) 16-97. 在三相半波可控整流电路中，若>30°，输出电压波形连续。（ ）11-160三相半波可控整流电路中，若触发脉冲在自然换相点之前加入，输出电压波形变为缺相波形

25、。4-48在脉冲电路中，应选择（ B ）的三极管。 （）放大能力强 （）开关速度快 （）集电极最大耗散功率高 （）价格便宜14-54在遥测系统中，需要通过（ C ）把非电量的变化转变为电信号。 A、电阻器 B、电容器 C、传感器 D、晶体管6-47半导体发光数码管由（ C ）个条状的发光二极管组成。 （） （） （） （）13-69如图所示真值表中所表达的逻辑关系是（ C ）。 A、与 B、或 C、与非 D、或非6-56由一个三极管组成的基本门电路是（ B ）。 （）与门 （）非门 （）或门 （）异或门7-73符合“或”逻辑关系的表达式是（ C ）。 （） （） （） （）1+18-53数字集

26、成门电路，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（ D ）。 （）与门 （）或门 （）非门 （）与非门8-54“与非”门电路是以（ B ）为基本元件构成的。 （）电容器 （）双极性三极管 （）二极管 （）晶闸管14-67. 如图表示的是( B )门电路。 A、或门 B、与门 C、非门 D、与非门（ × ）2-98数字信号是指在时间上和数量上都不连续变化，且作用时间很短的电信号。（ ）4-98最常用的数码显示器是七段式显示器件。（ ）10-96常见的七段式显示器有荧光数码管，液晶显示器和半导体发光数码管。（ × ）4-100或门电路，只有当输入信号全部为时输出才会是。（ ）10-99非门电路只有一个输入端，一个输出端。（ × ）11-111在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压N。（ ）1-82电容器具有隔直流、通交流作用。（ ）11-149电容滤波器会产生浪涌电流。*（）59、三相半波可控整流电路，若负载平均电流为18A，则每个晶闸管实际通过的平均电流为（ C ）。