非晶硅太阳能电池

1、双结非晶硅太阳电池能组件系列：双结非晶硅太阳电池组件在标准测试条件(STC)下，系列额定功率稳定值为：32W,34W, 36W,38W,和40W。不同规格的产品有不同的电性能。并且可根据需求制作特殊规格的要求，做成不同规格、不同性能、不同要求、不同尺寸的双结非晶硅太阳电池组件。 双结非晶硅太阳能电池组件的参数：在标准测量条件(STC)下，双结非晶硅太阳电池典型组件参数如下：型号Pm (W) Voc (V) Isc (A) Vmpp(V) 尺寸(mm)重量32(42)H/G643×125332±1 571.042643×1253×3714.7kg

2、34(43)H/G643×125334±1581.043643×1253×3714.7kg36(44)H/G643×125336±1591.044643×1253×3714.7kg38(45)H/G643×125338±1601.045643×1253×3714.7kg40(46)H/G643×125340±1611.046643×1253×3714.7kg双结非晶硅太阳能电池组件其他特性：组件系统电压600V组件测试条件AM1.5，1

3、00mW/cm2,25oC组件使用温度-40至+55组件温度系数功率-0.19%/ 开路电压-0.28%/ 短路电流+0.09%/双结非晶硅太阳能电池组件电参数设定：值得注意：电池出厂时，产品初始实际功率比标称功率高出 15%-20% 。同时工作电压和工作电流都比额定值高。系统设计和配置计算时应考虑这些较高值及太阳辐射较大时出现的峰值。双结非晶硅太阳能电池组件的基本结构：组件封装包括便绝缘等8道工序，确保了电池活性薄膜与外界隔离。由于EVA膜在电池的背面，阳光不能直射，可有效延缓EVA的老化过程，同时双层玻璃封装也提高了非晶硅电池的使用寿命，加之严格的多道测试工序保证了产品

4、的可靠性。双结非晶硅太阳能系统的设计方法光伏电源的设计是一个非常复杂的工作，作为工程应用，介绍一种简单的估算方法。首先，在进行光伏系统的设计之前，以下资料是必须收集和考虑的：1、 安装地点的地理数据：经度、纬度、地质条件、周围的建筑物情况和地势情况；2、 安装地点的气象数据：日照量（或标准日照时数）、日照时间、阴雨天无日照时间、 温度、湿度、最大风速；3、 负荷用电条件和状态：负荷电压等级、每日保证的用电时间、负荷大小、负荷性质；4、 有关太阳电池组件的技术参数、蓄电池的技术参数。双结非晶硅太阳能电池阵列根据负荷用电量计算太阳电池阵列的大小，其原则是太阳能电池在平均或最小日照情况下的发电量数应

5、不小于，才能保证电能的平衡太阳电池功率 (W)= 日负荷用电量（Wh）÷标准日照时数÷系统效率×补充系数系统效率：一般取 80%补充系数：表示当天的发电量除供给当天的用电量外，额外给储能电池充电的幅度取值 1 表示没有额外补充；取值 1.5 表示 2 天的发电量可以供给 3 天的用电量；取值 2 表示 1 天的发电量可以供给 2 天的用电量。由此计算得出的 太阳电池功率，再根据取整和系统电压的选择进行调整，如果环境复杂，还要加入温度、污浊、衰减等环境修正系数来最终调整确定。将修正后的太阳电池功率，结合太阳电池组件技术参数计算太阳电池的串并去数量和接线方式。蓄电池容

6、量计算在太阳能电源中，蓄电池除了后备能源的作用外，还起到了能量平衡控制调节的作用。蓄电池容量设计根据设计的日平均放电深度、最大放电深度和无日照天数来计算蓄电池容量 =日负荷用电量×无日照天数日平均放电深度=日负荷用电量÷蓄电池容量最大放电深度=日平均放电深度×无日照天数对以上值进行设计 日平均放电深度、最大放电深度的修正、温度系数的修正，得出蓄电池容量。注意：1、 计算出蓄电池容量后，应进行系统要求的蓄电池充电恢复时间、气象条件、蓄电池充放电效率等进行太阳电池方阵的修正。2、 如果系统采用并网运行，蓄电池无需要考虑。双结非晶硅太阳能电池组件的安装和使用1、 由于该

7、太阳能电池板采用玻璃-玻璃封装工艺，安装时四个角配备有四个相对独立的安装脚架。脚通过固定螺丝安装在太阳能电池方阵上。固定螺丝的松紧应一致，这种安装方式简单实用可靠，完全可避免非晶硅太阳电池组件由于受到外力的作用扭曲变形而开裂；2、太阳电池或方阵应该向正南方安装，安装角度一般是太阳能电池平面与水平面夹角是纬度加10度；3、太阳电池或方阵朝向太阳一侧不应有任何遮挡物，否则会影响其它发电量；4、接线时，一定要保证各个接线段子具有良好的电接触，同时密封也要好，以使金属导点端子和引线在长期环境下不会受到腐蚀；5、在太阳电池方阵运行期间，要及时清理其表面的灰尘和积雪；6、不要使太阳电池表面受到任何坚硬物体

8、的冲击。晶体硅和双结非晶硅性能对比目前常见的太阳电池组件有晶体硅（单晶硅、多晶硅）和非晶硅两类。它们之间在性能等方面存在差异：单晶硅 多晶硅 非晶硅 发电效率 高 中 低 单位功率面积 小 中 大 单位功率价格 高 中 低 单位功率累计发电量 小 中 大（比多晶硅高 10% ） 适用性 适合于在单位面积上要求多发电的情况 适合于在单位面积上要求多发电的情况。 适合于不要求面积，只追求低成本的情况 独特性 对阳光入射角度要求范围比较窄 对阳光入射角度要求范围比较单晶宽。 弱光响应特性好。对阳光入射角度要求范围最宽，散射光接受率高。即：在阴雨天气和沙尘天气仍然可以继续工作。 以不同种类组件构成系统的特点 占地面积最小 占地面积小，应用最为广泛，是当前用量最大的品种。 占地面积大，