数字逻辑集成门电路

1、1第三章第三章 集成门电路集成门电路2343.1 PN3.1 PN结结56783.2.1 3.2.1 半导体二极管（半导体二极管（Diode)Diode)3.2 3.2 晶体管开关特性晶体管开关特性9UDID导通压降导通压降: : 硅管硅管0.60.60.7V,0.7V,锗管锗管0.20.20.3V0.3V。死区电压：死区电压：硅管硅管 0.5V0.5V锗管锗管 0 0.2V.2V。反向饱和电流反向饱和电流（很小，（很小， A A级）级）反向击穿电压反向击穿电压V VBRBR10R RL LU UiU UO OU Ui iU Uo ot tt t113.2.2 3.2.2 晶体二极管开关特性晶

2、体二极管开关特性1213) 1(TDVUSDeII1415161718193.2.3 3.2.3 半导体三极管半导体三极管(Transistor)(Transistor)2021I IB B( ( A)A)U UBEBE(V)(V)20204040606080800.40.40.80.8U UCECE 1V1V I IB B与与U UBEBE的关系曲线（同二极管）的关系曲线（同二极管）输入特性输入特性死区电压：死区电压：硅管硅管0.5V0.5V工作压降：工作压降：硅管硅管U UBE BE 0.7V 0.7V22输出特性输出特性(I(IC C与与U UCECE的关系曲线的关系曲线) )2 2 =

3、I=IC C/I/IB B=2=2mAmA/40/40 A=50A=504040 A A3 36060 A A =I=IC C/I/IB B=3=3mAmA/60/60 A=50A=50I IC C( (m mA A ) )U UCECE(V)(V)4 48080 A A233.2.4 3.2.4 双极型晶体三极管开关特性双极型晶体三极管开关特性2425262728293.3 3.3 晶体管反相器晶体管反相器303132333.4 3.4 分立元件门电路分立元件门电路3435363738393.5.1 TTL3.5.1 TTL与非门电路结构及工作原理与非门电路结构及工作原理3.5 TTL3.5

4、 TTL门电路门电路40414243 3.5.2 3.5.2 参数与指标参数与指标44454647484950 3.6 3.6 其它类型的其它类型的TTLTTL门门3.6.1 TTL3.6.1 TTL门分类门分类一、按系列分类一、按系列分类51二、按逻辑功能分类二、按逻辑功能分类三、按输出电路形式分类三、按输出电路形式分类523.6.2 3.6.2 集电极开路输出门（集电极开路输出门（OCOC门）门）5354CDABFFF21553.6.3 3.6.3 三态输出门（三态输出门（TSTS门）门）56575859603.6.4 TTL3.6.4 TTL门闲置输入端的处理门闲置输入端的处理61623

5、.7.1 NMOS3.7.1 NMOS和和PMOSPMOS门电路门电路场效应管有两种场效应管有两种: :3.7 MOS3.7 MOS集成门电路集成门电路场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。抗高，温度稳定性好。结型场效应管结型场效应管JFETJFET绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管MOSMOSN N沟道沟道P P沟道沟道耗尽型耗尽型增强型增强型耗尽型耗尽型增强型增强型631 1、NMOSNMOS管的结构管的结构P PGSDN NN NP P型基底型基底两个两个N N区区SiOSiO2 2绝缘层绝缘层金属铝金属铝N N导电沟道导电沟道未预留未预留 N N沟道增强型沟道增强型预留预留 N N沟道耗尽型沟道耗尽型642 2、逻辑符号、逻辑符号P P沟道沟道增强增强型型G GS SD DG GS SD DN N沟道增强型