计算机组装维护与维修电子教案5

1、计算机组装、维护与维修教案（20152016学年第2学期）适用于计算机与非计算机专业院系（部）_ 班 级_ 教 师_教案首页本次课标题：内存储器授课日期2016.4.12授课班级2014级课 时2上课地点教学目标能力目标知识目标内存的分类与性能指标内存的选购内存常见故障及排除了角内存的分类与性能指标了解内存的选购掌握内存常见故障及排除教学任务讲解内存的分类与性能指标介绍内存的选购使学生掌握内存常见故障及排除重点难点内存：ROM与RAM内存的性能指标：单位。存取速度、容量、数据宽度与带宽、校验、电压、SPD、等待时间CL、时钟周期TCK、存取时间TAC、时序（一般存于SPD中由工作人员设定）内存

2、的分类：SDRAM、DDR、DDRII、DDRIII内存常见故障：测试软件检查软故障 接触不良、兼容性、主板参数设置问题、内存本身质量问题作业或考核课后练习题参考资料教学设计 步 骤教学内容教师活动（方法与手段）学生活动时间分配1内存的分类价绍5分钟2性能指标讲解提问103内存参数的技术指标讲解提问204故障，测试与排除讲授并演示请学生操作15分钟教学内容内存储器认识内存储器5.1.1 内存的分类提问：内存储器包括哪些，它们各自的特点是什么？学生思考、看书、回答；教师总结：计算机存放程序和数据的仓库称为存储器.计算机的存储系统分为内存和外存.1 随机存取存储器(RAM)：可读出数据，又可写入数

3、据，断电后RAM中的内容会全部丢失。2 只读存储器(ROM)：只能读出数据，不能写入数据，断电后ROM中的内容不会丢失。3 高速缓冲存储器(Cache)： CPU 内存5.1.2 内存条的组成提问：请同学们仔细观察内存，看一看它上面有什么器件？（准备若干内存条）学生思考、看书、回答；教师总结：内存条主要由印刷电路板、内存颗粒、SPD芯片、金手指等组成。 5.1.3 内存条的分类提问：在现如今的电脑上还能看到什么类型的内存？学生思考、看书、回答；教师总结：目前计算机中常用的内存条主要有SDRAM 、DDR SDRAM 、DDR2 SDRAM 等三种类型。SDRAM和DDR内存比较DDR和DDR2

4、内存的比较5.1.4 内存条的封装提问：为什么看着有的内存上面的芯片的外形差异很大？学生思考、看书、回答；教师总结：目前内存的封装方式主要有TSOP 、BGA 、CSP 等三种，封装方式直接影响着内存条性能优劣。1TSOP封装TOSP的特点就是可靠性比较高，是目前主流的封装方式。2BGA封装BGA它具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。3CSP封装CSP主要用于高频DDR 内存。5.1.5 内存的技术指标提问：内存哪些指标对电脑整机的性能影响比较大？学生思考、看书、回答；教师总结：1.内存的品牌2.容量3.类型4.频率内存的频率是指内存工作的时钟频率，单位是赫兹（Hz）。5.延迟时间标签中的

5、“CL=2.5”表示的是该内存的“延迟时间”。延迟时间是内存的一个重要指标，它主要包括CAS 延迟时间（简称CAS或CL）、RAS到CAS的延迟时间（简称tRCD）、RAS 预充电时间（简称tRP ）、RAS Active Time （简称RAS）等几种。一般来说，延迟时间越短，那么内存的工作速度越快。具体的排列顺序是 “CAS-tRCD-tEcD-tRP-tRAS”。5.2制定选购方案：选购原则及分析提问：选购内存时，如何确定种类、容量大小及速度指标？学生思考、看书、回答；教师总结：一、根据主板的类型来确定内存的种类。二、根据使用的操作系统及应用软件来确定内存的大小。三、根据主板芯片组来确定

6、内存的频率。5.3 实战：内存条的选购提问：在购买内存时要注意什么？学生思考、看书、回答；教师总结：内存质量的优劣直接影响计算机系统地稳定性，因此应该掌握一些内存的辨别方法。内存市场的产品市场上常见内存条可分为正品新货、正品旧货和次品三类。购买时的辨别看芯片、看PCB、看金手指及防伪标贴、看包装及保修卡 说明书和保修卡齐全。下面来看两个典型：创见内存标签这是创见内存上的标签，只有简单的“1GB DDR2 800”的字样。如果这样的内存也能得到用户的信任，那我就辞职当商家去了，就找最便宜的兼容条进货，再印些这样的标签，随便贴哪都是个品牌，至少每根多赚20元吧。G.SKILL内存标签正规的标签应该

7、如何？G.SKILL给我们做了一个好榜样，频率、延迟、电压一清二楚。当然，G.SKILL也有不厚道的一面，把颗粒打磨了。内存产品的核心颗粒（一）颗粒即是指内存条上的RAM芯片，通常在业内也叫做IC芯片或IC颗粒，是内存条的核心部件。这里要纠正一个概念上的误区，萌萌见过不少用户把内存品牌当作颗粒品牌，这是相当严重的错误。虽然很多内存条品牌都将颗粒上的标识印刷成自身名称，但实际上大部分内存条品牌都不出产颗粒（关于这种remark的行为将在后文详细阐述OCER观点）。目前世界上出产DDR2内存颗粒的主要厂家有：（排名不分先后）韩系：Hynix electronic（现代电子）、Samsung Ele

8、ctronic（三星电子）美系：Micron（镁光）德系：Infineon（英飞凌）/Qimonda（奇梦达）台系：Mosel（茂矽）、Nanya（南亚）、PSC（力晶）日系：Elpida（尔必达）很多品牌为了追求高利润而掩盖真相，往往将颗粒表面打磨成自身的品牌，甚至干脆抹去原有标识留下一个黑底。A-DATA采用镁光D9GMH颗粒的EE版本内存眼神好的同学可以仔细观察一下威刚拿来封装的这批镁光颗粒的流水线批号（小号），即在芯片左下角的4位字符。图中展现出的几个颗粒小号均不相同，可是颗粒周期却都是6MD22。这到底寓意着什么呢？既然是超出默认工作频率的产品，厂商在制作前就有必要对其进行筛选，那么

9、小号有差异能否证明是经过筛选的呢？会不会有另一种可能：为了更低的价格拿到颗粒而去向晶圆厂订购UTT或已经被更有实力的大厂筛选过的那些白盘？我们只能替已经选购了这款产品的同学祈祷不是这种可能了，因为一切都只是猜测，但这些猜测并不是毫无依据。毕竟在我们测试过的众多采用镁光颗粒的内存当中，A-DATA的成绩总是落后的。祝它一路走好！Y5是默认DDR2-667 CL5的芯片以上只是理论真正的呢？更让同学们惊讶的是直接加一马甲通过了：请问，咱还能看到颗粒吗？内存品质的体现延迟（一）在上个世纪就接触电脑DIY的同学应该对Rambus内存还有印象，具有先进串行总线技术的Rambus内存最终只是昙花一现，结果

10、被DDR SDRAM迅速取代。除去价格因素，过高延迟导致的非连续性数据读写效能的低下，是Rambus落败的主要原因。从随机存储器原理来说，每个数据的保存是利用晶体管的电容效应来发生作用，而电容本身有充放电的时间，这就不可避免的出现时钟延迟现象。权威检测软件CPU-Z中对Timings的诠释目前看来，内存的参数主要分为：Timings（基参、主参）与SubTimings（微参、小参）。而CPU-Z中可以体现的主要有：Frequency（频率）；FSB：DRAM/CPU：DRAM（分频比值）视Chipset而定；Timings：一、CAS#Latency；这是最重要的内存参数之一，通常说明内存参数

11、时把它放到第一位，例如4-3-2-5500MHz ，表示CL为4。一般设置3可以达到更好的性能，但5或以上能提供更佳的稳定性。CAS表示列地址寻址（Column address Strobe or Column address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row address

12、 Strobe）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从 CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。二、RAS# to CAS# Delay；这个是说明内存参数时排到第二位的数值，例如4-3-2-5500MHz，表示tRCD为3。 该参数可以控制内存行地址选通脉冲（RAS，

13、Row address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3或4甚至5、6。同样的，调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上且达到更佳的性能，在内存不稳定时可以尝试提高tRCD 。内存品质的体现延迟（二）三、RAS# Precharge；这个是说明内存参数时排到第三位的数值，例如4-3-2-5500MHz，表示tR为2。 tRP用来设定在另一行能被激活之前RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导

14、致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4甚至5、6。四、Cycle Time（Tras）；这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS过长，会严重影响性能。减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。最佳设置通常是越低越好。通常，tRAS应该设为tCL+tRCD+2个时钟周期。例如如果 tCL和tRCD分别为4和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为9。但如果产生内存错误或系统不稳定，就必须提高tRAS值了。五、Command Rate；这是内存中最重要的参数，但很多时候它并不在内存时序中存在，更多是把它放在频率后面。Intel Chipset主板BIOS中一般默认2T，不会提供Command Rate选项说明：选择2T是在混插不同品牌及型号的内存时增加兼容性的一个好办法。不少主板为保证更好的兼容性将其默认设为2T，您可以根据自己手中内存的体制来试着让它尽量工作在1T下。（Intel平台部分主板无法设置1/2T Command