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文档简介

1、65nm 工艺小结工作温度： -40C to 125C表（ 1）CSMC180nm 工艺nameLminWmintoxCoxVth 0u0K 3.3VNMOSmn330.35u0.22u6.57nm5.26fF/um 20.70V0.0336206179uA/ V 23.3PNMOSmp330.3u0.22u6.57nm5.26fF/um 2-0.65V0.0092549uA/ V 2表（ 2）SMIC130nm 工艺nameLminWmintoxCoxVth 0u0K 3.3VNMOSmn330.35u0.15u7nm4.93fF/um 20.596V0.0371827183uA / V 2

2、3.3VPMOSmp330.30u0.15u6.9nm5fF/um 2-0.66V0.010955uA / V 2表（ 3）SMIC65nm 工艺nameLminWmintoxCoxVth 0u0K 2.5VNMOSn25110.28u0.3u5.62nm6.14fF/um 20.584V0.033037203uA/ V 22.5VPMOSP25110.28u0.3u5.78nm5.97fF/um 2-0.601V0.01101366uA/ V 2上海 350nm 工艺name LminWmintoxCoxVth 0u0K 0.701623.3VNMOSmn3312.8nm2.69fF/um 20.0404257109uA /VV2.785fF/um2-0.950861uA / V 23.3VPMOSmp3312.4nm0.02195VNMOS 管值的测量：经计算n0.072PMOS 管值的测量：经计算p0.031NMOS 管电容+cgso= 1.2e-010+dcgso_n25llcgdo= 1.2e-010+dcgdo_n25ll(覆盖电容F/

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