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文档简介

1、互感器介损测试方法总结、规程规定测量绕组的绝缘电阻,应符合以下规定:3测量电容式电流互感器的末屏及电压互感器接地端N对外壳地 的绝缘电阻,绝缘电阻值不宜小于1000 M Q。假设末屏对地绝缘电阻小于 1000 M Q时,应测量其tanS ;电压等级35kV及以上互感器的介质损耗角正切值 tanS测量应符合如下规定:1互感器的绕组tanS测量电压应在10kV测量,tanS不应大于表中数据。当对绝缘有疑心时,可 采用高压法进行试验,在0.51 Um.、3范围内进行,tanS变化量不应大于 0.2%,电容变化量不应大于 0.5%;2末屏tanS测量电压为2kV。注:本条主要适用于油浸式互感器。SF6

2、气体绝缘和环氧树脂绝缘结构互感器不适用,注硅脂等干式互感 器可以参照执行。表 9.0.3 tanS 限值压f种类2035kV66110kV220kV330500kV油浸式电流互感器0.5充硅脂及其它干式电流互感器油浸式电压互感器绕组32.5串级式电压互感器支架6油浸式电流互感器末屏2注:电压互感器整体及支架介损受环境条件特别是相对湿度影响较大,测量时要加以考虑。二、介损原理IcIr1、并联等值电路图RrxXTUrCsUc(I)在交流电U的作用下介质中的电流为U与I之间的夹角为札即功率因数角;其余角为S,即介质损耗角根据图a可得:tan 8=IrIc wCpR

3、那么介质损耗为:P=UIR=UIctan28 U *w*Cp*tan2、串联等值电路图c、dtan8=UR1Uc = i/wCs =w*Cs*r2wCstan8P_.2* =P=i r= 1+tan 28 1由于tan2 8<<1,所以CsCp=C,R>>r,因此以上两种电路可以以一个共同的表达式表示:2P= U wCtan 8由此可见,介损与tan滅正比,即可用tan 8表示介损的大小。同类试品绝缘的优劣,可直接由tan 8的大小来判断。3、综合电路Cltanl C2tan32+.+Cntan3n多个并联等值电路并联:tan 8=C1 C2 . Cntan 81 ta

4、n 8 2 C1C2.多个串联等值电路串联:tan 8=11C1 C2 .C1tan8 2(1+tan8 1)+C2ta n8 1(1+tan28 2)两个并联等值电路串联:tan 8=c11+tan28 1) C2(1+tan28 2)由以上分析还可得出,tan附集中性缺陷是不能灵敏反响的,因此对能分解测量的尽量扥接测量,比方变压器的套管等三、电容、介损的测量3.1电容式电压互感器仪器:AI 6000精密测试仪1H匚0 诚ftlHOtiimjttaniIHECVTAI-6O0O QmH优MK J1*ix1 V 血 1A < * *WM|l 1二"r c -p 一 mfrXl

5、腔牌畑fCi r 轉帕翳1a InL I-申压电家L 一r *P N -titSMfA 紐请子da dn一 D -B i正接法:测量整节电容 Cx试品一端对地有可靠绝缘时用此方法步骤:a、准备工作包括收集厂家数据,抄写名牌包括电容量;b、翻开PT本体端子箱盖,短接所有二次绕组并接地;c、翻开Xl与N之间的连片,使Xl悬空,见示意图;d、翻开XL与E之间的连片;e、 将仪器的“高压测量端通过专用线屏蔽线与PT高压端相连,Cx与N相连,见示意图f、用10KV电压测量,结果即是总的电容和介损。L<一WVW: V屏蔽线2 T正接法测量PT整节电容和介损反接法:同样测量Cx试品有一端固定接地时用此

6、方法步骤:a、连片都连好,注意保护间隙不要接触;b、N与E仪器接外壳地线;c、高压测量端接芯线PT 一次,装置可靠接地;d、用10KV电压测量,结果同正接法一样是整节电容和介损芯线高压测量试品输入Cx标准电容输入低压输出测量接地自激法测量测量 C1和C2及tanS 1和tanS 2 方法1:PV1屏蔽线+芯线T1步骤:a、b、c、T2CnC1C2自激法测量C1和C2adn芯线NEn a低压输出 测量接地da dnazdaa Naz试品输入Cx标准电容输入高压测量7*N和E之间的连片断开,其他连片连好;E接地,N和Cx连接,髙压测量接PT高压端;用2KV电压测量。方法2:如果用方法1测量时总出现

7、电容值有一个不准确的情况,可以把接于本体端子箱N的线和接于高压端的线交换下,再进行测量。注:此法也是用于正接法注意:二次回路检查时严禁出现以下情况:E 电磁单元的一次接地端,N 电容分压器低压端a、E开路或者接地不良;b、当不使用载波设备时,N和E开路;c、阻尼接入端2a-2az,3a-3az,da-daZ开路或者接触不良。3.2 CT介损的测量首先:断开地刀、隔刀、开关工程包括:按以下顺序可减少拆线次数序号工程方法测试电压备注1一次末屏正接法10KV末屏与地断开2末屏地反接法2KV末屏与地断开3一次地反接法10KV末屏接地步骤:正接法测量一次对末屏介损a、拆下本体端子箱末屏引出线CT和地线的连接线;b、测试仪的:咼压测量-一次,Cx-CT末屏见以下列图:O二次屏蔽筒高压屏蔽罩屏蔽线高强瓷套管高压测末屏引出端子线-H-心WWW!次导体试品输入Cx标准电容输入4低压输出测量接地里CT本体出线I 1I1D A A CCb cp qp q岀线至控制室钢管支撑并做二次引线管322步骤:反接法测量末屏对地介损a、末屏引线CT保持与地断开;b、高压测量接末屏CT引线,见以下列图:试品输入Cx标准电容输入卑0低压输出测量接地次导体二次屏蔽筒高压屏蔽

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