电工电子技术自测题

1、电工电子技术自测题（模拟电子技术部分）2.0 分)、单项选择题（选择正确的答案，将相应的字母填入题内的括号中。每题1、半导体材料有（）种。A 、1 B 、2 C 、32、半导体导电能力（）导体。A、大于 B、小于 C、等于3、 N型半导体中，多数载流子是（）。A、空穴B、自由电子 C、原子核4、 P型半导体中，多数载流子是（）。A、空穴B、自由电子 C、原子核5、 PN结具有（）导电性。A、双向B、单向 C、不导电6、 二极管有（）PN结。A、1 B 、2 C 、37、 三极管有（）PN结。A、1 B 、2 C 、38、三极管具有（）放大作用。A、电压 B、电流 C、功率9、三极管电流之间的关

2、系是（）。A 、 c=IeIb； b 、 e=IcIb； c 、 11e 1c10、三极管放大的条件是（）。C无所谓。A 、发射极正偏、集电极反偏；B发射极反偏、集电极正偏11、 在饱和区三极管（）电流放大作用。A 、有 B 、无C 、不一定有12、 在截止区三极管（）电流放大作用。A 、有 B 、无C 、不一定有13、放大电路的静态是指（A、有 B、无）信号时的状态。14、放大电路的动态是指（A、有 B、无）信号时的状态。)mA。15、一只三极管的3 = 50,当订=10从时，集电极电流是（A 、0. 51 mA B 、0.5 mA c、1mA)mA °16、一只三极管的3 = 5

3、0,当Ib = . A 、放大 B 、饱和 C 、 截止 :、判断题（将判断结果填入括号中。正确的填，错误的填“X ）1、半导体材料的导电能力比导体强。3时，发射极电流是（A、0. 51 mA b、0.5 mA c、1 mA17、 分压偏置电路的特点是：静态工作点（）。A、稳定 B、不稳定 C、很不稳定18、接负载后，放大电路的放大倍数要（）A、减小B、增大C、不变19、分压偏置电路调静态工作点时，主要应调节（）偏置电阻。A、上 B 、下)V°20、 已知放大电路的电压放大倍数为100，当输入10mV时，输出是A、1 B 、2 C、321、负反馈（）改变放大电路的性能。A 、能B、不

4、能C、可能22、射极跟随器（）电流放大作用。A、有B、没有 C、 可能有23、射极跟随器的特点是（A、输入电阻小、输出电阻大;）°B、输入电阻大、输出电阻小； C一样大24、如下图所示三极管的工作状态为（）°3A 、放大 B 、饱和 C 、 截止25、如下图所示三极管的工作状态为（）°( ) 2、半导体材料具有光敏性和热敏性，是由于它是三价元素。( )3、P 型半导体材料又称为空穴型半导体，其多数载流子为正电荷。()4、PN结具有单向导电性。() 5 、二极管只要承受正向阳极电压时就会导通。() 6、二极管具有稳压、开关、箝位、整流、检波等作用。() 7 、三极管

5、有电流放大作用也有电压放大作用。() 8、放大电路必须设置合适的静态工作点，才能正常放大。( ) 9、 Q 点设置过高，容易出现截止失真。() 10、三极管工作在饱和区时，由于集电极电流较大所以也有放大作用。()11、硅管是指NPN型，锗管是指 PNP型。() 12、三极管使用时，集电极和发射极可以混用。() 13、分压偏置放大电路的静态工作点受温度的影响很小。() 14、调节偏置电阻可以改变基极电流，达到调节工作点的目的。()15、放大电路的电压放大倍数，只由三极管的B值来决定。()16、一个优质放大器应是放大倍数大，输入电阻大。输出电阻小。() 17、放大电路的输出电阻应包括负载电阻。()

6、 18、电压负反馈能稳定输出电压，电流负反馈能稳定输出电流。()19、串联负反馈能增大输出电阻，并联负反馈能减小输出电阻。()20、电压负反馈能减小输出电阻，电流负反馈能增大输出电阻。() 21 、两级放大电路，总电压放大倍数应等于两单级电压放大倍数的乘积。()22、多级放大电路，总输入电阻应等于第一级的输入电阻，总输出电阻应等于最后一级的输出电阻。()23、射极跟随器实质是共集电极放大电路。() 24、射极跟随器的输出电阻大，输入电阻小。()25、集成运放电路是一个集成的多级放大电路。()26、集成运放电路级间耦合采用阻容耦合方式。()27、零漂信号是一种缓变的干扰信号，主要是温度的影响。(

7、)28、差动式放大电路抑制零漂作用强，放大作用也强。()29、共集电极电路有电压放大作用，也有电流放大作用。()30、稳压电源是一种能将交流电转换成稳定直流电的电路。()31、在稳压电路中，二极管起滤波作用，电容起整流作用。()32、稳压管使用时一定要正向连接，才能起到稳压作用第九章习题9-1二极管电路如图9-29所示,判断图中的二极管的导通还是截止,确定A、O两点间的电压值。图中二极管为硅管。6VU06V+10OO(a)12V(b)9-2在图9-30所示的电路中，Uj =10sin cot，E =5V。画出输出电压 u0的波形。(a)(b)图9-30题9-2图9- 3在图9-31中，说明电路

8、的限幅作用。1K+12VDaR3.9Kczi$4-1KDB9K图9-31题9-3图DBr，图9-32题9-4图图9-33题9-5图9- 4在图9-32中，在下列情况下，求输出端F的电位Uf及各元件R、DA、Db中通过的电 流。（1） VA =VB =0V （ 2） VA =3V,VB =0V （ 3） VA =VB =3V，二极管的正向压降 可略去不计。9- 5电路如图9-33中，在下列情况下，求输出端F的电位UF及各元件R、Da DB中通过 的电流。（1）VA=10V ,VB=0V（ 2）VA=6V ,VB =5.8V（ 3）VA 二 VB=5V，二极管的正向压降可略去不计。9-6电路如图9

9、-34中，两个稳压管的U Z - 8.2V，求各电路的输出电压U0是多少?9- 7有一个三极管接在电路中正常工作，现测得三个电极对地的电位分别为：-9V、-6V、-6.2V，确定这个管子是硅管还是锗管，是NPN还是PNP型，各数值分别对应哪个电极？9-8有两个三极管，一个管子p =50,Icbo=2uA；另一管子P =80,Icbo =15讥。如果其它的参数基本相同，选用哪个管子较好？为什么？9-9已知三极管的2 =85,ICbo =2吩，当Ib =12 4时，求Ic为多少？习题答案9-1( a)Uo 5.4V (b)U o : 0.6V (c)U o 11.4V (d) Uo :-0.7V9

10、-3 U im:0.7V9-4 (1)Uf "Ir二 3.08mA1da = 1 db - 1.54mA(2)Uf "Ir=1 db - 3.08mA Ida - 0Uf -3VIr:2.3mAIda = Idb : 1.15mA9-5 (1)Uf -9V1 R = 1 DA - 1mA1 DB - 0(2)Uf = 5.59V1 r 二 0.62mA1 da 二 0.41mA1 db=0.21mAUf = 4.74V1 R 二 0.53mAIda = Idb = 0.26mA9-6(a)8.8V(b)16.4V(c)0.7V(d)8.2V9-91C -1.19mA第十章习

11、题10- 1有一单相桥式整流电路，如图 10-4所示，变压器的副边电压 U2=75V，负载 电阻Rl=100Q,设二极管是理想的，求电路的输出电压 Uo、负载电流I。、各二极管所承 受的反向电压值？10- 2有一额定电压为 110V，电阻为5 1的直流负载，现采用单相桥式整流电源供 电，计算：(1) 变压器副边绕组的电压和电流有效值；(2) 每个二极管流过的电流平均值和承受的最大反向电压，确定选择二极管的条 件。10- 3有一多输出的整流电路如图10-16所示，参数如图标。试求出：(1) 标出输出电压的极性，并求出其大小；(2) 流过每个二极管的电流的平均值及承受的最高反向电压。Di>1

12、10K90VD2-4-10VR.110V 'N-100U01U02图10-16 题10-3图U2 =20V , C =1000 口 F。用万用表测负载两端电压时, 的原因。出现下列情况，请依据这些现象说明电路是否正常,指出不正常(1) U0 =28V(2)U0 =18V(3) U。=24V(4)U。=9V10-5图10-17为一个稳压管稳压电路, 件填上所缺的线条和元件符号。部分线条和元件符号缺画， 请依据图中所给的条R10- 4在图10-8所示的单相桥式整流电容滤波电路中,习题答案10-1 U0=67.5V l0 =675mA Ud rm = 106V10-2 U2 =122VI2

13、=2. 22A Udr 沪 173VID = 1 0 0 0mA10-3（1）U01 = 40.5V（2）ID1 = 4.05mAU d1rm - 127VU02 =9VId2=I d 亍 45mAUd 2 r U d 3 rM2 8. 3 V第一章习题11- 1电路如图11-43所示，说明它们能否完好的放大交流信号?(a)+UCc|+UCc&FbG-4(C)图 11-43o+UCcFCFB丄C2(d)题11-1图11-2 在图 11-44 中，UCC = 12V， FC = 2.7K， RB = 500K , ： = 50，求电路的静 态工作点各值？11-3 在图 11-44 中，如

14、果 Ucc =12V，RC =5K，飞=60，现在调整 lC =1mA，问 这时的Rb应取多大？ Uce又为多少？11- 4在放大电路11-44中的三极管的输出特性曲线如图 11-45所示，UCC =12V，R b = 200K， Rc - 5K，用图解法确定静态工作点。11- 5基本放大电路如图11-44中的三极管的输出特性曲线如图11-46所示。设（1）按题中所给定的参数；（2）RC由2K增大到4K；（3）Rb 由 200K 变为 150K；（4）UCC 由 12V 变为 16V。11-6放大电路如图11-44所示，U CC =12V, R b = 200K , RC = 2K，在下列情况

15、下，确定静态工作点的位置。UCC =12V , RC =5K , Rb =300K ,=40 ,求：（1）画出放大电路的微变等效电路；（2）放大电路空载时的电压放大倍数;（3）接负载电阻Rl =2K后的电压放大倍数。11- 7分压式偏置放大电路如图11-20所示。已知Ucc =12V， Rb22K，Rb = 4.7K， RC = 2.5K， RE = 1K， - = 50， rbe = 1.3K，求:（1）放大电路的静态工作点；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）空载电压放大倍数；（4）输入电阻和输出电阻。11-8有一射极输出器如图 11-35（a）所示。已知：=50，rbe = 0.45

16、K】，求:（1）静态工作点；（2）输入电阻；（3）电压放大倍数。习题答案11-2Ib 二24AIC -1.2mA Uce =8.8V11-3Rb 二720K' 1U ce = 7V11-6（2）A - -210（3）代 - -6011-7（1）Ib =27AlC=1.35mA UCE =7.3V(2)A, = 6A5811-8 (1)IB =1703IC =8. 5mA UCE =13V(2)ri - 19k1.1A 0.98第十二章习题12-1 在图 12-10 的 NMOS 自偏压放大电路，设 UD = 18V , RD=10K , Rg=2K , Rs =4M , Rl =10K

17、 ,管子的l°ss=5mA , Up=-4V ,求电压放大倍数 A、跨导gm、 输入电阻斤、输出电阻r°各是多少。12-2在图12-13中，已知 N沟道耗尽型 MOS管：I DSS = 1mA，Up = -3V , U DD = 24V , Rq = 200kQ , Rq2 二 64kQ , RD = 10kQ , RS = 10kQ，所有电容对交 流信号的压降可以忽略。求静态工作点 ？IRs1H TI SFD+ UDD C2图12-13 题12-2图习题答案12-2UG -5.8VlD =0. 58mA UDS=12. 4V第十三章习题13-1为了获得比较高的电压放大倍数

18、，而又避免采用高值电阻Rf，将反相输入比例运放电路改为图13-30所示形式。设RF八R，推导：输出与输入电压的关系。图13-30 题13-1图i fR=1 1R 25k125k丄一图13-31 题13-2图13-2在图13-31中，输入电压q = 1V，运放电路开环土 R电压放大倍数 人=105， 求输出电压Uo及运放的输入电压 U12各为多少？13-3求出图13-32中输出电压Uo及输入电压*与的关系。13-4图13-33所示电路中求u0是多少?图13-33 题13-4图U013-5图13-34是理想运放的同相加法运算电路，要用它实现的 5二5, 2运算，根据直流电流 的平衡关系，确定 R、R2