SPICE的器件模型教材

1、SPICE的器件模型在介绍SPICE基础知识时介绍了最复杂和重要的电路描述语句， 其中就包括元器 件描述语句。许多元器件（如二极管、晶体管等）的描述语句中都有模型关键字， 而电阻、电容、电源等的描述语句中也有模型名可选项，这些都要求后面配 以.MODE起始的模型描述语句，对这些特殊器件的参数做详细描述。电阻、电 容、电源等的模型描述语句语句比较简单， 也比较容易理解，在SPICE基础中已 介绍，就不再重复了；二极管、双极型晶体管的模型虽也做了些介绍，但不够详 细，是本文介绍的重点，以便可以自己制作器件模型；场效应管、数字器件的模 型过于复杂，太专业，一般用户自己难以制作模型，只做简单介绍。元器

2、件的模型非常重要，是影响分析精度的重要因素之一。但模型中涉及太多图 表，特别是很多数学公式，都是在WORK编辑后再转为JEPG图像文件的，很繁 琐和耗时，所以只能介绍重点。一、二极管模型：1.1 理想二极管的I-V特性：+ vd -qVdId = 1式e甘-1）其中：热电压=25 86xl0r绝对温度 T=300K度向饱和电流其中：同为二极管的截面积 0卸为电子扩散系数 上不为空穴平均扩散长度%为本征我流子法度 门户为空穴扩散系数 工种为自由电子扩散长度峪尸为自由电子速度N区的热平衡值N/Ppq为空穴怖度P区的热平衡值1.2 实际硅二极管的I-V特性曲线：折线监毓疗生、M楸牌魂呕德蟋区(4S)

3、c区大螭注入良o串犍瞰题越反牖翰区(舒击灵冬 和效直等因翎粘FE最区丹阳直流电流血二(e7F-l)Id = f(Vd) =KJ。6叫-1) + 13gmin 一1S +a gmin一空刖 BVi人e / t+万-)%-5小吟旧WO-BV Vd -5题4Vd-BVVd 5匕口 q4 = q / + UQ1 3，E =，5 e ”PA反向区: -5kT/q / / gark = h7 g的Is - Zp -e kT W I截止区,二三一秣7/寸匕Iq + J 8E 一A T T PPR ls = ls PfPr Jr %-5kTtq+ 破一 1+门EC g的Pr)I Pr)，_上+13+ LJ鱼！

4、得Q4展-父77弓1*CX/-J 1- f-l + VBE - 1 + VBC g.Rs)_ |_ 委e-I yy产盯 _ + LL. Lie认J 5a/皿,C -5kTf q3C ,1 q/C1市+十。h-1 +展-1 +?|噎wj Pr Iyj L、外)T +X d + ii+4 etc工-2iq1 )l + 丁EC 及 minI P爱J+建+1.Pf 卜或-2.1.4 Early 效应：基区宽度调制效应Ic A吃f为正向电压Early效应修改电流方程：嘘运-5kT.L q炉的 -5kTl q+ 1-TF _)2.1.5带Rc、Re Rb的传输静态模型:_cRd Ez夸Rc Rb Re的传

5、输静态模型正向参数和反向参数是相对的，基极接法不变，而发射极和集电极互换所对应的 两种状态，分别称为正向状态和反向状态，与此对应的参数就分别定义为正向参 数和反向参数。2.2Ebers-Moll大信号模型:工涉及的莓麴，CjjC7jr C飞%周营掰c憎W % Q FCCURYlT大信号模型-；lQbs avZ mt田8 drZ nH EgV 1为 72.3蜡+ gc（0）1-trBC必吗十。子（。）穴d %产 产2L心 0) 1-V* BCmcGummel-Pool静态模型:ES -5k*77守嗫:.J -5以史774Qd代哀基区有M脑变数载痴子2.4Gummel-Pool大信号模型：拓扑结构

6、与Ebers-Moll大信号模型相同,非线性存储元件电压控制电容的方程也相同，涉及的菱数二Xk % ?邛 / X强 相关说明见附后的参数表)基极集电极分配电容：集电结电容分为两部分Xac C尤为在内部基极节点与集电极之间的电容，(1- xc)cJC为在外部基极节点与集电极之间的电容片W在01间变ft，Cjc为基极-集电极间总电容，是高频时的重要参数f y 口ZC (0)(1-_VCJC) 1-c. =rc J【。小o)Q-*%+阳.% 此外F) 册)理想最大渡越时间丁尸=一2对了在1c低电流期Vee高电压时4y = 12.5BJT晶体管模型总参数表:代号名称默认值典型值单位IsIS饱和电瓶10

7、4ABF理想最大正向电福改大系数100100力BR皮向最大电流放大系数10.1抬尸NF正向南端发射系数11甩了NR反向电流发射系数1C2ISE (C2)基极，发射极漏饱和电流01000AC4ISC(C4)基极-集电极漏饱和电流01AA IKF(IK)正向膝点电流OS0.01A/依IKR脱向藤点电流co0.1AnllNE基极-发射极漏发射系数152内OCNC基极-集电极漏发射系数22力VAF(VA)正向EARLY电压CO100V%VAR (VB)反向EJMIY电压DO100V飞RC集电极电阻010QRE发射极电阻01GRB雾偏基极电阴0100QRBM大电流时是小基极电阴RB100Q建IRB基极电

8、阻下降为1总时的电流gATyTF理想正向渡越时间0O.ln3TTR理想反向渡越时间0lOns占FXTFTF随偏置变化系数07VTFTF陵偏置Vbc变化的电压参数8V/ITF影响TF的大电流参数0A*PTF在1/C2PITF）比时的超前相移0n/(5RadCjgCJE零偏B-E结耗军电容02PF%VJEB-E结内建电势0.750.7V公MJE (ME)E-E结梯度因子0 330.33QjcCJC零偏集电极PN结耗尽电容0lpF%VJC (PQB-C结内建电势0.750.5V叫MJC(MQE-C结梯度因子0.330.33%CJS (CCS)零偏集电极-衬底PH结电容02PF/VJS (PS)衬底结

9、内建电势0.75V啊MJS (MS)衬底造，梯度因子0cscXCJCB-C结耗尽电容连到基板内节点的百分数iFcFC正偏耗尽电容系数0 5*XTBBR. RF的温度系数0XXT1 (PT)1S的温度效应指数3EgEG禁带宽度1 111.11w%KF你闪烁噪声系数Q%AF1用闪烁噪声指数11TT工作温度2727r金属氧化物半导体晶体管MOSFET型:2X饱和区IlLLi其他电子参数3.1 一级静态模型：Shichman-Hodges模型但 2 L-2X门 、其中=衬底结的模型方程与二极管相似：3.2 二级静态模型（大信号模型）：Meyer模型相关说明见附后的参数表3C 涉画承&: 5 CjW M

10、j Mjsw Fc3.2.1 电荷存储效应:积累区2%）C（?d =心附郎挑:（曝- 2海） /淳 嗫*C 能-Cqx展一展一曦2（%-LAG.饱：吃莫 /写 （匕+%）C0 UaJ出“。跖3.2.2PN结电容:展入时:1-生3.3 三级静态模型:线性区电流Acs = # % -外方一 上3限嚷式中为=,双+ F检I2，2J2内一展短沟道效应的影响苏宾/用+ 2次或加+声士 /2% - /号+苴ra（2%，州）8.15xl0-2i 经验公式b =歹一 仃地七雷沟道长度饱和区变化 %-1： =其中：尸=3.4 MOSFET型参数表：一级模型理论上复杂，有效参数少，用于精度不高场合，迅速粗略估计电

11、路二级模型可使用复杂程度不同的模型，计算较多，常常不能收敛三级模型精度与二级模型相同，计算时间和重复次数少，某些参数计算比较复杂四级模型BSIM适用于短沟道（3um）的分析，Berkley在1987年提出褓代号级名称默式值典11值单位LL沟道长度DEFLmWW沟道宽度DEFWm%VTO1-3零偏阈值电压11VKpKP1-3蹄导系数20u30uA/72YGAMMA1-3体效应系数00.35/】，22%PHI1-3表面电势0.60.65VaLAMBDA12沟道长度调制系数00.02/TtoxTOX1-3氧化层厚度O.luO.lumNbNSUB1-3衬底捧杂浓度01x10+15-3 cmNs$NSS

12、23表面态密度0lxl0+1cm2MsNFS23快表面态密度01x10+1。砌2NeffNEFF2总沟道电荷系数15为XJ23（金属的）结深0lum为1LD1-3描向扩散长度（懑和漏）00.8umTPG23栅材料类型+1 0 -111AoUO1-3载流子表面迁移率600700cm1 IV sAcUCRJT2迁移率下降时临界电场1000010000V/cmUEXP2迁移率下降时临界电场指数00.1AUTRA2迁移率下降时临界电场系数00.5ViraxVMAX23我流子最大漂移速度050000mXrcXQC23沟道电荷对漏极的分配系数00.46DELTA3阈值电压的沟道宽度效应系数01nETA3静

13、态反馈系数（阈值电压）01eTHETA1-3迁移率调制系数00.054AF1-3Uf闪烁煤声指数11.2与KF1.3Uf闪烁噪声系数01X10-26IsIS1-3衬底PN结饱和电流10fIfAJsJS1-3衬底PN结饱和电流密度0lOnA%PB1-3衬底PN结内建电势0.80.75VCjCJ1-3衬底PN结零偏置单位面积电容020mF/w2MjMJ1-3衬底PN结电容梯度因子0.50.5CjswCJSW1-3零偏衬底电容/单位周边长度0InF/mMjswMJSW1-3衬底周边电容梯度因子0.330.33FcFC1-3正偏耗尽电容系数0.50.5CgboCGBO1-3G-B间覆盖电容，单位沟道宽

14、度0200pF/m曝-V00，物一片W-噎 _/汉 /D 吟0展-。丸。 %s - % ，砧0 /麻 % 一 %”四、结型场效应晶体管 JFET模型：基于Shichman-Hodges模型4.1 N沟道JFET静态模型：正向0% 二，成展-7）0+ 4喂）、%找匕第一9口）-入（1 + a喂）反向 o力二尸。附一片）共1十金嚷）似曝1y 7）十展（IT展）4.2 JFET大信号模型:其中牝产1- zraF*Q- Fc 产F3= 1- Fc（l + 幽）展Fc 我 犷却二他四，电）员我%口之Fs网4.3 JFET模型参数表:代号名称默认伯胭值单僮噎VTO阈值电压彳夹斯电压）2.0-2VBETA缪

15、导素数100u,1m月小4LAMBDA沟道长度调制系数0ioouRdRD漏极串联电阴0100GRsRS源极串联电阻01000步PB糊PN结内建电势1.00 6VIsIS翱PN结帼和电流10f,lOfAmM糊FN结梯度因子0.5nN版PN结发射系数1“flCGD零偏GD间PN结电容0印FCGS零偏G-S间PN结电容0IpFFcFC正偏耗尽层电容系数0.5IT rorcVTOTCVTO温度系数0v/ic川BBETATCEBETA温度系数Q1/1 ootKfKF1用胃蛛啖声系数Q%AFIff闪烁噪声指数0五、GaAs MESFET型：分两级模型（肖特基结作栅极）SGaAs MESFET型参数表:代号

16、名株或“值奥型值单位VTO阈值电压C夹断电JE ).2530VaALPHA饱和电压参数ZQL50T.产BETA蹬导系数0.1lOuA/7qLAMBDA沟道长度调制系数0lOOpRgRG腿机串联电阻0I0RdRD漏极串联电阻010RsRS源极串联电阻010IsIS跚PI4结饱和电流10fAmM册FM结梯度因子0.5nN胡PN结发射系数1c的CGD零偏GH间PN结电容0IpFCGS零偏G6间PN钻电容Fo件F瞑VBIWIPN结内建电势1 00 5Vc DSCDSdS间电容00.3pFrTAU导电电流延迟时间0lOpsFcFC正偏耗尽电容系数0.5分近VTOTCVTO温度系数QvrcBobBETAT

17、CEBETA温度釐0i/ioorKfKF1身闪烁嗔声系数po4AF1亚闪烁噪声指数1六、数字器件模型：6.1 标准门的模型语句：.MODEL UGATE模型参数标准门的延迟参数:翔名称熟认值单位TPLHMN保电平上升高电平,最小附间延迟0STPLHTY低电平上升高电平标度时间延迟0STPLHMX低电平上升高电平，量大时间延超0STPHLM4高电平下降低电平，最小时间延迟0STPHITY高电平下降低电平，标睢时间延迟0STPHLMX高电平下降低电平最大时间延迟03MHTYMXDLY延迟类型：。薪区值1星小值2典型值3最大值06.2 三态门的模型语句：.MODEL UTGATE膜型参数三态门的延迟

18、参数：翔名彝裁认值单位TPLHMN低电平上升高电平最小时间延迟0STPLHTY低电平上升高电平标睢附间延迟0STPLHMX保电平上升高电平.最大时间随退0STPHLMN高电平下降低电平，最小时间延迟0STPHLTY高电平下降低电平，标睢时间延迟0STPHLMX高电平下降低电平.是大时同延迟0STPLZMN他电平上升到高阻上曷小时1旬延迟0STPLZTY他电平上升到Z （高阻，标桂时间延迟0STPLZMX他电平上升到Z （高阻、最大时间延迟0STPHZMN高电平下降到Z （高阻），最小时间延迟0STPHZTY高电平下降到Ef高阻），标准时间延迟0STPHZMX高电平下降到苫（高阻最大时间延迟0S

19、TPZLMNZ t高阻）下降到他电平，最小时间延迟0STPZiTYE（高阻）下降到低电平，标造时间延迟0STPZLMXZ（高阻）下降到低电平，最大时间延迟0STPZHMN1（高阴）上升到高电平，最小时间延迟0STPZHTY1高阻）上升到高电平，标准时间延迟0STPZHMXZ（高阻）上升到高电平，最大时间延迟0SMWTYMXDLY延迟类型：0默认值1是小值2典型值3是大值06.3 边沿触发器的模型语句：.MODEL UEFF 模型参数边沿触发器参数：JKFF nff preb,clrb,clkb,j*,k*,g*,gb*JK 触发器，后沿触发DFF nff preb,clrb,clk,d*,g*

20、,gb*D触发器，前沿触发边沿触发器时间参数:TPPCQLHMN最小延迟：p洲3肥lib触发q/qb低变高0STFPCQLHTY典型延迟：preb/cbb触发q/qjb低变高QSTPPOQLHMX最大延迟：prebfclifa触发q/qb低变图0STFFCQHLMN最少延迟：pr&b由此触发q/qb高变低_0_3TPPOQHITY典型延迟：prebfclito触发q/qb高变低0STFPOQHLMX最内延迟 pr&bc此触度q/qb高变低Q5TWPCLMN最小延迟最小ptieb/clib低电平脉冲宽度QSTWPCUTY典型延迟：最小F啾曲低电平脉冲宽度QSTWPCLMX最大延迟：最小preb/

21、clib低电平脉冲宽度0STFCLKQLHMN最小延迟：cMlkb触发q厘)低变高QSTPCLKQLHTY典型延迟 clk/clkb触发q侬/娥高0STPCLKQLHMX最大延迟：cDJclkb触发W争低变高DSTPCLKQHLMN最小延迟i clk/clkb触发q冷高变怅0STFCLKQHLTY典型延迟：clWclkb触陵q她高度低0STPCLKQHLMX最大延迟：clk/clkb触发q峰品幽氐0STWCLKLMN最小延迟：最小疝曲吐低电平脉冲宽度QSTWCLKETY典型延迟：最小(:皿Ihb保电平称冲宽度QSTWCLKLMX最大延迟：最小clk/c吐低电平脉冲宽度0STWCLKHMN最小延

22、迟：最小clk/clKb高电平脉冲宽度QSTWCLKHTY典型延迟：最小疝小肋高电平脉冲宽度aSTWCLKHMX最大延迟：最小clk/clhb高电平脉冲宽度QSTSUDCLKMN建立：j/k/dto clk/clldb边沿 , 最小值0STSUDCLKTY建立：j/k/dt。clk/cltb边沿，典型值QSTSUDCLKMX建立：j/kMto clk/clldb边沿 , 最大值0STSUPCCLKHMN建立：p隹b/tlib hi to clk/cLKb边沿，量小值QSTSUFCCLKHTY建立：prebfclih hi to clk/cDda边沿典型值0STSUPCCLKHMX建立:preb

23、fclxb hi to ell比Ikb边沿，最大值QSTHDCLKMN保持：j/k/dafkrcllJclkb边沿，量小值0STHDCUCTY保持：jMdkrclhtlkb边沿，典型值QSTHDCLKMX保持：j/k/daftercMclkb边沿，最大值0SMNTYMXDLY延迟类型：。默次值1最小值2典型值3最大值Q6.4 钟控触发器的模型语句：.MODEL UGFF膜型参数钟控触发器参数：SRFF nff preb,clrb,gate,s*,r*,q*,qb*SR 触发器，时钟高电平触发D触发器，时钟DLTCH nff preb,clrb,gate,d*,g*,gb* 高电平触发钟控触发器

24、时间参数:TPPCQLHMN最小延迟：FrebJchfa触发qJqb低变高0STPPCQLHTY典型延迟:FitbJ汕触发q/qb低变高0STPPCQLHMX最大延迟：preb/chb触发qJqb低变高0STPPOQHLMN最小延迟：preb/cbb触发qqb高变低0STPPCQHLTY典型延迟：prebklA触发皿b高变低0STPPCQHLMX最大延迟：piebJclib触发:响b高变低03TWPCLMN最小延迟：最小pMJchb低电平脉冲宽度0S TWPCLTY典型延迟：最小F泅91击低电平脉冲宽度05TWPCLMX最大延迟：最小preb/chb低电平脉冲宽度0STPOQLHMN最小延迟：

25、gate触发q/qb低变高0STPGQLHTY典型延迟：侬赳触发q/qb很变高0STPGQLHMX最大延迟：gate触发q/qb低变高0S_TPGQHLMH最小延迟：尊赳触发q/qb高变低0STPGQHLTY典型延迟：gate触发q/qb高变低0STPGQHLMX)最大延迟：界赳触发q/qb高变低0STPDQLHMN最小延迟：岳城1触发q/qb低变高0STPDQLHTY典型延迟：s/r/d触发qfqb f陵高0STPDQLHMX最大延迟：sMd触发qfqh低变高g -_s_TPDQHLMH最小延迟：sfM触发q何b高变怅0_sTPDQHETY典型延迟：苗（1触发q/qb高变低IsTPDQHLM

26、X最大延迟：sfM触发qfqb高火低0sTWGHMN最小延迟：最小率te高电平脉冲窗度0sTWGHTY典型延迟：最小的忸高电平脉冲宽度0sTWGHMX最大延迟：曷小毕也高电平脉冲宽度0sTSUDGMN建立：sfrfd Io尊怕边沿，量小值0sTSUDGTY建立：sMd to穿也边沿，典型值0sTSUDGMX建立：s/r/d Io尊怕边沿，最大值0sTSUP8HMM建立-pneb/clib hi to gate边沿 最小值o sTSUPCGHTY建立二preb/clib hi to酬后边沿，典型值0sTSUPOGHMX建立.pneb/chb hi to gate边沿 最大值0sTHDCLKMN保

27、持：s/r/d after clk/clkb边沿最小值0sTHDCLKTY保持：sWd aft&r clk/clkb边沿典型值0sTHDCLKMX保持二sM after clk/clkb边沿最大值0sMNTYMXDiy延迟类型：口默认值1最小值2典型值3最大值06.5可编程逻辑阵列器件的语句:U (,) * # + FILE=+DATA=$ $MNTYMXDLY= +IOLEVEL=JEDEC格式文件的其中：列表PLAND马隆列PLANDC每个输入变量有同相端与反相端的与阵列PLOR.或降列PLORC每个输入变量有同相端与反相端的或阵列PLXOR异或阵列PLXORC每个输入变量有冏相箫与反相端

28、的异或阵列PLNAND与非阵列FLNANDC每个愉入变量有同相端与反相端的与三揖如PLNOR或非阵列PLNORC每个输入变量有同相端与反相端的或三弹列PLMXOR同或阵列PLNXORC每个输入变量有同相端与反相端的同或阵列名称，含有阵列特定的编程数据JEDECC件指定时,DATA句数据可忽略是下列字母之一：B二进制 O八进制 X十六进制程序数据是一个数据序列，初始都为0PLD时间模型参数：TFLHMN低电平上升前电平，量小时同砥迟03TPLHTY低电平上升官电平，标准时间延迟0STPLHMX曝电平上升商电平最大时阍延迟0STPHLMN高电平下降低电平,最小时间延迟0STPHETY育电平下弹低电

29、乎 标准时间延迟0STPHLMX高电平下降低电平，最大时间延迟0SOFFSETJEDEC文件的第一脸入端地址和第一门的程序0COMPOFFSETJEDEC文件的第一输入辰木踹地址和第一门的程序1IHSCALEJEDEC文件对每一个新输入端地批囊tt的计裁1/2况即函即反卡目OUTSCALEJWEC文件对每一个新输出端地址变化的计数Snpuis/2+(ffiinputs)td/同根反相MNTYMXDLY卷近遑指：0就认值1最小催2典型值3最大值0七、数字I/O接口子电路：数字电路与模拟电路连接的界面节点，SPICE自动插入此子电路子电路名(AtoDn和DtoAn)在I/O模型中定义，实现逻辑状

30、态与电压、阻抗之间的转换。7.1 N模型：数字输入N模型将逻辑状态（10 X Z）转换成相对应的o-高电平节点g接口节点低电平 节点电压、阻抗。% K比是随打阚变化的电阻，当数字信号的俄寄变化时，电阻懵基揩数费化， 电阻值的变化是由新状态的开关时间决定的,C皿0动是固定电容口通富低电平节点和高电平节点混接相反的电压选，电压值与最高和最低逻辑电平值相关口由五用 尺四和连接的两个电压源工可以产生最蠹和量3电平之间的任一电压和任一S抗的，附.数字模拟器的N模型语句：N +DGTLNET= IS=(initial state)数字文件的N模型语句：N .MODEL DINPUT (模型参数)+SIGN

31、AME= IS=(initial state)模型语句：模型参数表:翊1名秣默口值单位CDO电容连接到low level节点0FCHI电容连接到higli lev虱节点01F加 NAME状态0特性缩写S0TSW状态0开关时间SSORLO状态0电阻连接到low原用节点QS0RH1状态0电阻连接到high level节点QS1NAME状态1特性缩写S1TSW状志1开关时间SSIRLO状态1电阴湿接到low原电节点GS1RHI状布1电阴连接到high level节点0;S19NAME状态19特性缩写S19TSW状态19开关时间SS19RLO状态19电阻连接到low tevel节点口S19RHI状态1

32、9电阻连接到high 1m 1节点GFILE数字输入文件名FORMAT数字输入文件格式1TME5TEP数字输入文件步长InS接口 节点荽有年百压定出态电决输状7.2 O模型：将模拟电压转换为逻辑状态（10 X Z）,形成逻辑器件 的输入级。LOAD由模型参数决正口每当时间等于时间步长TIMESTEP的整数倍时. 器件节点的状态将被招入文件中.节点状态由接口节点和参考节点之间的电压值决定，将该电压值与当前电压序列进行比较，如果落在当前电压序列中，则新状态与原状态相同；如果不在当前电 压序列中，则从S0NAM吁始检查，第一个含有该电压值的电压序列可确定为新 状态。如果没有电压序列包含这个电压值，则

33、新状态为？（状态未知）。数字模拟器的。模型语句：O +DGTLNET= 数字文件的。模型语句:O +SIGNAME=模型语句：.MODEL DOUTPUT 模型参数)模型参数表：鳏名称默U值单位RLOAD电容il接到low kvel节点0QCLOAD电容连接到high Ml节点0FCHGONLZ。写每个时间步长i写新变化QS0NAME状态。特性能写SOVLO状态0 low level电压VS0VHI状态0 high level电压VS1NAME状态1特性缩写S1VLO状态1 low level电压VS1VHI状态1 high level电压V r.1 S b r r rS19NAME状态19特

34、性缩”S19VLC状态19 low leviel电压VS19VHI状态19恸协包电压VFILE数字输入文件名FORMAT数字输入文件格式1TIMESTEP数字输入文件步长insTIMESCALE数字输入文件刻度1八、数学宏模型：作为电路功能块或实验仪器插入电路系统中，代替或模拟电 路系统的部分功能，有24种8.1 电压加法器：基本运宣方程:匕睨片曦1 +质匕启+自嗫3 +等效电路方程:=比。0) +兀，。2) +总，(14)4-.8.2 电压乘法器：6 , +。甘？卞/ U a 必 &崎 r一_JJO-o-T138.3 电压除法器：VI O_-&口T“ CM 基本运算方程；% = 等效电路方程

35、：1(0%)=基本运篁方程：叽 r等效电路方程：，。4)=/。0) 一(12E广小咛9十4)m力6 / %卜d咯T石皿 - Lq -rAC 7(10,12)=且 /(11,12) ，(1 3)r（13）=招八GH/J- l（GdV 当 RTOO时，工6m）4（GdV2）i）= &C ，口。诩巾 + & 中 U2） /3） = c r（10J12）/D /（】 LI 2）8.4 电压平方：基本运算方程：嗫8.5 理想变压器：VCC Q. .0 VCCNl q N2等效电路 rV二，VCC O、O VCC方程：Z(F1) = (N2 /泗)网家吟 2(5*2)=颂 f N2) 1(左初1)8.6 电压求平力根：方程曝鼠i,片+ot+RL1IR2Vsunce为零值电压源，用作电流表原8.7三角波/正弦波转换器：三角波峰-峰值为2V,其中C=PI/2嗓=匕岫加”+ P）El=Uin/（匕4）=?（Cl） = Cig = Cl, 乙 cos（皿 + dt耳1 二 匕4） B =1/（2） = 1/= 77（2加） Ci-1中4）=，吨。式3