TSMC工艺的_版图教程

1、目录前端电路设计与仿真2第一节双反相器的前端设计流程 21、画双反相器的 visio原理图22、编写.sp文件2第二节后端电路设计4一、开启 linux系统 42、然后桌面右键重新打开 Terminal 6双反相器的后端设计流程 7一、schematic电路图绘制 7二、版图设计21画版图一些技巧：29三、后端验证和提取 30第三节后端仿真37其它知识40前端电路设计与仿真第一节双反相器的前端设计流程1、画双反相器的visio原理图VDdM2outM31VDdT_M M0 in -J-faI向1图1.1其中双反相器的输入为in输出为out, fa为内部节点。电源电压Vdd=1.8V,MOS 管

2、用的是TSMC的1.8V典型MOS管（在Hspice里面的名称为pch和nch,在 Cadence里面的名称为pmos2v和nmos2v）。2、编写.sp文件新建dualinv.txt文件然后将后缀名改为dualinv.sp文件 具体实例.sp文件内容如下：h：lrn.HlK fflSRIRti-II Lb ' F :I J J pu-hgjnuptataXrl llll- L' I I,-subcki dualLnu Lm out qndhq .a In g44 u4d 口5 | -1*91Hl fri :ln ynt gnri rich 1-11 IkiAD-1.VHhP

3、13 .VR>iF 13i FD-I .Hlr TH PX-I.Hf Hd nrH-1.*irH-rH nr-l.rt2 QUK. fa 1 udd pLh I - 1d tn “NJ 仙，3的FD-a.M-M PS-2.iit-iK nnd-«.3K m>5-«>37£m out F> E qnd nth 1-帕Bn，睚X科-1.PB“-忖 FUH木片-酹nrd-1 ,MWW 时斫中法第融. LT.TH以下是加触后信号ITTT - bdn in « p«l-se(i 1：B 1m ms tn写 73 4ns|i3 vd

4、d » 1 .*« n gnrl riv tl duK "i. 以下是Mji(阂百句 aoptlQn p”t ntrjn .11ns.-M金£U尸。CrM AUgpDMr Inq pNlJ Fr««餐二-Hfjsui'r tr-Mi qrlsr* TRIOvein)UftL-l.flAlhsrise-1* TRRnuCtlUHL-I.*1如3rjr-1* iwsurt tr M Qf 11* THICWd的UhL-fl.fll-lns* TAROUftL-i.*IKkisfall-1* -nd.lib 'F:Progr

5、am Filessynopsysrf018.l' TT 是 TSMC 用于仿真的模型文件位置和选择的具体工艺角*这里选择TT工艺角*划红线部分的数据请参考excel文件尺寸对应6参数，MOS管的W不同对应的6个尺寸是不同的，但是这六个尺寸不随着L的变化而变化。划紫色线条处的端口名称和顺序一定要一致MOS场效应晶体管描述语句：（与后端提取pex输出的网表格式相同）MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val > <AD= val > <AS= val > <PD= val ><PS= val >

6、 <NRD= val > <NRS= val >2.1、 在wind owXP开始一程序这里打开 Hspice程序NSPICE Z-2007. 03Mi crosflift Offi ce寸 STICE Explorer 20(17.1 *Avanwaves Z=zD07 03HSPICE MT Z-200T.03HSfICE Z-200T.03HSPICERF Z-2007.03Hspui 工-2口叶.032.2、 弹出以下画面然后进行仿真1、打开.sp文件3、查看波形2、按下仿真按钮查看波形按钮按下后弹出以下对话框士suit q UrosjoiI- D V如果要查看

7、内部节点的波形，双击 Top处如果有多个子电路） 请单击此 处的Top查看如果要查看测量语句的输出结果请查看.MTO文件（用记事本打开）.measuretran augpgwer aug p(s1) fron=i&n5 tQa44ns.medsurr tram* TRIG u(in)+ TARG V(DUt)Qrise帅L,fiL9 T&ftns rise-1ualhCL。Tb=Bn<5 rise=i.measure tran* TRIG u(in)* TARG u(out)QFallTD-BniSTAftl5fall-1至此前端仿真教程结束第二节后端电路设计前序（打开C

8、adence软件）、开启linux系统双击桌面虚拟机的图标国ELul Uni u tpr 1# Liniu 4 - TRvacv 1ue I£-k1 nl iWnEil* Edit 山 r MM H+.力2 IpFbau-d OnFiver j ! 3 Red Hat Enterpr»e klnvif 4Rsd HatSt-iE!GLKg Loc«bcn: VKDn:Enterprise I iriux. 4PlWMttdoffRE 微 Erterpreo Lhik 1F:Hy ,tuaJ Ms±Te5Red l-Wt mtEEwe Lnux 出mtaW

9、fi t.S-TsX tudEcnintandsFW 朝 INf HN rwhiw 的 Mtud nadNnt 谢 Inqi；GJ Er油杷 dCE fwttH (Whdt l£ JKE?)Devicev* HtW BPtmmsixs 营巾叱浅 值30D(IM； H Fkppv 也窗hwH.M， Ou&B Circle 电 SoLndCaNoth选择 Power on this virtualmachine开启linux之后CsTfWI6 WTashBtnT史mg匚 ru 片 DoctorC*«K L>fK7fCrul« jac.iranlCImi

10、Up % Nuw g /fir H* ml口闻叫 4 M在桌面右键选择Open TerminalIe EmLerminaJ Tabs HdprQQtfllocaltimt "# xhost lonzal;|FOOC'J'JDCdlhDSI：-输入 xhost local命令按回车Compuipr；icuf-alDCjlha<u：yjDai:Eafe W iew gtni& 卞必 JjelprootlliKalhHBstsbost local:hD-neiwork Locail coruwLiMi b白Ing added is access control

11、 listroci tSloca Iho5 tsu kuexucOlDcalhD£t riwt fTrash之后输入su xue命令按回车，这样就进入了 xue用户1、输入命令加载xurlQ I 口Terminal 窗口calibre 软件的license ,按回车，等到出现以下画面再关闭U:52:5D5“zidunrsqu 血zmluoiwlcZBluoouelB10：5215Dt限2Ad；e史matBoihznedcsin1S:52:5D(ngcld)zjbtheckznchcckaxiszncheckcrs16:5-2: SD(ngcld)znchfckicE8znchc-ck

12、idntznchc-ckplili强双邛Q如 EEd)zncheckcvzocklrtlznoiiibrwFfir16:52:50(nucldjzncwlzdedltorzndecrvptzndft16:S2s5DCHgcl<i>zjuLi&acenerznrpgAznfxaiH16:52:5DCngcld)znintFriuilzniplicgenmloiiaiieir16:52:50(ngcld)zimnagjiznnninbamxicdc15:53:50(HEcld)ZMHC&ixll比 rdazriHnddrraai16f5?350C>£cl

13、d>zjwnhtbznmiblinkzrwilpcIt: 5?: 50(ngcld)zjuinpcizrumpcixzfwnpetK2Olfi:52:SDCDgtld)zjwlposphylZznwipusphyUEhnnjMJxphfl可1S:52:5D(ngcld)uiHnqdrj;ra.iiziumrap idioznnnsdrAii1S:5Q(ngcldjiZMnsifBjranErwnspigZzrifirrufibll16f52s50OecldJzmnutoplallzmnut'oplal?znnnutopia 1316152350CHgcldJznwiut 叩 la

14、d4zmionltor&i» znsinnrt16:52:5D16:52:5D皿亡(ngcld)打毗rdzjwdi-rimvhdl1S:53:5D!SrE2;5O(ng;cld>(P£Cld)liicanbM； nm ca&Q sc-nsitiw for BgcldIB：肆:加(HECIdJEXTERNAL H1TERS are OFF16: 522 5DCliifcKL)ingfld ulng TCF-pdri 52771日岫 皿 Mjew leinwal T 曲 Help2、然后桌面右键重新打开Terminal进入学用户，开启 Cadence软件，

15、如下图ralhas-t -# 后u kue xuelacalhost roQtS icfb&1 4637fxue0localhost roatS然后出现cadence软件的界面关闭这个help窗口，剩下下面这个窗口，这样 cadence软件就开启了如果在操作过程中关闭了 cadence,只需要执行步骤2即可，步骤1加载calibre 的license只在linux重启或者刚开启的时候运行一次就可以了。双反相器的后端设计流程、schematic电路图绘制1、注息在Cadence中画schematic电路图时，每一个节点都需要命名，不然在参数提取之后没有命名的那些节点会被系统自动命名，导致

16、用HSPICE看内部节点波形时难以迅速找到自己需要的节点。2、打开Cadence软件新建库和单元 Cell View用命令icfb&打开Cadence软件后弹出以下CIW窗口选才F Flie-New-Libirary之后弹出以下窗口这里我们新建一个名为ttest的库。（注意：在新建library的时候要attach to an existing techfile点击OK以后弹出以下窗口在 technology library 这里选择我们的 TSMC 库 tsmc18f然后点击OK在CIW窗口的tools菜单中选择第二个library manager之后弹出以下窗口我们可以看到左边Li

17、brary里面有我们之间建立的ttest库，用鼠标左键选择ttest, 发现它的Cell和View都是空的。然后在该窗口的File-New-Cell View新建一个单元Cell View弹出以下窗口在窗口的Cell name中输入我们需要取的名字，这里取的是dualinv。点击OK后自动弹出画schematic的窗口3、画schematic电路图点击上面的这个作图版面，在键盘上按快捷键 i会出现添加器件的窗口点击Browse后弹出以下窗口这里选中TSMC的库tsmc18rf,在Cell中选中pmos2v, view中选中symbol然后鼠标移到外面的画图板上，就会出现一个PMOS管，左键点击

18、就可以放上去了，按ESC回到正常的光标状态同理，选中TSMC库中的nmos2v,就可以添加NMOS管。（按快捷键M ,然后 再点击一下（选中）器件即可以移动器件）接下来修改MOS管的尺寸，我们看到上述MOS管的默认尺寸都是L=180n W=2u我们这里将PMOS管修改为 W=720n NMOS管修改为 W=220n（注意：TSMC 0.18um库nmos2V和pmos2V最小的 W 只能设置到220nm,而 不能设置到180nm）鼠标左键选中一个器件（如M0）,然后按快捷键Q （property）,出现以下调整MOS管属性窗口在w（M）的文本框中修改前面的2u修改成我们需要的720n然后点击O

19、K即可 同理修改NMOS管的W=220n。之后开始连线 按快捷键 W （wire）即可然后添加PIN脚（即与外部信号相连的端口，从图1.1可以看出这个双反相器电路涉及到的PIN脚有in out vdd gnd）注意：由于目前的工艺是P阱衬底，所以全部NMOS管的衬底即B端要接gnd, 而PMOS管的衬底可以接自己的S端或者vdd, 一般只接VDD不接S 知识补充：MOS管的衬底B端接S才能不引起衬偏，衬偏了会造成阈值电压增大按快捷键P就可以添加PIN脚在pin name中输入名称 Direction中选中pin脚的方向（其中in的direction是input out 的 direction

20、是 output gnd 和 vdd 的 direction 是 inputoutput）然后按回车，光标上就会出现一个 pin的光影，点击鼠标左键即可摆放摆放pin脚之后，将PIN脚与电路相连，同样用快捷键 W来连线由于图1.1中还有一个内部节点fa,这里我们就需要给内部节点命名。按快捷键L,出现命名窗口在names这里输入fa,然后按回车然后鼠标上出现fa光影，将fa移到内部需要命名的线上点击左键即可。然后保存电路通用，也可以用快捷键L来连接两个单元：这样就不用连线，却能保证两个单元连接到一起。n12llNM5*口121 产w:12Gnl:60nE：1n12ll"p.12llw:

21、120胸elkm： "nl2llMw:120nl:60nTuul D括i£在画图板左边工具栏里面选中第一个check and save4、将电路图创建成为一个symbol ,用于仿真电路VirtuoseSei: 0Design Window Edit Add Qieck SheetQieck and SaveSave (not needed) Save As.Hierarchy Create CellviewNew.From Ce(lview,From Rri List.Open.From Ins lance.Open Symbol.Disc第啜葭寻区Makfi Read

22、OnlyProbeRotRenumber Instances.选择 DesignCreate Cellview- From Cellview 弹出以下窗口点击OK弹出以下窗口这里主要是Top Pins和Botton Pins这里需要修改，修改成如下图Sywhol hasi dWIm15(-mbolUmJ;Xut uTmta MH研 幅曲f Edt 修M Qvck点击OK弹出以下电路rn&tanceName©bartriorfieTools Iw点击save按钮保存这样我们就会看到在library manager里面就多出了一个该电路的symbol5、用spectre仿真器仿真

23、电路（这里仿真一下电路主要是验证一下自己电路有没有画错，如果电路逻辑功能正确，那么基本上可以保证自己刚才画的电路是正确的）新建一个名为 dualtest 的 Cell View 单元（在 Library Manager下）Create New FileCancefView NameCompos er- SchematicttestOil Name/hiome/xue/cds. Li辰Utirary NameToolLibrary path file.点击OK 按快捷键i添加我们之前给双反相器电路创建的 symbol然后出现下图接下来就要给各个端口加激励信号和电源了按I添加器件，在analogl

24、ib中首先选择直流电压 Vdc,另外还要选择vpwl作为 线性分段信号源。按Q修改vdc的属性南甲僧TDHlwiurcurrmL eMu:e呼sbnm ukrt CDFblruwxuhxE kistinn LabelsEimriyDfeplaUhrary Hamw式在手应01TCcH ttame*vrrWfew NmiieIHsi国g IWne可offMFMUMe惚Ml呼ihw PhjperlyMmLerVJubLucMVhJUeDrapUyhrslqmm!TRUE1offCDF ParajiieterValueDuplayAt rnngnitiJdte-厂aftACrerDC VEtlagc

25、1 g1。幅Haise file 阳gHaniber uf nui如“f pamWf rvi r naaxd , uLnr qWFFurfOK Cajicei 片画fDulaiJiUs- tPhJYiuus HekI在DC voltage这里将电压值设置为1.8v（注意，只要填入1.8即可，不要带入单位）即6个点），如下图同样修改vpwl的属性（这里我们设置一个3段线性信号,CDF PBraiiieterValueDisptayMuiubvr uf pairs uf puirnbeWorrAC nuipiiUidR：roffAC plkas« rWEDC V阿BronTimit 1l

26、!«*wr10 0MrTlniB- 2：soti gvfHVon晔 2。口 ?»TFTimu- 3EJ.Oln w阳¥南京卿31 8 gtfffTime J13Qtl 4而"Ml晔 4191DffTwnc- 5>130 Oln *arrQ 0 4时rTime- E200n 4时iaije£。口 vMTFfe甲川:fii:y rwunn- fcr 1 UnwindOffHol脚 W HEVW厂 r时rHu面her nT iMds«m«q pairs性OfliXF H i 网 itilii 版jorrrn:irnii!li

27、 iripoff此外我们还要添加一个gnd器件作为基准地信号（在analoglib中选择）添加完器件之后如下图vdc T.3v（注意：电路的gnd与标准地gnd之间要添加一个0V的直流电压）接下来连线以及给输出端添加一个PIN,如下图然后按check and sav琳存选择 tools 中的 Analog environmentGild:Sei: 0Tools Design Window Edit Add CheiAMS Opts+Analog EnvironmentDi6rsiqn Synthssins DivaFlu 口 rplan/Sjc hematicsHierarchy Editor

28、 Mixed Signal Opt乐 PCDFrasrticsSchematicsSimuilalion弹出以下窗口Virtuoso?- Analog Design Envir-oflmQnr (1)S3如北 Uniniliaired<9miriaiflr: wpectre flSirasiuh SEtlqp AnadyHS gwiabl日& Outpuls Siniulaliun Re苫nils ToolsHelpLibrary# TypeAcigunentfl.c . EnsbleDesbynmaJysas网ViewD©则学 vahablgs# Hwie Value

29、Q岬U博> Welcome W Virtuoso® 所aJog Design EFMronmeiit选择右边工具框中的第二个 生，弹出以下窗口题 Ctiop-uny Aonlvrji - Van«civ»L Analog »' ,'i3n Envrrnnn PjOK Cancel 口喇布 1 日wyHelp刖My主悦.bfihde7耻Mm% wtv dcmtchstbpzqpz enQi._, ps&y晔网|1final se凶、P印7而就qpiuHMuv E% qp即Trafisient AiatysisStnp T1G唯

30、Accirracy Mtaiilts (ernwssflt)ccnservaliVB nwdE'rale fetieraJTraisient HmwethatilfedOpUDtK.这里设置仿真的停止时间（该时间根据自己具体需要填写），然后点OK接下来设置需要看波形的那些端口Analog Design Environment (1) T=27 C Simulatfoutputs To Be Plotted Select On Schematices Outputs Simulation Results ToolsSetup ., 电加经To He Savedhs源a建诬(宏盛.slys

31、esrypitrao3JDnTo He HuttedSave Ail Select On Schematic砌簿尊Oi彝麴碎软更裕修然后在要看波形的线条上单击鼠标左键点一下即可dualinyti0 - 3,tvpains=C I* 'll*，点完之后该线条会变颜色以及闪烁，之前的 Analog environment窗口的outputs 中也会出现相应的名称然后点击右边工具栏中得倒数第三个Netlist and Run电路正确的话就会有波形点击该图标是分离重叠的波形其他快捷键E看symol里面的电路Ctrl+E退出看内部电路F让原理图居中P PIN管脚快捷键W连线L命名连线C复制Q器件

32、属性M移动U撤销其他相关设置：设置回退次数 CIW 窗口 -options-user preferenceUndo Limit 5多个器件属性一起修改，用shift选中以后然后选all selected以先是only current)、版图设计打开 dualinv 的 schematic 电路图，然后 Tools-Design Synthesis-Layout XLTools Design VftMuw Edit fiM Cte AMS Opts, Aialcg Environriwfit Dbsji SynUiesisft,lAytHftXLrkraririakfScliemaUics Hl

33、eiwcifcy Edlitor IMixnd Signal Opts. PCD frasirtiES SolKfinaHc-s SInwjtotJcin之后弹出以下对话框.点击OK后弹出点击OK就会自动弹出画layout的版面此时键盘上按E键，出现设置窗口这里修改分辨率，将X Snap Spacing和Y Snap Spacing修改为0.005,方便之 后的画图。点击OK国卬 1alyGajK«l DbTiiIU /iyHelpQHwpbY DwilmlXi O|BH to 3岫 LeBl feesGlance Ortgliw EfP 3W0WIIRn HarmOct Hits

34、Het E电传幻1口解 叫旭g此HIUtlKtShaqii? fcituEiiiSin_ Acce眠日烧后_ frratwice Mus_ Amry忙划幡 LSftBl加州原_ Usb Teh BBdk_ Cross CursorSt的辽自Pa th备/1叫1HnnScns nnd CfnlnflinnsShow Namy Ofln«tancH mftstsr FullUcpiiiy Limtx st*rtortho ijpnaiOeiilenrUKigpnnlEdit在画layout版面的菜单中选择Design-Gen From sourceXi-12.1loots Designf

35、lSmJFEE3UJP 5ll¥M!W UitNHy IriJi Iftrnry hAc */.cdaenvHniwsc.-Laad! FrwniiDtfhte FrainSava AsHrarchyOpen Discard Ei犯等MaKs Keaili OnlyS4nmia>yEHrapWties QSul Owfault 却fiicdUun. iRemaster Instances.PlotT冲tCornjiDikBiii Tyy毋s<Gen From 想叫rceSaME Tu TefnpiaB日然后弹出以下窗点击OK即可，版面上就生成与原schematic电路图相

36、对于尺寸的MOS管，如下图注：可以不gen from source而直接在画版图的版面按快捷键I添加layout器件， 再修改尺寸，这样也可以通过 LVS（经过测试即使版图中MOS的编号和 schemati4的不同，但是最终输出子电路中 MOS管编号跟schematic1相同的）选择那四个绿色的方Ig和紫色的线，按 delete删除，删除后就剩下四个MOS管。按shift+F将MOS管转换为可视的layout结构，并用M快捷键来移动MOS管, 此时整个版面上就剩下四个 MOS管了， （ Ctrl+F可以还原为Schematic结构） 如下图工具栏左边的放大镜可以放大和缩小，或者使用 快捷键Z（

37、放大），shift+z缩小（按了 Z键要选某一个区域才能放大，不是直接放大与缩小 ）接下来开始画图：1、 画PMOS管和NMOS管相连的栅极（用LSW窗口中得POLY1来画）选中POLY1 drw然后点版图，然后按R（画方框），Q属性可以看到是dg（在空白处）按S键，鼠标移到矩形框的边，就能修改矩形框。修改之后让矩形框与PMOS管NMOS管的栅极对齐。（一定要对齐，不然DRC 报错）放大可以看到他们是否对齐，这样的是对齐的。这样就是没对齐。画好POLY1以后如下图B. .82、画金属走线由于该电路简单，只需要一层金属即可，所以只需要LSW中的metall在LSW中选中METAL1 drw ,然

38、后点版图，然后按P（走线），然后按F3（设置线宽为0.5） , Q属性可以看到是dgCQNT忖|Idrw画完后如下图（注意金属要整个覆盖住 MOS管的D端，接触面积大才能保证电流）3、画POLY1和metall之间的连接不同材料之间相连要打孔。比如Metall和polyl相连，就选M1_POLY1 , Metall 和Metal2相连就选M2_M1 , NMOS的衬底接触和体相连用 M1_SUB, PMOS 管的衬底接触和体相连用 M1_NWELLLSW中选中poly1-drw,按P,按F3,设置为0.5宽度，画一段poly然后在这段poly上打孔，按字母。键,弹出以下窗口在Contact T

39、ype这里选择 M1_POLY1,Rows这里输入2,然后回车 （鼠标右键可以旋转器件）将这个通孔放于之前的polyl上然后metall与这个通孔相连即实现了金属1层与polyl之间的连接接下来输入信号in这里也要这样画，画好之后的整体图如下4、画衬底接触这里要分别画PMOS管的衬底接触和NMOS管的衬底接触。按快捷键字母O, 在Contact Type这里选择 M1_SUB,这个是NMOS管的衬底接触。按快捷键字母O,在Contact Type这里选择M1_NWELL ,这个是PMOS管的衬 底接触。5、给PMOS管打阱因为现在是P阱工艺，整个画图的版面就是一个 P型衬底，而NMOS管是做在

40、P型衬底上面的，所以画NMOS管的时不需要画阱，而画PMOS管时要画nwell（即它的衬底），nwell要包围住PMOS管和它的衬底接触。jMn¥ELL|drv|hvw- I在LSW中选中NWELL-drw，按R,画矩形框，如下图I =!6、画管脚PIN在LSW 中选中metall pinIS METAL 1脸,METAL2pinIpin接着点击空白处，然后按快捷键 L弹出以下窗口在Label这里输入名称（注意这个名称要与schematic图中节点的名称要相同），Height这里设置字体的高度，Font这里设置 字体的样式，然后按回车，将 PIN脚摆放到正确位置7、补全其它连线因为上

41、图并不完整，还有很多连线没有连。在熟悉版图画法之后这一步是放在 前面做的，因为我们熟悉画法后就知道哪里是VDD、gnd、输入和输出画完这个7步骤以后点左边工具栏的SAVE保存，然后就可以进行后面的DRC、 LVS 和 PEX 了。补充知识-多层金属连线:（以下讲解两层金属 metall和metal2的布线）由于金属走线经常会交叉，所以单层金属是不够的，这就涉及到多层金属的布线metal2 drw是金属层2metall和metal2之间用通孔 M2_M1画版图一些技巧：1、所有的MOS管最好同方向（竖方向），不要有有横有竖。最好是PMOS管放 一起（比如一起放上面），NMOS管放一起（一起放下面

42、），不一定是按照schematic 电路图上的MOS管顺序来摆放。2、走线不要穿过MOS管，要绕过去。3、单排衬底接触最长不要超过100um,比较敏感的管子要多加些接触（两排或多 排），衬底接触少了电阻会大。一般情况我们采用单排衬底（即rows或columns=1） 4、横线用金属2,竖线用金属1,金属越宽电阻越小。我们一般取0.5u宽度。寄生电容与发生寄生电容的两导体面积成正比，因此线宽就0.5u够了（能承受1mA）,不需要再大。（TED）5、版图的PMOS管和NMOS管 源极和漏极是不区分的，上下的 polyl都是栅 极。6、衬底接触一般在下面画一排接触即可，对于数模混合电路某个MOS管是

43、特 别敏感的那用衬底全包围。7、走线尽可能短，尽量画的紧凑，减少延时 。8、尽量不用POLY来走线，如果两个栅极之间具体太长，中间用金属走线。poly 的长度最多是 3-5um。9、同一层Metal之间的距离要大于最小值 0.23um, 一般是设置成大于0.5um。比如两条metall走线之间的距离要大于0.5um。10、PMOST的衬底全部接VDD NMOST的衬底全部接地各种器件之间的距离：1、PMOS管和NMOS管之间的距离一般控制在1um以上，太近DRC报错2、两个不同电压nwell之间的距离要大于1.4u,因此一开始要预留5um3、Nwell和NMOS管之间的距离推荐是大于1u4、N

44、well和衬底接触以及PMOS管的距离0.5u左右5、衬底接触和mos管距离一般设置为0.5u电容和电阻器件不选择analoglib里面的cap和res（这两个是理想电容电阻），电 容一般选择tsmc里面的mimcap,电阻则要看电阻率等具体要求。（TED&黄）快捷键K尺寸距离（shift + k撤销尺寸）S修整M移动选上后右键可旋转Z放大（ctrl+z放大两倍，shift +z缩小两倍）Shift选择多个器件Shift+F显示NMOS和PMOS器件的版图O 打孔（pmos管衬底属性选择 M1_NWELL nmos管选择M1_SUB 金属和poly 打孔属性选择M1_POLY1）三、后

45、端验证和提取后端仿真首先要DRC,然后LVS,然后PEX提取寄生参数。最后用Hspice仿 真器仿真提取参数后的网表。这里主要用到的是calibre工具ng Connpact Calibre Rm Run DFM nun w； Ruri PEXStart RVEClear HiyhlightsAbout.（上面工具栏中 calibre一选才i Run DRC）单出下面窗口1、 DRCRunset File是RUN DRC时需要填入的一些设置，方便于下次 RUN,可直接取 消掉DRC主要设置rules的位置和DCR Run的路径其余的都默认Rules这里选择TSMC库文件中calibre文件下的

46、calibre.drc（这里的DRC Run Directory是自己创建的一个文件夹，su xuecd /home/xue mkdir drc）这里 dcr 改为 verify/dcrTapceii mv a Reruns pn B ar 制后 Checks）B ' Ceti Inv - B RmuI世E Check po.r 3 -1 只白如flLl K ClKCk Ml.FLl - 1 RBE.Ull-E 茵 Clwck. M2.R.1 - 1 R”uHi- Chflck. M3.R.1 - 1 RewH-r 匈 Chick M4 R1 - 1 RtiuH-T 匐 CMtM M5

47、,R1 1 R*小阖H K CMM： M.R1 - H R白如修l=H ClWCk UTMZOKR 1 - 1 He&uH（运行完成之后的弹出的窗口）点开看，如果是area coverage那就是覆盖率的问题，这种错误不用理会。比如 上图中得这8个错误是没关系的2、Run LVS同样Runset File点取消 设置 rules 和 input 的 netlist【新】lvs改为verify/lvs Calibre Interarti« - nmLVS v2011.2 3426inputs1< Layam vs N1H«I - N 细就弁忖前谢noh怕I Ex

48、tractionSuipulsRun 0岫 mLayout | Netilist | H-CbIIs |Trail scriptFll«$:anv.sn-：.riftlViWf |Run W 导F DrmHt：§PICE 1 | Expart (rain schEmatic vieu/eirInputs Netlist 这里选择 Export from schematic viewer点击run LVS后弹出以下窗口如果是绿色笑脸则表示LVS通过，表示版图和schematic原理图是匹配的，说明 我们的版图没有画错。如果是红色脸蛋，表示有错误，那要点开看具体的错误说 明，再

49、排除错误。3、Run PEX同样Runset File点取消Rules设置新/home/gengliang/ic/verify/pexInputs-netlist 设置 Export from schematic view 选上Outputs- extraction type选择R+C（即提取寄生电阻和电容），format这里选择 hspice（用于Hspice仿真器仿真）（如果后仿是用spectre仿真器仿真，那么format这里选择CALIBREVIEW ）BulesInputsEriracton Type： mnWrtor R 即 Mductai网014 帆itsRun Contra I

50、TranscriptRuh £EXStart R 至ENEWNeiliEtbleh | Ft叩口由SWDB FormatHSPiCE Ufe Names From： schematicFile： dullirvjpexnetHst. VI&m nelllst altar PEX fl rushesOutputs reports这里 选上 generate PEX report和 View report after PEX finishesNEW-Calibre Interactive - PEX v2011.5_34.26然后run PEX之后在/home/xue/pex文件

51、夹下面生成三个我们需要用到的文件list （里面是电路的网表）list.pex （里面是各个节点的寄生参数）list.DUALINV.pxi （里面是一些调用子电路的命令）注：在XP系统下用写字板打开可查看这三个文件的内容MOS场效应晶体管描述语句：（pex输出的网表格式）MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val > <AD= val > <AS= val > <PD= val ><PS= val > <NRD= val > <NRS= val >第三节后端仿真1、用Hspice仿真器进行后仿真将上述三个文件复制到XP系统下面，然后新建一个dualinv.sp文件(即新建文本文档，后缀改成.sp),这样同一目录下就有四个文件，如下dualinv pax .FKI文件1 KBdualinv pax: natlist|g界Fspicocccae1 est阳短 一。- 1 ri dhaal invSP文件2 KB，（hialinv. >ex/J JETLIST 定伸