Atmel推出高集成度闪存微控制器可改善阻抗匹配并降低功耗

1、    Atmel推出高集成度闪存微控制器，可改善阻抗匹配并降低功耗         时间:2010年01月08日     字 体: 大 中 小        关键词:               简化PCB设计的内存信号端接电阻 (ODT

2、)端接电阻通常在外部添加，用于改善传输线中的阻抗匹配并避免信号反射，避免数据传输错误带来劣化系统EMI性能的峰值电流。ODT将端接电阻集成在半导体芯片内，而不是在印刷线路板上。SAM3S的输出端集成了多个典型值为35欧姆的电阻，能够降低材料清单(BOM)成本、节省空间，并为PCB设计带来便利。在工作频率降低时优化功率      爱特梅尔采取以下步骤，最大限度地降低SAM3U器件在频率在10MHz或以下的工作模式的动态功耗，预计可将在1MHz下的功耗降低50%。3) 闪存能够以x64模式 (而不是x128模式)读取，且不影响性能4) 自适应稳压器能够将电流

3、消耗量作为电流吸收的函数来进行调节，无需任何软件处理。并行IO捕获模式     SAM3S是首个在PIO和DMA上支持并行数据捕获模式的ARM微控制器。在PIO上的并行数据捕获模式与外部总线接口相辅相成，收集来自不兼容标准存储器读取协议的外部设备 (如低成本图像传感器) 的数据。读取控制信号和时钟均为用户可编程的，通过使用DAM卸载CPU任务，将数据传输给存储器。目前，保安市场的发展方向是在PIR传感器内集成相机功能，而通过实现并行PIO捕获模式与图像传感器的连接，使得SAM3S成为用于下一代PIR相机的理想的低成本微控制器。改善安全性和保安功能 

4、60;     SAM3S能够显着提升安全性和保安功能。存储器保护单元(MPU)能够确保代码的安全，并保护多应用/任务的执行。带有DMA的硬件CRC则在后台检查存储器的完整性，并在数据损坏时触发中断。另外，ECC可检测并纠正嵌入闪存的单比特位故障，一个128位独有ID和加扰外部总线接口保证了外部软件的机密性，而安全位也保证了内部软件的机密性。器件更设有一项机制，可以检测时钟故障并自动接通内部RC振荡器，同时在已定义的状态中配置PWM输出。SAM3S和SAM7S微处理器引脚兼容        SAM3S系列产品是爱特梅尔最畅销

5、之ARM閃存微控制器系列SAM7S和SAM7SE的理想的Cortex-M3升级途径，SAM3S閃存微控制器采用的Cortex-M3内核在1.8V和85下能以64MHz的最大时钟速率运行，其原始性能较SAM7S系列提升了50%。SAM3S的64脚型款与SAM7S引脚兼容，可让用户在不改变硬件的情况下提升性能，以保护既有的投资。近乎重编译后即能运行的代码便携性更新的外设集高数据速率通路结构       Cortex-M3处理器本身支持的4层AHB系统总线阵列结合了分布式存储器和21个外设DMA信道，能确保以最少的处理器工作量实现不间断的并行数据流。DMA集成在外设编程器的接口内，极大地简化了驱动程序的开发，并减少了处理器在数据传输方面的负担。 全面的生态系统支持和系统内编程       爱特梅尔的SAM3S閃存微控制器获得来自业界领先的第三方供货商在开发工具、实时操作系统(RTOS)、中间件产品和技术服务方面的支持，包括IAR、Keil、Micrium 和Segger等公司，而且数量正在快速增加。片上ROM在闪存擦除后自动重启的功能，也为系统内生产编程