鞍山功率半导体项目实施方案【模板范本】

1、泓域咨询/鞍山功率半导体项目实施方案鞍山功率半导体项目实施方案xxx有限责任公司目录第一章 总论8一、 项目名称及投资人8二、 编制原则8三、 编制依据8四、 编制范围及内容9五、 项目建设背景10六、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 项目建设背景、必要性15一、 MOSFET产品的行业基本情况15二、 二极管、晶体管行业的基本情况16三、 以创新引领发展，激发高质量发展内生动力18第三章 市场分析20一、 行业发展趋势（机遇与挑战）20二、 TVS产品的行业基本情况23第四章 项目选址可行性分析27一、 项目选址原则27二、 建设区基本情况27三、 建设支撑高质量发展的现代产业体系

2、30四、 大力发展“四产融合”城市融合经济体32五、 项目选址综合评价32第五章 建筑工程说明33一、 项目工程设计总体要求33二、 建设方案33三、 建筑工程建设指标35建筑工程投资一览表35第六章 法人治理37一、 股东权利及义务37二、 董事40三、 高级管理人员44四、 监事46第七章 SWOT分析49一、 优势分析（S）49二、 劣势分析（W）50三、 机会分析（O）51四、 威胁分析（T）52第八章 运营管理58一、 公司经营宗旨58二、 公司的目标、主要职责58三、 各部门职责及权限59四、 财务会计制度62第九章 工艺技术设计及设备选型方案68一、 企业技术研发分析68二、 项

3、目技术工艺分析70三、 质量管理71四、 设备选型方案72主要设备购置一览表73第十章 环境保护分析74一、 编制依据74二、 建设期大气环境影响分析74三、 建设期水环境影响分析74四、 建设期固体废弃物环境影响分析75五、 建设期声环境影响分析75六、 环境管理分析76七、 结论80八、 建议80第十一章 劳动安全81一、 编制依据81二、 防范措施82三、 预期效果评价86第十二章 投资计划88一、 投资估算的依据和说明88二、 建设投资估算89建设投资估算表93三、 建设期利息93建设期利息估算表93固定资产投资估算表95四、 流动资金95流动资金估算表96五、 项目总投资97总投资及

4、构成一览表97六、 资金筹措与投资计划98项目投资计划与资金筹措一览表98第十三章 项目经济效益评价100一、 基本假设及基础参数选取100二、 经济评价财务测算100营业收入、税金及附加和增值税估算表100综合总成本费用估算表102利润及利润分配表104三、 项目盈利能力分析104项目投资现金流量表106四、 财务生存能力分析107五、 偿债能力分析108借款还本付息计划表109六、 经济评价结论109第十四章 招标及投资方案111一、 项目招标依据111二、 项目招标范围111三、 招标要求111四、 招标组织方式112五、 招标信息发布114第十五章 总结115第十六章 附表附录117主

5、要经济指标一览表117建设投资估算表118建设期利息估算表119固定资产投资估算表120流动资金估算表121总投资及构成一览表122项目投资计划与资金筹措一览表123营业收入、税金及附加和增值税估算表124综合总成本费用估算表124利润及利润分配表125项目投资现金流量表126借款还本付息计划表128报告说明MOSFET问世于1980年左右，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化，起到开关或放大等作用。随着技术的发展，沟槽结构MOSFET于1990年左右逐步研发成功。2008年，英飞凌（Infineon）率先推出屏蔽栅功率MOSFET。对国

6、内市场而言，MOSFET产品由于其技术及工艺的先进性，很大程度上仍依赖进口，国产化空间巨大。根据谨慎财务估算，项目总投资4469.93万元，其中：建设投资3489.52万元，占项目总投资的78.07%；建设期利息75.87万元，占项目总投资的1.70%；流动资金904.54万元，占项目总投资的20.24%。项目正常运营每年营业收入7700.00万元，综合总成本费用6360.76万元，净利润977.52万元，财务内部收益率14.20%，财务净现值31.03万元，全部投资回收期6.84年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目的建设符合国家产业政策；同时项目的技术

7、含量较高，其建设是必要的；该项目市场前景较好；该项目外部配套条件齐备，可以满足生产要求；财务分析表明，该项目具有一定盈利能力。综上，该项目建设条件具备，经济效益较好，其建设是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 总论一、 项目名称及投资人（一）项目名称鞍山功率半导体项目（二）项目投资人xxx有限责任公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准）。二、 编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，

8、提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。三、 编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划，部门与地区规划，经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等；2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等；3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料；4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等；5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定；6、相关市场调研报告等。四、 编制范围及内容投资必要性：主要根据市场调查及分析预测的结果，以及有关的产业政策等因素，论

9、证项目投资建设的必要性；技术的可行性：主要从事项目实施的技术角度，合理设计技术方案，并进行比选和评价；财务可行性：主要从项目及投资者的角度,设计合理财务方案,从企业理财的角度进行资本预算，评价项目的财务盈利能力，进行投资决策，并从融资主体的角度评价股东投资收益、现金流量计划及债务清偿能力；组织可行性：制定合理的项目实施进度计划、设计合理组织机构、选择经验丰富的管理人员、建立良好的协作关系、制定合适的培训计划等，保证项目顺利执行；经济可行性：主要是从资源配置的角度衡量项目的价值，评价项目在实现区域经济发展目标、有效配置经济资源、增加供应、创造就业、改善环境、提高人民生活等方面的效益；风险因素及对

10、策：主要是对项目的市场风险、技术风险、财务风险、组织风险、法律风险、经济及社会风险等因素进行评价，制定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。五、 项目建设背景晶体管中，双极性结型晶体管（三极管）是电流型功率开关器件，价格低、功耗大，在少数价格敏感、感性负载驱动等应用中还有一定需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年来，消费类电子、网络通讯、工业、安防等领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流。中国MOSFET、IGBT市场规模增长迅速。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约11.00亩。（二）建设规模

11、与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx件功率半导体的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资4469.93万元，其中：建设投资3489.52万元，占项目总投资的78.07%；建设期利息75.87万元，占项目总投资的1.70%；流动资金904.54万元，占项目总投资的20.24%。（五）资金筹措项目总投资4469.93万元，根据资金筹措方案，xxx有限责任公司计划自筹资金（资本金）2921.62万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额1548.31万元。（六）经济评价1、

12、项目达产年预期营业收入（SP）：7700.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：6360.76万元。3、项目达产年净利润（NP）：977.52万元。4、财务内部收益率（FIRR）：14.20%。5、全部投资回收期（Pt）：6.84年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：3305.38万元（产值）。（七）社会效益项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。本项目实施

13、后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积7333.00约11.00亩1.1总建筑面积12855.981.2基底面积4326.471.3投资强度万元/亩311.572总投资万元4469.932.1建设投资万元3489.522.1.1工程费用万元3006.752.1.2其他费用万元372.772.1.3预备费万元110.002.2建设期利息万元75.872.3流动资金万元904.5

14、43资金筹措万元4469.933.1自筹资金万元2921.623.2银行贷款万元1548.314营业收入万元7700.00正常运营年份5总成本费用万元6360.76""6利润总额万元1303.36""7净利润万元977.52""8所得税万元325.84""9增值税万元298.95""10税金及附加万元35.88""11纳税总额万元660.67""12工业增加值万元2296.97""13盈亏平衡点万元3305.38产值14回收期年6.84

15、15内部收益率14.20%所得税后16财务净现值万元31.03所得税后第二章 项目建设背景、必要性一、 MOSFET产品的行业基本情况1、MOSFET简介MOSFET问世于1980年左右，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化，起到开关或放大等作用。随着技术的发展，沟槽结构MOSFET于1990年左右逐步研发成功。2008年，英飞凌（Infineon）率先推出屏蔽栅功率MOSFET。对国内市场而言，MOSFET产品由于其技术及工艺的先进性，很大程度上仍依赖进口，国产化空间巨大。2、MOSFET的市场规模及竞争格局2019年全球MOSFET市

16、场规模达76亿美元，2016-2023年复合增速达5%；中国大陆MOSFET市场规模达36亿美元，中国市场在全球占比约48%。2020年，全球MOSFET市场规模达80.67亿美元，2021年在全球尤其是中国的5G基础设施和5G手机、PC及云服务器、电动汽车、新基建等市场推动下，全球MOSFET增速将以较高速度增长。预计2021年至2025年，MOSFET每年的增速将不低于6.7%，预计2025年将达到118.47亿美元。根据有关数据，2020年，全球MOSFET营收前十的厂商仍然以欧、美、日厂商为主，其中英飞凌以29.7%的市场份额遥遥领先，位居全球功率MOSFET市场第一，前2大厂商英飞凌

17、和安森美营收之和占比为40.9%，前10大公司营收之和占比高达80.4%。3、MOSFET的未来发展趋势近二十年来，各个领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流，技术上MOSFET朝着低阻抗发展。中国MOSFET市场规模增长迅速，据统计，2016年-2019年MOSFET市场的复合增长率为12.0%。MOSFET增速与全球功率器件增速接近，占据功率器件22%的市场份额，长期来看仍将保持重要地位。全球功率器件市场规模稳步增长，MOSFET需求长期稳定。二、 二极管、晶体管行业的基本情况1、二极管、晶体管简介半导体二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导电性二

18、端器件，其产品结构比较简单，一般为单个PN节结构，只允许电流从单一方向流过。自20世纪50年代面世至今，陆续发展出整流二极管、开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管、TVS二极管等系列的二极管，广泛应用于整流、稳压、检波、保护等电路中。二极管的应用领域涵盖了消费类电子、网络通讯、安防、工业等，是电子工程上用途最广的电子元器件之一。晶体管是一种使用半导体材料制作而成的三端器件，具有放大、开关、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压或输入电流控制输出电流。晶体管根据结构特点和功能主要分为绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGB

19、T)、金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和双极性结型晶体管（Bipolarjunctiontransistor,BJT，俗称三极管）。 2、二极管、晶体管行业的市场规模及竞争格局2018年全球二极管市场规模达63.93亿美元，市场空间广阔。根据中国电子信息产业统计年鉴数据，中国二极管销量从2014年的2,856亿只增长到了2018年的16,950亿只。根据芯谋研究的有关数据，2020年全球二极管营收前十大厂商中以欧、美、日厂商为主。晶体管主要分为双极性结型晶体管（三极管）、MOSFET和I

20、GBT。根据三种晶体管的市场规模估算，2019年，晶体管总的市场规模约为138.27亿美元；2020年，晶体管总市场规模约为147.88亿美元。由于双极性结型晶体管存在功耗偏大等问题，随着全球节能减排的推行，其市场规模总体趋于衰退，正在被MOSFET所取代；IGBT市场规模则以较高速度增长。市场竞争格局方面，三极管、MOSFET和IGBT三类产品的市场竞争格局有所不同。其中，全球三极管市场比较分散，MOSFET和IGBT市场集中度较高。3、二极管、晶体管行业的未来发展趋势二极管的应用领域涵盖了消费类电子、网络通讯、安防、工业等，随着市场的扩展而成长。二极管在部分细分领域的中高端产品，对技术创新

21、要求较高，会随着应用领域的技术要求不断提升，推动产品的技术升级，尤其是在消费类电子领域。晶体管中，双极性结型晶体管（三极管）是电流型功率开关器件，价格低、功耗大，在少数价格敏感、感性负载驱动等应用中还有一定需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年来，消费类电子、网络通讯、工业、安防等领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流。中国MOSFET、IGBT市场规模增长迅速。三、 以创新引领发展，激发高质量发展内生动力坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，让创新贯穿鞍山全面振兴全方位振兴全过程、各方面。大力发展院士经济、院校经济、研究院经济。加强与院士密切合作

22、，深化与院校合作，积极支持现有研究院发展。建立“三院经济”人才交流平台，打通合作通道。鼓励支持高新技术研发团队参与重点产业创新发展，积极与中冶焦耐、鞍钢设计院、鞍钢技术中心、中钢热能院等来鞍、驻鞍、国内外研究院所合作，切实提高本地企业配套率。鼓励和支持民营研究院发展。强化企业创新主体地位。鼓励企业牵头组建创新联合体，构建产学研市场化利益联结机制。鼓励企业加大研发投入。积极培育创新型领军企业。优选一批创新能力强、引领作用大、研发水平高的科技型骨干企业，集中优势资源，在研发平台建设、重大技术攻关应用、高端人才引进培育等方面加大支持力度，在创新政策落实、产学研合作、知识产权管理等方面强化服务。提高科

23、技成果转移转化成效。加快构建顺畅高效的技术创新和转移转化体系。鼓励企业与高校、科研院所共建创新平台，支持企业牵头组建创新联合体，打造一批以市场为导向的新型研发机构。扎实做好科技金融服务，充分发挥政府资金引导作用，撬动金融资本和民间投资向科技成果转化集聚，加大对科技型企业的融资支持，促进新技术产业化规模化应用。探索建立赋予科研人员职务科技成果所有权或长期使用权的机制和模式。健全知识产权保护运行体系、政策体系、工作体系。弘扬科学精神，加强科普工作，营造崇尚创新的社会氛围。第三章 市场分析一、 行业发展趋势（机遇与挑战）1、全球经济发展态势和电子系统产品市场将是带动全球半导体市场发展的主要因素ICI

24、nsights发布的麦克林报告（McCleanReport2019）公布了最新的全球半导体市场与全球GDP总量增长的关系图，指出全球经济增长状况是影响全球半导体市场起伏的最主要因素，特别是2010年以后，全球半导体市场增长与全球GDP总量增长呈现高度相关性，2010-2018年的相关系数高达0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP总量增速分别为2.4%、3.1%、3.0%左右，而推动全球半导体市场增速分别达3.0%、25%、16%左右。ICInsights预测2019-2023年全球半导体市场增长与全球GDP总量增长的相关系数为0.93。ICInsights认为原因来自两个，一是

25、越来越多的兼并和收购事件导致主要半导体制造商和供应商数量减少，这是供应基础的一个重大变化，也说明了该行业愈发成熟，这有助于促进全球GDP成长与半导体市场之间更密切的关联性。二是消费者驱动的IC市场持续转型。20年前大约60%的半导体市场是由商务应用程序推动、40%是由消费者应用程序驱动的，如今这两者所占百分比已经互换。因此，随着消费者为导向的环境推动电子系统销售和半导体市场的作用愈显重要。2、国家出台多项政策驱动产业繁荣发展国家高度重视半导体行业发展，近年来出台了多项扶持产业发展政策，鼓励技术进步。2014年6月，国务院发布国家集成电路产业发展推进纲要，以设计、制造、封装测试以及装备材料等环节

26、作为集成电路行业发展重点，提出到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%；到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。2014年9月24日，国家集成电路产业投资基金股份有限公司（简称“大基金一期”）正式设立；2019年10月22日，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（简称“大基金二期”）注册成立。大基金一期和大基金二期重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等产业，实施市场化运作、专业化管理，充分展现了国家扶持半导体行业的信心，将大力促进行业增长。功率半导体作为半导体行业

27、的重要组成部分，将大受裨益。国家的政策支持为行业创造了良好的政策环境和投融资环境，为功率半导体行业发展带来了良好的发展机遇，促进行业发展的同时加速产业的转移进程，国内功率半导体行业有望进入长期快速增长通道。3、下游终端产品的功能多样化将增加功率器件的产品需求功率器件应用领域十分广泛，下游终端产品类别繁多，随着社会发展和技术发展，下游终端产品对电能转换效率、稳定性、高压大功率提出了更高的需求，产品设计将更加复杂化，产品功能将更加多样化。下游终端产品的功能多样化将增加功率器件的需求，促进功率器件的技术发展，促使功率器件朝着更高性能、更快速度、更小体积方向发展。4、新兴产业需求和技术创新将引领半导体

28、行业发展随着汽车电子、智能制造、人工智能、5G、高端应用处理器、高性能计算、汽车驾驶辅助系统、虚拟货币等新兴领域的快速发展，相关IC产品将被更为广泛地应用在各类智能移动终端、工业机器人、新能源汽车、可穿戴设备等新兴产品中。这些需求将刺激我国IC产品的技术创新和产业发展，对我国IC设计、制造企业带来增长机遇。同时，我国功率半导体企业一直紧跟国际先进技术发展，通过持续的技术创新不断推动产品升级，并积极向中高端市场渗透，与国际厂商展开竞争。随着计算机、网络通信、智能家居、汽车电子等行业的技术发展和市场增长，我国功率半导体技术水平也将不断提升，为国内功率半导体相关企业赢得更多的发展机遇。5、市场空间巨

29、大半导体产业是全球性产业，全球产业景气度是中国半导体产业发展的大前提，但中国半导体产业的内生力更值得关注。半导体行业发源于欧美，日韩及中国台湾在产业转移中亦建立了先进的半导体工业体系。中国半导体起步晚，但近年来，国家高度重视半导体行业的发展，不断出台多项鼓励政策大力扶持包括功率半导体在内的半导体行业。随着国内大循环、国内国际双循环格局发展，国内功率半导体产品需求继续增加，国内功率半导体设计企业不断成长，未来发展空间巨大。根据顾问机构InternationalBusinessStrategies（IBS）预测，到2030年中国的半导体市场供应将达到5,385亿美元。2020-2030年中国市场的

30、半导体供应量来自中国本土企业的比例将逐渐上升，到2030年将达到39.8%。预计到2030年，69%的消费量将来自中国本土公司，需求主要来自数据中心、消费电子、汽车、医疗等应用领域。二、 TVS产品的行业基本情况1、TVS/ESD保护器件简介普通的TVS二极管在20世纪80年代开始出现，与大多数二极管正向导通的特性不同，其基于反向击穿特性，通过对浪涌的快速泄放，可以起到对电子产品的保护作用，对初级浪涌防护效果较好。普通TVS二极管也是采用单个PN节结构，主要采用台面结构技术。21世纪初期以来，随着半导体芯片制程的发展，集成电路芯片呈现出小型化趋势，线宽变窄，同时追求更高的集成度和更低的工作电压

31、，致使集成电路芯片变得更加敏感，极易受到静电和浪涌冲击，造成损坏。普通的TVS因性能、精度、灵敏度等方面的限制已无法满足集成电路芯片发展中新提出的防静电和浪涌冲击的保护要求，于是新型的具备漏电小、钳位电压低、响应时间快、抗静电能力强且兼具防浪涌能力等特点的用于ESD（Electro-Staticdischarge，静电放电）保护的TVS（以下简称为“ESD保护器件”）在近十几年被开发出来并不断创新、升级。普通的TVS二极管由单个PN节结构形成，结构单一，工艺简单。ESD保护器件对结构设计和工艺要求更高，结构更加复杂，一般设计成多路PN结集成结构，采用多次外延、双面扩结或沟槽设计。ESD保护器件

32、能够确保小型化的集成电路芯片得到有效保护，代表着当前TVS的技术水平和发展方向。目前，功率半导体行业内部分国际企业已将ESD保护器件在内的TVS单独分类。比如，安世半导体已将ESD保护、TVS单独分类，将其与二极管、MOSFET、逻辑和模拟IC等产品类别共同列为主要产品类别；安森美将ESD保护单独分类，与二极管、MOSFET、晶体管等产品类别并列为安森美的主要产品类别；英飞凌、意法半导体、商升特等亦将ESD保护等单独分类。2、TVS/ESD保护器件的市场规模及竞争格局根据OMDIA发布的研究报告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021，2020年全球TVS市场规模

33、约为16.21亿美元，预计2021年全球TVS市场规模约为18.19亿美元。2020年全球ESD保护器件市场规模约为10.55亿美元，预计2023年全球ESD保护器件市场规模约为13.20亿美元。根据韦尔股份2019年年度报告，在TVS领域，韦尔股份在消费类市场中的出货量稳居国内第一，其主要竞争对手是外资器件厂家，包括英飞凌（Infineon），安森美（ONSemiconductor），恩智浦半导体（NXP），商升特半导体（Semtech）等。根据韦尔股份2020年年度报告，其2020年TVS销售额为5.03亿元。ESD保护器件的市场目前主要由欧美厂商主导，根据OMDIA发布的研究报告，全球前

34、五大厂商分别为安世半导体（Nexperia）、意法半导体（STMicroelectronics）、商升特（Semtech）、安森美（ONSemiconductor）、晶焱（Amazing）。上述前五大厂商2020年销售额为7.08亿美元，占全球市场份额约为67.12%。3、TVS/ESD保护器件的未来发展趋势TVS/ESD保护器件的应用领域广泛，随着在5G基础设施和5G手机、电动汽车充电桩、个人电脑、工业电子等市场的推动下，预计TVS/ESD保护器件将以较大幅度增长。在消费类电子领域，由于产品集成度高，技术要求不断提升，产品更新换代较快，相应地对ESD保护器件的技术创新要求也较高，未来的发展趋

35、势为小型化、集成化。ESD保护器件通常具有响应时间短、具备静电防护和浪涌吸收能力强等优点，可用于保护设备电路免受各类静电及浪涌的损伤，顺应了集成电路芯片发展的趋势和需要，市场前景广阔。第四章 项目选址可行性分析一、 项目选址原则项目选址应符合城乡规划和相关标准规范，有利于产业发展、城乡功能完善和城乡空间资源合理配置与利用，坚持节能、保护环境可持续利用发展，经济效益、社会效益、环境效益三效统一，土地利用最优化。二、 建设区基本情况鞍山，简称“鞍”，别称钢都、玉都，是辽宁省地级市，批复确定的中国重要的钢铁工业基地、辽中南地区重要的中心城市。截至2018年，全市下辖4个区、1个县、代管1个县级市和1

36、个自治县，总面积9255.4平方千米。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，鞍山市常住人口为3325372人。2020年，鞍山市实现地区生产总值1738.78亿元。鞍山地处中国东北地区、辽宁省中部、辽东半岛中部、环渤海经济区腹地，位于沈大黄金经济带的重要支点，是沈阳经济区副中心城市，辽宁中部城市群与辽东半岛开放区的重要连接带，批准的具有地方立法权的较大的市，也是东北地区最大的钢铁工业城市、中国第一钢铁工业城市，有着“共和国钢都”、“中国钢铁工业摇篮”的美誉。鞍山最早的文明可追溯到远古时代，在距今约两万年前，人类就开始在这里生息繁衍；有确切文献记载始于战国时期的燕国，隶属于辽东郡

37、；汉代开始土法冶铁，辽金进入极盛时期，冶铁文化历史久远。鞍山因市区南部一座形似马鞍的山峰而得名，因盛产岫玉，故而又有“中国玉都”之称，拥有世界第一玉佛、亚洲著名温泉、国家名胜千山、中华宝玉之都和祖国钢铁之都五大旅游品牌。鞍山是中国优秀旅游城市、国家森林城市、国家园林城市、国家卫生城市、全国文明城市、中国综合实力30强城市。2018年12月，鞍山被农业农村部确定为第二批中国特色农产品优势区。综合经济实力明显增强，经济结构和产业结构明显改善，完成发展新旧动能转换，形成发展新动力。全市地区生产总值增速、全市人均地区生产总值增速高于全省平均水平，三次产业比重更加趋于合理，钢铁及深加工产业稳定增长，菱镁

38、、装备制造、高新技术等主导产业实现倍增，“四产融合”城市融合经济体成为服务新发展格局，推动鞍山经济发展重要支撑，数字经济成为发展新引擎。当今世界正在经历百年未有之大变局，受全球新冠肺炎疫情大流行影响，国际环境日趋错综复杂。我国发展仍然处于重要战略机遇期，已转向高质量发展阶段，加快构建以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局，辽宁立足维护国家“五大安全”的战略定位，构建“一圈一带两区”区域发展格局，在国家发展大局中的战略地位更加重要。“十四五”期间，鞍山将迎来大发展的机遇，必将在全面振兴全方位振兴上取得新突破。鞍山处在加速经济结构调整的关键期。国家构建新发展格局是在国内统一大市场基

39、础上，形成大循环。鞍山有较好的产业优势、资源优势，有条件和基础在加快培育完整内需体系方面有所作为。但鞍山的结构性问题依然突出，产业结构、产品结构单一。“十四五”期间，必须从单一的经济发展方式中走出来，补短板、强弱项，在做大钢铁产业的同时，更要做强菱镁和装备制造产业，大力发展数字经济为传统产业赋能，推进产业优化升级，发展新兴产业；大力发展“四产融合”城市融合经济体，深化城市活力建设，加快服务消费提质，促进消费升级，全面促进消费，拉动内需。鞍山产业链供应链面临新的机遇。鞍山具有国内最完整的钢铁产业体系。“十四五”期间，必须抓住国内大循环，推进产业链供应链优化升级的有利时机，组建鞍山冶金产业链集团公

40、司，以公司为平台撬动更多金融和社会资本集聚，同时积极吸引外埠企业进驻，强链、补链、拉链、壮链，全力打造鞍山冶金产业链供应链板块。进入发展新阶段，需要靠科技拉动满足内循环的国内需求。而鞍山的高新技术产业还没有形成规模，新兴产业比重低贡献小，以创新引领的发展模式还没有建立。“十四五”期间，必须大力发展“三院经济”，突出企业的主体地位，加强利益驱动机制的建立和相关的制度保证，壮大新能源、新材料等新兴产业，做大高新技术产业规模，增强发展新动能。鞍山大力推进区域融合发展尤其重要。全省正在构建以沈阳、大连“双核”为牵引的“一圈一带两区”区域发展格局（“一圈”即沈阳现代化都市圈，“一带”即辽宁沿海经济带，“

41、两区”即辽西融入京津冀协同发展战略先导区和辽东绿色经济区）。鞍山与全省“一圈一带两区”区域关联，同时也处于“一圈一带”区域的边界。“十四五”期间，鞍山发展必须发挥优势、突出特色，实现错位发展。充分发挥钢铁、菱镁产业带动作用，同时又要坚持融进去，吸纳进来，又辐射出去的战略，实现生产要素的有效流动，巩固城市地位，在全省区域发展中起到战略支撑作用。三、 建设支撑高质量发展的现代产业体系立足鞍山资源禀赋优势和产业基础优势，突出科技创新，做好改造升级“老字号”、深度开发“原字号”、培育壮大“新字号”这“三篇大文章”，大力发展钢铁及深加工、菱镁、装备制造、高新技术、“四产融合”城市融合经济体和数字经济。大

42、力发展钢铁及深加工产业。深入推进“双鞍”融合，打造鞍山冶金产业链供应链，打造全链条、最完整的全国钢铁产业链供应链基地和钢铁战略基地，全力打造世界级钢铁基地。全力支持鞍钢改革发展，搭建地企交流合作平台。服务鞍钢壮大钢铁主业，联合发展非钢产业，共建六大产业园，加速氢能、废钢、煤焦油深加工等项目建设。联手鞍钢向技术研发、工程承包、工程设计、检验检测、现代物流领域发展。提高铁矿开采量和利用率，统筹铁矿勘探开发，推广开采新技术，实现矿山可持续开发，促进铁矿资源资本化。共同开展矿山环境整治，发展矿山废岩及建筑垃圾综合利用项目，实现钢铁行业超低排放，建设绿色化智慧化矿山。推进地方钢铁企业与鞍钢差异化发展。支

43、持地方企业与鞍钢合作。大力发展菱镁产业。加强菱镁资源管理，推动菱镁产业向精深加工和新材料方向发展，全力打造世界级菱镁新材料产业基地。扩大资源优势，加大矿山整合整顿力度。加快矿山生态修复。推动存量企业整合重组，发展具备核心竞争力的企业集团，坚定不移推进海镁集团改革。建设海城牌楼菱镁产业转型升级试验区，打造鞍山改革的先行区，建设全国菱镁产业的生产性服务基地。组建菱镁新材料技术创新联盟，推进产品技术升级，拉长菱镁产业链。制定菱镁新产品标准，形成国际知名菱镁行业品牌。大力发展装备制造产业。围绕能源装备、交通运输装备、冶金矿山成套装备、关键核心零部件、智能装备、节能环保装备六个领域，利用5G、人工智能等

44、信息技术赋能，推动装备制造业向智能化、高端化、绿色化、成套化迈进，打造全国重要的高端装备制造业基地，建设智能制造与创新基地。支持重点企业成为行业领军企业。加快推进生产型制造向服务型制造转变。推动装备制造企业“走出去”“请进来”，积极参与“一带一路”沿线国家在基础设施建设和加工制造等重点领域合作。四、 大力发展“四产融合”城市融合经济体充分发挥文化、旅游、体育、健康“四产融合”就业广覆盖、消费强拉动作用，突出文化牵动，以利益为纽带，依托政策引导，撬动更多社会资本投入，推动更多“四产”企业和“四产”项目做大做强，建设中国北方重要旅游休闲目的地城市和东北新兴健康产业基地，打造千亿级城市融合经济体。五

45、、 项目选址综合评价项目选址所处位置交通便利、地势平坦、地理位置优越，有利于项目生产所需原料、辅助材料和成品的运输。通讯便捷，水资源丰富，能源供应充裕。项目选址周围没有自然保护区、风景名胜区、生活饮用水水源地等环境敏感目标，自然环境条件良好。拟建工程地势开阔，有利于大气污染物的扩散，区域大气环境质量良好。项目选址具备良好的原料供应、供水、供电条件，生产、生活用水全部由项目建设地提供，完全可以保障供应。第五章 建筑工程说明一、 项目工程设计总体要求（一）设计原则本设计按照国家及行业指定的有关建筑、消防、规划、环保等各项规定，在满足工艺和生产管理的条件下，尽可能的改善工人的操作环境。在不额外增加投

46、资的前提下，对建筑单体从型体到色彩质地力求简洁、鲜明、大方，突出现代化工业建筑的个性。在整个建筑设计中，力求采用新材料、新技术，以使建筑物富有艺术感，突出时代特点。（二）设计规范、依据1、建筑设计防火规范2、建筑结构荷载规范3、建筑地基基础设计规范4、建筑抗震设计规范5、混凝土结构设计规范6、给排水工程构筑物结构设计规范二、 建设方案1、本项目建构筑物完全按照现代化企业建设要求进行设计，采用轻钢结构、框架结构建设，并按建筑抗震设计规范（GB500112010）的规定及当地有关文件采取必要的抗震措施。整个厂房设计充分利用自然环境，强调丰富的空间关系，力求设计新颖、优美舒适。主要建筑物的围护结构及

47、屋面，符合建筑节能和防渗漏的要求；车间厂房设有天窗进行采光和自然通风，应选用气密性和防水性良好的产品。.2、生产车间的建筑采用轻钢框架结构。在符合国家现行有关规范的前提下，做到结构整体性能好，有利于抗震防腐，并节省投资，施工方便。在设计上充分考虑了通风设计，避免火灾、爆炸的危险性。.3、建筑内部装修设计防火规范，耐火等级为二级；屋面防水等级为三级，按照屋面工程技术规范要求施工。.4、根据地质条件及生产要求，对本装置土建结构设计初步定为：生产车间采用钢筋混凝土独立基础。.5、根据项目的自身情况及当地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求，确定本项目生产生间拟采用全钢结构。.6、本项目的抗震设防烈

48、度为6度，设计基本地震加速度值为 0.05g，建筑抗震设防类别为丙类，抗震等级为三级。.7、建筑结构的设计使用年限为50年，安全等级为二级。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积12855.98，其中：生产工程7638.39，仓储工程2578.56，行政办公及生活服务设施1142.94，公共工程1496.09。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程2379.567638.39959.951.11#生产车间713.872291.52287.991.22#生产车间594.891909.60239.991.33#生产车间571.091833.21230.39

49、1.44#生产车间499.711604.06201.592仓储工程865.292578.56212.652.11#仓库259.59773.5763.802.22#仓库216.32644.6453.162.33#仓库207.67618.8551.042.44#仓库181.71541.5044.663办公生活配套273.431142.94175.873.1行政办公楼177.73742.91114.323.2宿舍及食堂95.70400.0361.554公共工程822.031496.09149.22辅助用房等5绿化工程997.2916.31绿化率13.60%6其他工程2009.244.807合计733

50、3.0012855.981518.80第六章 法人治理一、 股东权利及义务1、公司召开股东大会、分配股利、清算及从事其他需要确认股东身份的行为时，由董事会或股东大会召集人确定股权登记日，股权登记日收市后登记在册的股东为享有相关权益的股东。2、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配；（2）依法请求、召集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会，并行使相应的表决权；（3）依法请求人民法院撤销董事会、股东大会的决议内容；（4）对公司的经营进行监督，提出建议或者质询；（5）依照法律、行政法规及本章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份；（6）查阅本章程、股东名

51、册、公司债券存根、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议、财务会计报告；（7）公司终止或者清算时，按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配；（8）对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东，要求公司收购其股份；（9）单独或者合计持有公司百分之10以上股份的股东，有向股东大会行使提案的权利；（10）法律、行政法规、部门规章或本章程规定的其他权利。3、股东提出查阅前条所述有关信息或者索取资料的，应当向公司提供证明其持有公司股份的种类以及持股数量的书面文件，公司经核实股东身份后按照股东的要求予以提供。4、公司股东大会、董事会决议内容违反法律、行政法规的，股东有权请求人民法院认定无效。

52、股东大会、董事会的会议召集程序、表决方式违反法律、行政法规或者本章程，或者决议内容违反本章程的，股东有权自决议作出之日起_日内，请求人民法院撤销。5、董事、高级管理人员执行公司职务时违反法律、行政法规或者本章程的规定，给公司造成损失的，连续180日以上单独或合并持有公司1%以上股份的股东有权书面请求监事会向人民法院提起诉讼；监事会执行公司职务时违反法律、行政法规或者本章程的规定，给公司造成损失的，股东可以书面请求董事会向人民法院提起诉讼。监事会、董事会收到前款规定的股东书面请求后拒绝提起诉讼，或者自收到请求之日起30日内未提起诉讼，或者情况紧急、不立即提起诉讼将会使公司利益受到难以弥补的损害的

53、，前款规定的股东有权为了公司的利益以自己的名义直接向人民法院提起诉讼。他人侵犯公司合法权益，给公司造成损失的，本条第一款规定的股东可以依照前两款的规定向人民法院提起诉讼。6、董事、高级管理人员违反法律、行政法规或者本章程的规定，损害股东利益的，股东可以向人民法院提起诉讼。7、公司股东承担下列义务：（1）遵守法律、行政法规和本章程；（2）依其所认购的股份和入股方式缴纳股金；（3）除法律、法规规定的情形外，不得退股；（4）不得滥用股东权利损害公司或者其他股东的利益；不得滥用公司法人独立地位和股东有限责任损害公司债权人的利益；公司股东滥用股东权利给公司或者其他股东造成损失的，应当依法承担赔偿责任。公

54、司股东滥用公司法人独立地位和股东有限责任，逃避债务，严重损害公司债权人利益的，应当对公司债务承担连带责任。（5）法律、行政法规及本章程规定应当承担的其他义务。8、持有公司_%以上有表决权股份的股东，将其持有的股份进行质押的，应当自该事实发生当日，向公司作出书面报告。9、公司的控股股东、实际控制人员不得利用其关联关系损害公司利益。违反规定的，给公司造成损失的，应当承担赔偿责任。公司控股股东及实际控制人对公司和公司社会公众股股东负有诚信义务。控股股东应严格依法行使出资人的权利，控股股东不得利用利润分配、资产重组、对外投资、资金占用、借款担保等方式损害公司和社会公众股股东的合法权益，不得利用其控制地

55、位损害公司和社会公众股股东的利益。二、 董事1、公司董事为自然人，有下列情形之一的，不能担任公司的董事：（1）无民事行为能力或者限制民事行为能力；（2）因贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序，被判处刑罚，执行期满未逾5年，或者因犯罪被剥夺政治权利，执行期满未逾5年；（3）担任破产清算的公司、企业的董事或者厂长、经理，对该公司、企业的破产负有个人责任的，自该公司、企业破产清算完结之日起未逾3年；（4）担任因违法被吊销营业执照、责令关闭的公司、企业的法定代表人，并负有个人责任的，自该公司、企业被吊销营业执照之日起未逾3年；（5）个人所负数额较大的债务到期未清偿；（6）法律、行

56、政法规或部门规章规定的其他内容。违反本条规定选举、委派董事的，该选举、委派或者聘任无效。董事在任职期间出现本条情形的，公司解除其职务。2、董事由股东大会选举或更换，任期3年。董事任期届满，可连选连任。董事在任期届满以前，股东大会不能无故解除其职务。董事任期从就任之日起计算，至本届董事会任期届满时为止。董事任期届满未及时改选，在改选出的董事就任前，原董事仍应当依照法律、行政法规、部门规章和本章程的规定，履行董事职务。董事可以由总裁或者其他高级管理人员兼任，但兼任总裁或者其他高级管理人员职务的董事，总计不得超过公司董事总数的1/2。3、董事应当遵守法律、行政法规和本章程，对公司负有下列忠实义务：（1）不得利用职权收受贿赂或者其他非法收入，