SRAM的简单的读写操作_图文

1、SRAM的简单的读写操作 目录1 概要 (32 硬件系统设计 (32.1 硬件平台 (32.2设计方案 (42.2.1 写SRAM (42.2.2 读SRAM (52.2.3 实验步骤和现象 (61 概要SRAM的读写时序比较简单,作为异步时序设备,SRAM对于时钟同步的要求不高,可以在低速下运行,下面就介绍SRAM的一次读写操作,在硬件上(红色飓风II代EP1C6实现,并做出实验现象,是为了最简单的说明SRAM的读写,并不能指导SRAM在实际中的应用。思路如下:1 把一个16位数写到SRAM的一个地址中。(12 然后再把它读出来,虽然它是16位的,可以把它的后4位(或任意4位读出来显示在le

2、d灯上。(23 以上写和读是分别用两个工程分别实现的,写完SRAM之后不断电,然后再运行读SRAM;这样做的好处是有利于初学者最简单的理解SRAM的读写操作,不必对SRAM的数据总线进行方向处理。(3注释:(1因为红色飓风II代EP1C6用的SRAM是ISSI公司的IS61LV25616AL,数据线是16位的。 (2红色飓风II代EP1C6上的led是4个,也就是4位的。(3通常的SRAM读写,是要在FPGA里面实现一个连接SRAM数据线的数据总线,通过信号来控制这个总线的状态,读SRAM的时候,让这个数据总线为高阻态;写SRAM的时候,控制SRAM 的几个使能信号,让SRAM的数据线为高阻态

3、进行数据写入。红色飓风配套光盘有这个SRAM 的例子,这里不再赘述。2 硬件系统设计2.1 硬件平台开发板: 红色飓风II代EP1C6板上资源: SRAM 256K*16bit2.2设计方案2.2.1 写SRAM根据IS61LV25616AL的数据手册,写SRAM的时序部分和注释部分如下: 这部分是用WE信号(低电平有效控制写SRAM,只要把CE、OE、UB、LB信号拉低,然后给出地址和数据,我们只要把WE拉低,即可把数据写到相应的地址了,这时定义数据线为输出,在工程里面是这样去做的:output 15:0 Sram_dq ; /写SRAM,所以定义Sram_dq为输出/CE、OE、UB、LB

4、信号拉低assign oSram_be_n = 2'b00;assign oSram_ce_n = 1'b0;assign oSram_oe_n = 1'b0;assign Sram_dq=Sram_dq_reg ; /把要写入的值给数据线always (posedge clk or negedge iRstif (!iRstbeginoSram_we_n <=1'b1;endelsebeginoSram_we_n <=1'b0; /WE信号拉低,写SRAMSram_dq_reg<=16'hFFFA; /把要写入的值给数据寄存器

5、,最低4位是4'h5(或4'b0101,/ Sram_dq1=0;Sram_dq0=1;oSram_a<=18'h3FFFF; / 给出要写入的地址end当然,也可以向不同的地址写入不同的数据,只不过在读的时候,读的地址必须是刚才写的地址。2.2.2 读SRAM读SRAM的时序部分和注释部分如下: 读SRAM就更简单了,是用地址线控制读SRAM的,把CE、OE、UB、LB信号拉低,WE拉高,给出地址即可读出地址线上的数据,当然是在不断电的情况下,因为SRAM数据是断电丢失的,我们把16位数据的最低4位给led,以检测我们写读SRAM的结果。读SRAM的时候,定义数

6、据线为输入,在工程里面是这样去做的:input 15:0 Sram_dq ; /读SRAM,所以定义Sram_dq为输入/CE、OE、UB、LB信号拉低assign oSram_be_n = 2'b00;assign oSram_ce_n = 1'b0 ;assign oSram_oe_n = 1'b0 ;always (posedge clk or negedge iRstif (!iRstbeginoSram_we_n <=1'b1; /系统复位,we拉高endelsebeginoSram_a<=18'h3FFFF; / 给出要读SRAM的地址,即可读SRAMoLed<=Sram_dq3:0; /把读出的数据线的最后4位输出到led上/Sram_dq1=0；Sram_dq0=1； /所以对应的 led 就是：oLed3=0；oLed2=1；oLed1=0；oLed0=1； /（对应 DD4 灭、 DD3 亮、 DD2 灭、 DD1 亮） end 223 实验步骤和现象 写 SRAM 工程下载： 读 SRAM 工程下载：