半导体器件(二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放)

1、半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（ ）。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（ ） A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（ ）。A.削弱 B.增强 C.不变 D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。A.有 B.没

2、有 C.少数 D.多数6、 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ ）。A减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻 D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（ ）器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（ ）。A. 发射结和集电结均反偏 B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏 D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )， A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）电路。 A.差放 B.正弦 C.数字 D.功率放大0iD/mA-4 uGS

3、/V511、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ）。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（ ）。AP沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。A输入电阻高 B.输出电阻低 14、如右图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的b约为（ ）。A1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，

4、工作在( )。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D不确定16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ） 。 A. 非饱和区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 击穿区18、稳压二极管稳压时，其工作在( )。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D.饱和区19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 （ ） A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可以增大输入电阻20、测得BJT各电极对地电压为：VB=，VC=，VE=4V，则该BJT工作在（ ）状态

5、。 A.截止 B.饱和 C.放大 D. 无法确定21、FET是（ ）控制器件。 A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（ ）。 A.电阻大 B. 功率大 C. 电压高 D.功率小23、二极管的电流方程是（ ）。A B. C. D. 24、FET是（ ）控制器件。 A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场25、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏26、测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-3V，则

6、1、2、3脚对应的三个极是（ ）。A.ebc B.ecb C.cbe D.bec27、稳压二极管是利用PN结的（ ）。 A.单向导电性 B.反向击穿性 C.电容特性 D.正向特性28、测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是（ ）。A.ebc B.ecb C.cbe D.bec29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。30、 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）A集电极最大允许功耗 B集电极最大允许电流C集基极反向击穿电压（） D. （）E31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为

7、( )。A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ，反向电阻小C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大32、电路如图1所示，设二极管D1，D2，D3 的正向压降忽略不计，则输出电压uO =（ ）。 A . 2V B. 0V C. 6V D. 12V图133、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。34、结型场效应管利用栅源极间所加的( )来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压 B.反向电流 C.正偏电压 D.正向电流35、场效应管是属于（ ）控制型器件。36、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。 A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态 37、测量某硅B

8、JT 各电极的对地电压值为 ， ，该管子工作在（ ）38、如图1所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的b约为（ ）。V2V1图139、共模抑制比越大，表明电路（ ）。 A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 二、填空题：40、根据是否掺入杂质，半导体可分为 半导体和 半导体两大类。41、N沟道场效应管中的载流子是 ，P沟道场效应管中的载流子是 。42、图1所示处于反向截止状态的PN结，则a、b两区分别是PN结的 区、 区。43、PN结是靠多数载流子的 运动和少数载流子的 运动形成的。44、 PN结中内电场阻止 的扩散，推动 的漂移运动。45、二极管的特性是 ，

9、场效应管是 控制型器件。46、集成运放是多级 耦合放大器。47、 BJT工作在放大区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。48、集成运放内部是一个具有高放大倍数的 耦合的放大电路，故它的主要缺点是 ，为了克服这一缺点，输入级一般采用 电路提高放大倍数，中间级一般采用 负载，放大管多用 ；为了提高功率，输出级常采用互补对称电路。49、BJT是 控制器件，FET是 控制器件。50、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为，则此二极管_；若两次读数都接近零，则此二极管_；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管_。51、设如图3电路中, D1为硅二极管, D2为锗二极管, 则D1处

10、于 状态, D2处于 状态, 输出电压Uo为 伏。图352、 BJT工作在截止区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。53、结型场效应管输入回路PN结处于 状态，因此它的输入电阻比双极型三极管的输入电阻 。54、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区，即： 、 、 ；要使三极管工作在放大区必须给发射结加 ，集电结加 。55、测得工作在放大电路中的晶体管三个电极电位分别为，则此管是 型三极管，材料为 。56、理想运放有“虚短”即指 和“虚断”即指 两个重要特性，“虚地”是 的特殊情况。57、二极管最主要的特性是 。58、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数 、 。59、在室温下，某三极管的I

11、CBO=8µA，b=70，穿透电流为 mA 。另一只三极管的电流值：IB = 20mA时IC A、IB = 80mA时IC 8mA，该管的b = 。60、整流二极管的整流作用是利用PN结的 特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的 特性。三、判断题：61、运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。（ ）62、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）63、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（ ）64、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。（ ）65、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ）66、N型半导体中的多数

12、载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ ）67、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ ）68、BJT的值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是值越大越好。（ ）69、发射结处于反偏的BJT，它一定工作在截止区。（ ）70、BJT是由两个PN结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT使用。（ ）71、BJT的输入电阻rbe是对交流而言的一个动态电阻，在小信号情况下为常数。（ ）72、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（）73、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）74、处于放大状态的晶体管其基极电流同场效应管的栅极电流

13、差不多。（ ）75、三极管是双极型管，属于电流控制器件；场效应管是单极性管，属于电压控制器件。（ ）76、在运放电路中，闭环增益Àf是指广义的放大倍数。（ ）7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ）80、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的基础上增加1倍，它的两端压降也增加1倍。（ ）81、双极型晶体管和场效应管都是电流控制型器件。（ ）82、处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号运算时，两个输入端对地的直流电阻必须相等，才能防止输入偏置电流带来误差。（ ）四、分析作图题：83、画出图中各电路的u0波形。设ui=10sint(V),且二极管具有理想特性。10KDuiRuo2uiDR10Kuo1 10K 84、电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。  分析作图题答案：83、解：