微电子工艺基础掺杂技术

1、 微电子工艺基础微电子工艺基础 微电子工业基础微电子工业基础 本章目标：本章目标：1、熟悉掺杂技术的两种方式、熟悉掺杂技术的两种方式2、熟悉扩散掺杂的原理、熟悉扩散掺杂的原理3、掌握离子注入相关概念及其原理、掌握离子注入相关概念及其原理4、熟悉离子注入的工艺流程、熟悉离子注入的工艺流程5、了解离子注入系统的设备及其优点、了解离子注入系统的设备及其优点微电子工业基础微电子工业基础 一、扩散一、扩散二、离子注入技术二、离子注入技术三、集成电路的形成三、集成电路的形成微电子工业基础微电子工业基础 一、扩散一、扩散 1、扩散原理、扩散原理 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散 3、扩散设备与工艺、扩

2、散设备与工艺 4、工艺质量检测、工艺质量检测微电子工业基础微电子工业基础 1、扩散原理、扩散原理扩散是微电子工艺中最基本的平面工艺，在约扩散是微电子工艺中最基本的平面工艺，在约1000的高温、的高温、p型或型或n型杂质气氛中，杂质向衬底型杂质气氛中，杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法，也叫热扩散。定域、定量掺杂的一种工艺方法，也叫热扩散。微电子工业基础微电子工业基础 1、扩散原理、扩散原理 （1）扩散方式）扩散方式 固相扩散扩散是一种自然现象，由物质自身的热运动引起。扩散是一种自然现象，由物质自身的

3、热运动引起。微电子工艺中的扩散是杂质在晶体内的扩散，因此微电子工艺中的扩散是杂质在晶体内的扩散，因此是一种固相扩散。是一种固相扩散。微电子工业基础微电子工业基础 1、扩散原理、扩散原理 （1）扩散方式）扩散方式 扩散的方式晶体内扩散是通过一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃晶体内扩散是通过一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃在整个三维方向进行，有多种方式，最主要有：在整个三维方向进行，有多种方式，最主要有：A 填隙式扩散填隙式扩散B 替位式扩散替位式扩散C 填隙填隙-替位式扩散替位式扩散微电子工业基础微电子工业基础 1、扩散原理、扩散原理 （1）扩散方式）扩散方式 扩散的方式 A 填隙式扩散微电子工业

4、基础微电子工业基础 1、扩散原理、扩散原理 （1）扩散方式）扩散方式 扩散的方式 B 替位式扩散替位式扩散微电子工业基础微电子工业基础 1、扩散原理、扩散原理 （1）扩散方式）扩散方式 扩散的方式 C 填隙填隙-替位式扩散替位式扩散许多杂质既可以是替位式也可以是填隙式溶于晶体的晶许多杂质既可以是替位式也可以是填隙式溶于晶体的晶格中，并以填隙格中，并以填隙-替位式扩散。这类扩散杂质的跳跃速替位式扩散。这类扩散杂质的跳跃速率随晶格缺陷浓度，空位浓度和杂质浓度的增加而迅速率随晶格缺陷浓度，空位浓度和杂质浓度的增加而迅速增加。增加。微电子工业基础微电子工业基础 1、扩散原理、扩散原理 （2）扩散方程）

5、扩散方程 第一扩散定律晶体衬底中杂质扩散流密度与杂质浓度梯度成正比，晶体衬底中杂质扩散流密度与杂质浓度梯度成正比，这是第一扩散定律，也称这是第一扩散定律，也称Fick第一定律。第一定律。微电子工业基础微电子工业基础 1、扩散原理、扩散原理 （2）扩散方程）扩散方程 第一扩散定律微电子工业基础微电子工业基础 1、扩散原理、扩散原理 （2）扩散方程）扩散方程 第二扩散定律讨论晶体中杂质浓度与扩散时间关系，又称讨论晶体中杂质浓度与扩散时间关系，又称Fick第二定律。第二定律。微电子工业基础微电子工业基础 1、扩散原理、扩散原理 （2）扩散方程）扩散方程 影响扩散速率的因素A 晶体内杂质浓度梯度；晶体

6、内杂质浓度梯度；B 环境温度；环境温度；C 杂质本身结构、性质；杂质本身结构、性质；D 晶体衬底的结构。晶体衬底的结构。微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（1） 掺杂的目的 （P218）A 在晶圆表面下的特定位置处形成在晶圆表面下的特定位置处形成PN结结（结合（结合P218的图的图11.3-图图11.5）；）；B 在晶圆表面下得到所需的掺杂浓度；在晶圆表面下得到所需的掺杂浓度；（结合（结合P219同型掺杂）同型掺杂）微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（2） 硅中的杂质类型 替位式杂质主要是主要是III和和V族元素，具有电活性，

7、在硅中有族元素，具有电活性，在硅中有较高的固溶度。多以替位方式扩散，扩散速率较高的固溶度。多以替位方式扩散，扩散速率慢，称为慢扩散杂质。慢，称为慢扩散杂质。微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（2） 硅中的杂质类型 填隙式杂质主要是主要是I和和族元素，族元素，Na、K、Li、H、Ar等，等，它们通常无电活性，在硅中以填隙式方式进它们通常无电活性，在硅中以填隙式方式进行扩散，扩散速率快。行扩散，扩散速率快。微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（2） 硅中的杂质类型 填隙-替位式杂质 大多数过渡元素：大多数过渡元素：AuAu、FeFe

8、、CuCu、PtPt、NiNi、AgAg等。都以等。都以填隙填隙- -替位式方式扩散，约比替位扩散快五六个数量级，替位式方式扩散，约比替位扩散快五六个数量级，最终位于间隙和替位这两种位置，位于间隙的杂质无最终位于间隙和替位这两种位置，位于间隙的杂质无电活性，位于替位的杂质具有电活性。电活性，位于替位的杂质具有电活性。微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（2）扩散方程的解 恒定源扩散恒定源扩散是硅一直处于杂质氛围恒定源扩散是硅一直处于杂质氛围中，硅片表面达到了该扩散温度的中，硅片表面达到了该扩散温度的固溶度固溶度Ns。解扩散方程：。解扩散方程：NbNsxj1 xj

9、2 xj3xNt1t2t3边界条件为：边界条件为：N（0，t）=Ns初始条件为：初始条件为：N（x，0）=0 微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（2）扩散方程的解 恒定源扩散NbNsxj1 xj2 xj3xNt1t2t3DtxerfcNdeNtxnsDtxs22,2/2erfc称为余误差函数，所以恒定源扩散杂质浓度服从余误差分布。DtNNerfcxsbj12DtNDtNdxtxNQss13. 12,0微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（2）扩散方程的解 限定源扩散限定源扩散是在整个扩散过程中，杂质源限限定源扩散是在整个扩散过程

10、中，杂质源限定在扩散前积累于硅片表面薄层内的杂质总定在扩散前积累于硅片表面薄层内的杂质总量量Q。微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（2）扩散方程的解 限定源扩散XXji xj2 xj3NsNsNs”t1t2t300 xtN边界条件：边界条件：初始条件：初始条件：00 ,QdxxN22xNDtN解扩散方程：解扩散方程：Nb微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（2）扩散方程的解 限定源扩散DtxeDtQtxN42,限定源扩散杂质浓度是一种高斯函数分布。扩散过限定源扩散杂质浓度是一种高斯函数分布。扩散过程中杂质表面浓度变化很大，但杂质

11、总量程中杂质表面浓度变化很大，但杂质总量Q Q不变。不变。DtQNsDtADtNNxbsj21ln2微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（3）实际扩散 场助扩散效应硅衬底的掺杂浓度对杂质的扩散速率有影响，硅衬底的掺杂浓度对杂质的扩散速率有影响， 衬底衬底掺杂浓度高时这一影响将使扩散速率显著提高，称之掺杂浓度高时这一影响将使扩散速率显著提高，称之为场助扩散效应。为场助扩散效应。微电子工业基础微电子工业基础 2、杂质在硅中的扩散、杂质在硅中的扩散（3）实际扩散 横向扩散效应（P218）不管是扩散还是离子注入都会发生横向扩散现象，横向扩散的线度是纵向扩散的0.75-0

12、.85倍。微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（1）扩散源 液态源（参见教材P223）液态源通常是所需掺杂元素的氯化物或溴化物。例液态源通常是所需掺杂元素的氯化物或溴化物。例如：如： POCl3、BBr3选择源必需满足固溶度和扩散系数的要求。另外还选择源必需满足固溶度和扩散系数的要求。另外还要选择好掩蔽膜。要选择好掩蔽膜。微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（1）扩散源 液态源（参见教材P223）液相源扩散系统微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（1）扩散源 液态源（参见教材P223）层流形成系统：层流形成系统

13、：微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（1）扩散源 固态源（参见教材P223）最原始的淀积源。最原始的淀积源。固态源通常是氧化物固态源通常是氧化物B2O3、Sb2O5、P2O5等陶等陶瓷片或粉体，也有用瓷片或粉体，也有用BN。微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（1）扩散源 固态源使用固态源的三种方式：使用固态源的三种方式： （参见教材（参见教材P225）A 远程源（匙）远程源（匙）B 近邻源（圆片）近邻源（圆片）C 涂抹源涂抹源微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（1）扩散源 固态源（参见教材P223）固相源

14、扩散系统微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（1）扩散源 气态源（参见教材P224）气态源通常是氢化物：气态源通常是氢化物：B2H6、PH3、AsH3、 BCl3，最受欢迎的扩散源方式。，最受欢迎的扩散源方式。微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（1）扩散源 气态源（参见教材P224）微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（2）扩散流程 预 淀 积 ：（参见P222）A 预清洗与刻蚀预清洗与刻蚀B 炉管淀积炉管淀积C 去釉（漂硼硅玻璃或磷硅玻璃）去釉（漂硼硅玻璃或磷硅玻璃）D 评估（假片或陪片）评估（假片或陪片）

15、 再分布（评估）：（参见P226）微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（2）扩散流程 预淀积评估（假片或陪片）：通常测方块电阻，方块电阻评估（假片或陪片）：通常测方块电阻，方块电阻是指表面为正方形的薄膜，在电流方向的电阻值。是指表面为正方形的薄膜，在电流方向的电阻值。 炉管淀积：一般予淀积温度较低，时间也较短。氮炉管淀积：一般予淀积温度较低，时间也较短。氮气保护。气保护。去釉（漂硼硅玻璃或磷硅玻璃）：炉管淀积后的去釉（漂硼硅玻璃或磷硅玻璃）：炉管淀积后的窗口表面有薄薄的一层硼硅玻璃，用窗口表面有薄薄的一层硼硅玻璃，用HF漂去。漂去。微电子工业基础微电子工业基础 3、

16、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（2）扩散流程 预淀积微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（2）扩散流程 再分布（评估）再分布温度较高，时间也较长。通氧气直接生长氧再分布温度较高，时间也较长。通氧气直接生长氧化层。化层。微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（2）扩散流程 再分布（评估）微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（2）扩散流程扩散工艺有一步工艺和两步工艺：扩散工艺有一步工艺和两步工艺：一步工艺一步工艺 是恒定源扩散，杂质分布服从余误差分布；是恒定源扩散，杂质分布服从余误差分布；两步工艺两步工艺 分为予淀积

17、和再分布两步分为予淀积和再分布两步予淀积是恒定源扩散，目的是在扩散窗口硅表层扩入总量一予淀积是恒定源扩散，目的是在扩散窗口硅表层扩入总量一定的掺杂元素。再分布是限定源扩散，掺杂源总量已在予淀定的掺杂元素。再分布是限定源扩散，掺杂源总量已在予淀积时扩散在窗口上了，再分布的目的是使杂质在硅中具有一积时扩散在窗口上了，再分布的目的是使杂质在硅中具有一定的分布或达到一定的结深。定的分布或达到一定的结深。微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（3）B扩散原原 理：理： 2 B2O3 + 3Si 4B +3SiO2 选源：选源： 固态固态BN源使用最多，必须活化。源使用最多，必须

18、活化。 800-1000活化：活化： 4BN + 3O2 2B2O3 + 2N2特点：特点： B与与Si晶格失配系数为晶格失配系数为0.254，失配大，有伴生应，失配大，有伴生应力缺陷，造成严重的晶格损伤，在力缺陷，造成严重的晶格损伤，在1500，硼在硅中的最，硼在硅中的最大固溶度达大固溶度达4*102 0/cm3，但是最大电活性浓度是，但是最大电活性浓度是5*1019/cm3。 微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（4）P扩散原原 理：理：2P2O5 + 5Si 4P + 5SiO2选源：选源： 固态固态P2O5陶瓷片源使用最多，无须活化。陶瓷片源使用最多，无须活

19、化。 特点：特点：磷是磷是n形替位杂质，失配因子形替位杂质，失配因子0.068，失配小，失配小，杂质浓度可达杂质浓度可达1021/cm3，该浓度即为电活性浓度。，该浓度即为电活性浓度。微电子工业基础微电子工业基础 3、扩散工艺与设备、扩散工艺与设备（5）例子（N+PN晶体管） 微电子工艺基础微电子工艺基础 微电子工业基础微电子工业基础 4、工艺质量检测、工艺质量检测（1）工艺指标 杂质表面浓度杂质表面浓度 结深结深 薄层电阻薄层电阻 分布曲线分布曲线（2）工艺条件（T, t）的确定 解析扩散方程获得工艺条件，目前用计算机解析扩散方程获得工艺条件，目前用计算机模拟的工艺参数。模拟的工艺参数。微电

20、子工业基础微电子工业基础 4、工艺质量检测、工艺质量检测（3）工艺参数测量工艺参数测量 染色法测结深染色法测结深 阳极氧化测分布函数阳极氧化测分布函数 四探针法测方块电阻四探针法测方块电阻 四探针法测电阻率四探针法测电阻率（4）电参数测量 I-V曲线曲线微电子工业基础微电子工业基础 二、离子注入技术二、离子注入技术 1、概述、概述 2、离子注入工艺、离子注入工艺 3、离子注入技术的应用、离子注入技术的应用微电子工业基础微电子工业基础 1、概述、概述（1）热扩散的限制 横向扩散横向扩散 实现浅结困难实现浅结困难 掺杂浓度控制精度掺杂浓度控制精度 表面污染表面污染 微电子工业基础微电子工业基础 1

21、、概述、概述（2）离子注入技术的引入 高集成度电路的发展需要更小的特征图形与更近的高集成度电路的发展需要更小的特征图形与更近的电路器件间距。热扩散对电路的生产已有所限制，电路器件间距。热扩散对电路的生产已有所限制，于是离子注入法诞生。（见教材于是离子注入法诞生。（见教材P228）离子注入是将含所需杂质的化合物分子（如离子注入是将含所需杂质的化合物分子（如BCl3、BF3）电离为杂质离子后，聚集成束用强电场加速，）电离为杂质离子后，聚集成束用强电场加速，使其成为高能离子束，直接轰击半导体材料，当离使其成为高能离子束，直接轰击半导体材料，当离子进入其中时，受半导体材料原子阻挡，而停留在子进入其中时

22、，受半导体材料原子阻挡，而停留在其中，成为半导体内的杂质。其中，成为半导体内的杂质。微电子工业基础微电子工业基础 1、概述、概述（2）离子注入源 对于离子注入而言，只采用气态或固态源材料。对于离子注入而言，只采用气态或固态源材料。由于便于使用和控制，所以离子注入偏向于使由于便于使用和控制，所以离子注入偏向于使用气态源。大多数的气态源通常是氟化物，比用气态源。大多数的气态源通常是氟化物，比如如PF5、 AsF5、 BF3、 SbF3与与 PF3。微电子工业基础微电子工业基础 1、概述、概述（3）离子注入原理 离子注入是离子被强电场加速后注入靶中，离离子注入是离子被强电场加速后注入靶中，离子受靶原

23、子阻止，停留其中，经退火后杂质进子受靶原子阻止，停留其中，经退火后杂质进入替位、电离成为具有电活性的杂质。这一过入替位、电离成为具有电活性的杂质。这一过程是一非平衡的物理过程（扩散为化学过程）程是一非平衡的物理过程（扩散为化学过程） 。微电子工业基础微电子工业基础 1、概述、概述（4）离子穿透深度 核阻止核阻止 离子与硅原子核碰撞，离子能量离子与硅原子核碰撞，离子能量转移到硅原子核上，结果将使离子改变运动方转移到硅原子核上，结果将使离子改变运动方向，而硅原子核可能离开原位，成为填隙硅原向，而硅原子核可能离开原位，成为填隙硅原子核。子核。 电子阻止电子阻止 离子与硅中的束缚电子或自由离子与硅中的

24、束缚电子或自由电子碰撞，能量转移到电子，由于离子质量远电子碰撞，能量转移到电子，由于离子质量远大于电子，离子方向不变，能量稍减，而束缚大于电子，离子方向不变，能量稍减，而束缚电子被激发或电离，自由电子发生移动。电子被激发或电离，自由电子发生移动。影响离子穿透深度的因素有：影响离子穿透深度的因素有：微电子工业基础微电子工业基础 1、概述、概述（4）离子穿透深度 行程（行程（R）射程射程 （RP） 微电子工艺基础微电子工艺基础 微电子工业基础微电子工业基础 1、概述、概述（5） 注入离子分布与剂量 （P235） 分布函数分布函数注入离子的能量是按几率分布的，注入离子的能量是按几率分布的， 所以杂质

25、分布也是所以杂质分布也是按几率分布的。按几率分布的。离子注入后杂质浓度的分布接近高斯分布。（教材离子注入后杂质浓度的分布接近高斯分布。（教材P235）221exp2)(RpRpxRpQxnT微电子工业基础微电子工业基础 1、概述、概述（5） 注入离子分布与剂量 （P235） 注入离子剂量理论上可以由离子电流大小来量度：理论上可以由离子电流大小来量度：AItQT181025. 6其中：其中：I为电流；为电流；t为时间；为时间；A为注入面积。为注入面积。实际上高能离子入射到衬底时，一小部分与表面晶核原子弹性散射而从衬底表面反射回来并未进入衬底，这叫作背散射现象。微电子工业基础微电子工业基础 1、概

26、述、概述（5） 注入离子分布与剂量 （P235） 影响注入的两种效应A 侧向效应侧向效应 与扩散比侧向杂质浓度很小，可以与扩散比侧向杂质浓度很小，可以不考虑。不考虑。 B 沟道渗透效应沟道渗透效应 衬底为单晶材料，如果粒子束准衬底为单晶材料，如果粒子束准确的沿着晶格方向注入，注入纵向分布峰值与高斯确的沿着晶格方向注入，注入纵向分布峰值与高斯分布不同。一部分粒子束穿过较大距离。这就是沟分布不同。一部分粒子束穿过较大距离。这就是沟道渗透效应。（道渗透效应。（P236）微电子工业基础微电子工业基础 1、概述、概述（6）注入损伤与退火 （P235-236） 晶格损伤 （详细可参考P235最下部分）高能

27、离子在硅（靶）内与晶格多次碰撞，能量转移高能离子在硅（靶）内与晶格多次碰撞，能量转移到晶格，晶格原子位移，位移原子再碰撞其它原子，到晶格，晶格原子位移，位移原子再碰撞其它原子，使其它原子再位移，即出现级联碰撞，从而导致晶使其它原子再位移，即出现级联碰撞，从而导致晶格损伤。格损伤。微电子工业基础微电子工业基础 1、概述、概述（6）注入损伤与退火 （P235-236） 退火B 注入杂质电激活注入杂质电激活 注入的杂质多以填隙式方式存在于硅中，无电注入的杂质多以填隙式方式存在于硅中，无电活性。退火，在某一高温下保持一段时间，使杂质活性。退火，在某一高温下保持一段时间，使杂质通过扩散进入替位位置，有电

28、活性。通过扩散进入替位位置，有电活性。A 修复晶格损伤修复晶格损伤退火的目的：退火的目的：微电子工业基础微电子工业基础 1、概述、概述（6）注入损伤与退火 （P235-236） 退火退火特点退火特点 ： A 效果与温度，时间有关，温度越高、时间越效果与温度，时间有关，温度越高、时间越长退火效果越好。长退火效果越好。 B 退火使得杂质再分布。退火使得杂质再分布。微电子工业基础微电子工业基础 2、离子注入工艺、离子注入工艺（1）衬底与掩膜 衬底衬底 为（为（111）晶向硅时，为了防止沟道渗）晶向硅时，为了防止沟道渗透效应，一般采取偏离晶向透效应，一般采取偏离晶向7 掩膜掩膜 因为离子注入是在常温下

29、进行，所以因为离子注入是在常温下进行，所以光刻胶、二氧化硅薄膜、金属薄膜等多种材料都可光刻胶、二氧化硅薄膜、金属薄膜等多种材料都可以作为掩膜使用，要求掩蔽效果达到以作为掩膜使用，要求掩蔽效果达到99.99%99.99%。微电子工业基础微电子工业基础 2、离子注入工艺、离子注入工艺（2）注入方法 A 直接注入：离子在光刻窗口直接注入直接注入：离子在光刻窗口直接注入Si衬底。射程大、衬底。射程大、杂质重时采用。杂质重时采用。 B 间接注入法：通过介质薄膜或光刻胶注入衬底晶体。间接注入法：通过介质薄膜或光刻胶注入衬底晶体。间接注入沾污少，可以获得精确的表面浓度。间接注入沾污少，可以获得精确的表面浓度

30、。 C 多次注入：通过多次注入使杂质纵向分布精确可控，多次注入：通过多次注入使杂质纵向分布精确可控，与高斯分布接近；也可以将不同能量、剂量的杂质多次与高斯分布接近；也可以将不同能量、剂量的杂质多次注入到衬底硅中，使杂质分布为设计形状。注入到衬底硅中，使杂质分布为设计形状。 微电子工业基础微电子工业基础 2、离子注入工艺、离子注入工艺（3）注入工艺 A 离子化离子化 B 质谱分析（选择合适粒子）质谱分析（选择合适粒子） C 电场加速电场加速 D 聚焦聚焦微电子工业基础微电子工业基础 2、离子注入工艺、离子注入工艺（4）退火 高温退火高温退火 快速退火快速退火 激光退火激光退火 电子束退火电子束退

31、火后两种方法是较新的低温退火工艺。退火温度要低于扩散杂质时温度以防止横向扩散。微电子工业基础微电子工业基础 3、离子注入技术的应用、离子注入技术的应用（1）优点）优点 离子注入克服热扩散的几个问题：离子注入克服热扩散的几个问题： A 横向扩散，没有侧向扩散横向扩散，没有侧向扩散 B 浅结浅结 C 粗略的掺杂控制粗略的掺杂控制 D 表面污染的阻碍表面污染的阻碍 离子注入引入的额外的优势：离子注入引入的额外的优势： （P228） A 在接近常温下进行在接近常温下进行 B 使宽范围浓度的掺杂成为可能使宽范围浓度的掺杂成为可能微电子工业基础微电子工业基础 3、离子注入技术的应用、离子注入技术的应用（2

32、）设备微电子工业基础微电子工业基础 3、离子注入技术的应用、离子注入技术的应用（2）设备微电子工业基础微电子工业基础 3、离子注入技术的应用、离子注入技术的应用（3）缺点 设备昂贵设备昂贵 设备在高压和更多有毒气体的设备在高压和更多有毒气体的使用上出现新的危险使用上出现新的危险 超浅结不易控制超浅结不易控制微电子工业基础微电子工业基础 三、集成电路的形成三、集成电路的形成 1、概述、概述 2、器件与集成电路工艺的区别、器件与集成电路工艺的区别 3、电隔离、电隔离 4、电连接、电连接 5、局部氧化、局部氧化 6、平面化、平面化 7、吸杂、吸杂微电子工业基础微电子工业基础 第9章 掺杂技术 三、集

33、成电路的形成1、概述IC是指在一个芯片上制备多个微电子元件（晶是指在一个芯片上制备多个微电子元件（晶体管、电阻、电容等），各元件之间是电隔离体管、电阻、电容等），各元件之间是电隔离的。的。IC采用金属薄膜实现各元件之间的电连接，由采用金属薄膜实现各元件之间的电连接，由此构成电路。此构成电路。集成电路的制造工艺与分立器件的制造工艺一集成电路的制造工艺与分立器件的制造工艺一样都是在硅平面工艺基础上发展起来的，有很样都是在硅平面工艺基础上发展起来的，有很多相同之处，同时又有所不同。多相同之处，同时又有所不同。微电子工业基础微电子工业基础 第9章 掺杂技术 三、集成电路的形成2、器件与集成电路工艺的区

34、别相同点：单项工艺相同的方法外延，氧化，光相同点：单项工艺相同的方法外延，氧化，光刻，扩散，离子注入，淀积等。刻，扩散，离子注入，淀积等。不同点：主要有电隔离，电连接，局部氧化，不同点：主要有电隔离，电连接，局部氧化，平整化以及吸杂等。平整化以及吸杂等。微电子工业基础微电子工业基础 第9章 掺杂技术 三、集成电路的形成3、电隔离双极型集成电路多采用双极型集成电路多采用PN结隔离，是在硅片衬底结隔离，是在硅片衬底上通过扩散与外延等工艺制作出隔离岛，元件就做上通过扩散与外延等工艺制作出隔离岛，元件就做在隔离岛上。在隔离岛上。（1） PN结隔离优点：工艺成熟，方法简单，成品率高缺点：缺点：PN结有反向漏电现象，反向漏电受温度、结有反向漏电现象，反向漏电受温度、辐射等外部环境影响大，故辐射等外部环境影响大，故PN结隔离的结隔离的IC有受温有受温度、辐射等的外部环境影响大的缺点。度、辐射等的外部环境影响大的缺点。微电子工业基础微电子工业基础 第9章 掺杂技术 三、集成电路的形成3、电隔离主