关于电子元器件储存期限的调研报告

1、关于电子元器件储存期限的调研报告在积压物资处理过程中， 我们发现有较多的电子元器件因过期而 报废。查阅集团仓储管理制度第 4.3.4 规定：电子元器件保质期 一年，如库存时间超期，则一律报废处理。经对 117库、 212 库现存 的电子元器件进行分析，查阅相关论文，咨询权威专家教授，并对供 应商技术负责人、电子元器件市场进行了调研，具体情况如下：一、查阅权威论文1、信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心、电子元器 件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室工程师杨丹女士的论 文电子元器件的贮存可靠性及评价技术 （详见附件一），得到信息 如下：“影响元器件贮存寿命的主要因素是元器件本身包含的各

2、种 缺陷，凡含有缺陷的元器件都不能满足系统长期贮存的要求， 无缺陷 或缺陷少的元器件， 只要正确使用， 就能满足系统十几甚至是二十年 的长期贮存要求 ”。“美国桑迪亚国家实验室（SNL）的专项研究证实了这一点5。他们收集了美国国防部（DOD的部分“高可靠”微电子器件 （如MOSLS、双极型SSI ）在非工作状态下的大量贮存数据，贮存 年份主要在810年之间，甚至20年以上。数据分析表明，非工作 状态下元器件的贮存失效并非单纯地呈指数分布规律， 其失效在较大 程度上由设计、 制造和生产过程的质量监控造成的缺陷所引起。 基于 这些贮存试验数据，对 MIL-HDBK-217 中的预计模型进行了修正，

3、新 模型充分考虑到制造过程中引入的工艺和结构缺陷对贮存可靠性的 影响，模型对比如图 1 所示。分析认为 预计手册 6 低估了微电子 器件的短期贮存（不高于 5 年）可靠性，而高估了长期贮存 （高于 20 年）的可靠性 ”。“杨家铿 . 电子元器件长期贮存可靠性分析 A . 第九届全 国可靠性物理学术讨论会论文集 C . 广州：信息产部电子第五研究。 我们曾对近万只元器件在北京室内的贮存数据进行分析， 确定贮 存失效率随时间的变化规律、 失效模式和影响贮存可靠性的主要因素， 进而结合广州、广元、桂林等地的长期贮存试验结果， 估算出 国产一 般半导体器件的贮存寿命（允许管腿沾锡处理的情况）可达 1

4、4 年或 以上”。2、机电部第四十研究所黄秀铭的论文论现行 IEC 密封电子元 器件密封性标准的合理性 （详见附件二），得到信息如下：“皿级标准为最低级的密封性标准，可用于一般商用的密封电子 元器件。这类元器件内部无电接触零件（如触头、插脚等） ，也无需 充有保护气体。常用于腔体小于0.1cm3的半导体，一般储存寿命（在 正常环境中）可达数年以上 ”。二、供应商、电子元器件市场调查 电子元器件供应商与电子市场商家均反馈， 无法确定电子元器件 具体的储存期限，只要储存环境达到要求（温度：-10 C40C,相 对湿度：10%80%,可存放几年到几十年不等。附件三：关于对电子元器件供应商、电子市场的

5、调研报告三、咨询权威专家教授1、黄洪钟，电子科技大学机械电子工程学院院长， 博士，教授， 博士生导师， 2011 年质量、可靠性、风险、维修性、安全性国际学 术会议（ ICQR2MSE 201，1 EI 收录）大会主席。经咨询，其答复：电子元器件没有保质期一说， 一般电子元器件， 如电容，只要表面包装没损坏，也是可以用的 。2、许军，装甲兵工程学院控制工程系，教授，研究方向：电路 故障。经咨询，其答复：电子元器件在一般情况下，可存放 3-5 年。3、费庆宇，高级工程师，理学硕士， “电子产品可靠性与环境试 验”杂志编委， 长期从事半导体器件的可靠性、失效机理和失效分析 技术研究。“ VLSI失效分析与可靠性评价技术”课题第一完成人，该 课题荣获 2006年度“国防科技二等奖” 。经咨询，其答复：电子元器件在一般情况下，可存放 3-5 年。四、调研结论1、查阅权威论文的结论 无缺陷或缺陷少的电子元器件， 在一定的环境下， 能储存几年甚 至十几年。2、对供应商、电子元器件市场调研的结论只要储存环境达到要求（温度：-10 C40C,相对湿度：10%-3、咨询权威专家教授的结论电子元器件在一般情况下，可存放 3-5 年。五、建议