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文档简介

1、Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 39, 10, 2021上图CVD方法中，Ni催化剂位于Si/SiO2衬底的外表，焦耳加热至900-1000度，然后通入CH4，在催化剂的作用下生成了石墨烯 J. Phys. D Appl. Phys. 43 (2021) 455402 这里用的是Co催化剂 Nano Lett. 9, 1 (2021) a图为生长石墨烯之前的光学图像，b图为生长石墨烯之后的光学图像，可以看到石墨烯覆盖在了原来Ni催化剂的外表 上图也给出了基片的构造其他一些制备方法 NATURE 468 549 2021 在Cu/Si/SiO2外表上涂一层PMM

2、A，加热后在Cu外表生成了石墨烯其他一些制备方法 APPLIED PHYSICS LETTERS 96, 063110 (2021) 无定形碳位于Ni薄膜和Si/SiO2衬底之间，加热再冷却，在Ni的外表生成了石墨烯其他一些制备方法 small 2021, 6, 11, 1226 在MgO(001)上覆盖Co，再在其外表覆盖上聚苯乙烯，真空中加热生成石墨烯生长机理 PhysRevB.80.235422 该模型以为在生长过程中，衬底中的Ru被蚀刻掉了，文中还结合LEEM图像进展了验证 New Journal of Physics 11 (2021) 063046 本文研讨了在Ru(001)和Ir(111)外表上生长石墨烯的影响要素 nature materials 7 406 2021 经过IV光谱的丈量和模拟得到了石墨烯在Ru(001)外表的堆叠方式 PhysRevLett.104.186101 利用VASP计算研讨了Ir/Ru/Cu外表上C-C对的稳定性，之所以要研讨C-C对是由于其是石墨烯生长过程中成核的中心 Phy

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