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文档简介

转肩（将提拉速度提高到34mm/min，当 直径达到要求时，转肩完成） Ø 等径生长（主体生长阶段，达到直径要求） Ø 收尾（晶棒底部收尾成尖形，可有效提高 硅棒的成品率） Ø 停炉（将晶体提起约40mm，坩埚下降约 50mm，停止晶棒移动，降温降压至0V， 15min后，关闭氩气，继续抽真空至10Pa 以下，4小时后关闭冷却水） Ø 单晶硅片切割与抛光 头、尾料切断（内圆切割、外圆切割） Ø 外径磨削（通过滚磨获得精确的直径 Ø 平边或V型槽处理（晶体定向，用X射线定 向仪） Ø 切片（内圆切割、线切割） Ø 倒角（将切割后锐利的边缘修整为圆弧形， 防止晶片边缘破裂；倒角机） Ø 研磨（去除锯痕及表面损伤，改善晶片翘 曲、平坦度与平行度） Ø 腐蚀（去除晶片表面因加工应力而形成的 损伤层） ü 酸性腐蚀（硝酸+氢氟酸+缓冲剂） ü 碱性腐蚀（氢氧化钾或氢氧化钠+纯水） Ø 抛光（改善表面微缺陷，获得高度平坦的 晶片表面） ü 粗抛（表面去除量控制在1020m） ü 精抛（表面去除量控制在1 m以下） ü 化学、机械两种共同作

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