第三章 二极管

1、一、判断题因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）×PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）二极管的四类理想模型分别是理想二极管模型、恒压模型、折线模型、小信号模型（ ）。掺入3价杂质元素形成的半导体叫N型半导体。（ ）×掺入5价杂质元素形成的半导体叫N型半导体。（ ）N型半导体多子为电子，而P型半导体的少子为空穴（ ）×N型半导体多子为电子，而P型半导体的少子也是电子。（ ）PN结外加反向电压指N极电位比P极电位高。（ ）×PN结外加反向电压耗尽层变厚，扩散电流增加。（ ）×PN结外加反向电压耗尽层变厚，耗尽层变厚，扩散电

2、流增加。（ ）Si二极管的正向导通电压比较Ge二极管的正向导通电压高。（ ）二极管的反向击穿有两种，一种是齐纳击穿，另一种雪崩击穿，齐纳击穿时所需反压一般比较雪崩击穿时高。（ ）二极管的齐纳击穿是可逆的。（ ）二极管的热击穿是可逆的，而击电穿是不可逆。（ ）×发光二极管正常工作时加正向偏置电压，而稳压二极管正常工作时一般加反向偏置电压。（ ）PN结外加反向电压势垒区变窄。（ ）×二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。（）二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。（）二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。（）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可

3、将其改型为P型半导体。（）稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（ ）×二、填空题当PN结外加反向电压时，耗尽层厚度将变，漂移电流的大小将。厚，增加 纯净的半导体叫半导体。掺入3价杂质元素形成的半导体叫型 半导体，它主要靠导电。 本征，P型，空穴掺杂半导体叫半导体。掺入5价杂质元素形成的半导体叫型 半导体，它主要靠导电。 本征，N型，电子PN结正向偏置是指P区接电源的极、N区接电源的极。这时多子的作运动较强，PN结厚度变，结电阻较。正，负，扩散，薄，小当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。增加，增大，下半导体稳压管的稳压功

4、能是利用PN结的特性来实现的。反向击穿二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。高，低，单向在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。5，3PN结在时导通，时截止，这种特性称为。正向偏置，反向偏置，单向导电性光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。光，电，反向发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。电，光，正向二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。点触型，面触型二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中

5、是可逆的，而会损坏二极管。电击穿，热击穿半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。电子，空穴，空穴，电子本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。N，电子，空穴PN结正偏是指P区电位N区电位。高于温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。降低，增加普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。反向击穿状态，反向击穿状态构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。电阻纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。本征半导体，杂质半导体在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。浓度差（分子

6、热运动），内电场PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。阻碍，促进发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。正向偏压，光电流硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。高，小三、单项选择题把电动势是1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管（ ）A、电流为零 B、电流基本正常 C、击穿 D、被烧坏D 稳压管工作时，其PN结（）。A、正向导通；B、流过的电流很大；C、反向击穿；D、流过的电流为零C 在本征半导体中加入（ ）元素可形成N型半导体。 A、五价 B、四价 C、三价 D、三价与五价A 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。A、

7、增大 B、不变 C、减小 D、无法判断A 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）。A、增加B、不变C、减小D、不能确定A 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。A、左移，下移B、右移，上移C、左移，上移D、右移，下移A在PN结外加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流。A、小于，大于B、大于，小于C、大于，大于D、小于，小于B设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（）。A、B、C、D、C下列符号中表示发光二极管的为（）。C稳压二极管工作于正常

8、稳压状态时，其反向电流应满足( )。A、ID = 0 B、ID < IZ且ID > IZM C、IZ > ID > IZM D、IZ < ID < IZMD杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。A、少子B、多子C、杂质离子 D、空穴A从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0 B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降B杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺 C、掺杂浓度D、晶体缺陷CPN结形成后，空间电荷区由（）构成。A、电子和空穴B、施主离子和受主离子C、施主离子和电子D、受主离子和空穴B硅管正偏导

9、通时，其管压降约为（）。A、0.1V B、0.2V C、0.5V D、D用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流（ ），所测得正向电阻阻值（ ）。A、直流，相同，相同B、交流，相同，相同C、直流，不同，不同D、交流，不同，不同C在25ºC时，某二极管的死区电压Uth，反向饱和电流IS，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。A、Uth，IS0.05pA B、Uth，ISC、Uth，IS0.05pA D、Uth，ISD四、计算分析题已知稳压管的稳定电压UZ = 6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA，最大功耗P

10、ZM =150mW。试求稳压管正常工作时电阻R的取值范围。解：如图所示电路中，发光二极管导通电压UD1V，正常工作时要求正向电流为515mA。试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R的取值范围是多少？解：，R为267800电路如下图所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和vO=VO=?（VD=0.7V）； （2）在室温（300 K）情况下，利用二极管的小信号模型求vO的变化范围。（4分）解：2、电路如图所示。（1）利用硅二极管的恒压降模型求电路的ID和vO =VO =?（VD=0.7V）（2）在室温（300 K）情况下，利用二极管的小信号模型求vO的变化范围。电路如下

11、图所示，已知ui5sint (V)，二极管导通电压UD0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。解：波形如下图，ui大于3.7或者小于-3.7时，二极管导通，否则截止。电路如下图所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。解：uO的波形如图所示。电路如下图所示，二极管导通电压UD0.7V，常温下UT26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流ID（VUD）/R其动态电阻 rDUT/ID10故动态电流有效值IdUi/rD1mA现有两只

12、稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V若将它们串联相接，则可得到种稳压值；若将它们并联相接，则又可得到种稳压值4，2已知稳压管的稳定电压UZ6V，稳定电流的最小值IZmin5mA，最大功耗PZM150mW。试求图所示电路中电阻R的取值范围。解：稳压管的最大稳定电流IZMPZM/UZ25mA电阻R的电流为IZMIZmin，所以其取值范围为 已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ6V，最小稳定电流IZmin5mA，最大稳定电流IZmax25mA。（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；（2）若UI35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？解：（1）当UI10V时，若UOUZ6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 当UI15V时，稳压管中的电流大于最 图P1.9小稳定电流IZmin，所以UOUZ6V同理，当UI35V时，UOUZ6V。（