磁电式传感器第九章ppt课件

1、第九章第九章 磁电式传感器磁电式传感器 主要内容：主要内容： 9.1 9.1 磁电感应式传感磁电感应式传感器器 9.2 9.2 霍尔式传感器霍尔式传感器 9.3 9.3 磁敏传感器磁敏传感器 概述概述 磁电式传感器机械能机械能电电 量量 电感式传感器是把电感式传感器是把被测量转换成电感量被测量转换成电感量的变化，磁电式传感的变化，磁电式传感器通过检测磁场的变器通过检测磁场的变化测量被测量。化测量被测量。磁电传感器磁电传感器deNd t0eBlN 由由 磁电式传感器灵敏度：磁电式传感器灵敏度：0eN BlvSv 0SN Bl 根据以上原理有两种磁电感应式传感器：根据以上原理有两种磁电感应式传感器

2、： 恒磁通式：磁路系统恒定磁场，运动部件可以是线恒磁通式：磁路系统恒定磁场，运动部件可以是线圈也可以是磁铁。圈也可以是磁铁。 变磁通式：线圈、磁铁静止不动，转动物体引起磁变磁通式：线圈、磁铁静止不动，转动物体引起磁阻、磁通变化。阻、磁通变化。 图为开磁路变磁通式：线圈、磁铁静止不动，图为开磁路变磁通式：线圈、磁铁静止不动， 测量齿轮测量齿轮安装在被测旋转体上，随被测体一起转动。每转动一个齿，安装在被测旋转体上，随被测体一起转动。每转动一个齿， 齿齿的凹凸引起磁路磁阻变化一次，磁通也就变化一次，的凹凸引起磁路磁阻变化一次，磁通也就变化一次， 线圈中产线圈中产生感应电势，其变化频率等于被测转速与测

3、量齿轮上齿数的乘生感应电势，其变化频率等于被测转速与测量齿轮上齿数的乘积。这种传感器结构简单，但输出信号较小，且因高速轴上加积。这种传感器结构简单，但输出信号较小，且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速的场合。装齿轮较危险而不宜测量高转速的场合。 图为闭磁路变磁通式传感器，它由装在转轴上的内齿轮和图为闭磁路变磁通式传感器，它由装在转轴上的内齿轮和外齿轮、永久磁铁和感应线圈组成，内外齿轮齿数相同。外齿轮、永久磁铁和感应线圈组成，内外齿轮齿数相同。 当转当转轴连接到被测转轴上时，外齿轮不动，内齿轮随被测轴而转动，轴连接到被测转轴上时，外齿轮不动，内齿轮随被测轴而转动，内、外齿轮的相对转动使气隙

4、磁阻产生周期性变化，从而引起内、外齿轮的相对转动使气隙磁阻产生周期性变化，从而引起磁路中磁通的变化，使线圈内产生周期性变化的感应电动势。磁路中磁通的变化，使线圈内产生周期性变化的感应电动势。 显然，显然， 感应电势的频率与被测转速成正比。感应电势的频率与被测转速成正比。 9.1.2 9.1.2 磁电感应式传感器基本特性磁电感应式传感器基本特性当测量电路接入磁电传感器电路时，如下当测量电路接入磁电传感器电路时，如下图，磁电传感器的输出电流图，磁电传感器的输出电流IoIo为为 fofoRRlWvBRREI传感器的电流灵敏度为传感器的电流灵敏度为 fooIRRlWBvIS当传感器的工作温度发生变化或

5、受到外界磁场干扰、受到机械当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、受到机械振动或冲击时，其灵敏度将发生变化，从而产生测量误差，其振动或冲击时，其灵敏度将发生变化，从而产生测量误差，其相对误差为相对误差为 fIIRRdRldlBdBSdS（9-19-1） 1. 非线性误差非线性误差 磁电式传感器产生非线性误差的主要原因是：由于传感器线磁电式传感器产生非线性误差的主要原因是：由于传感器线圈内有电流圈内有电流I流过时，将产生一定的交变磁通流过时，将产生一定的交变磁通I，此交变磁通叠，此交变磁通叠加在永久磁铁所产生的工作磁通上，使恒定的气隙磁通变化加在永久磁铁所产生的工作磁通上，使恒定的气隙磁通

6、变化, 如如下图。当传感器线圈相对于永久磁铁磁场的运动速度增大时，将下图。当传感器线圈相对于永久磁铁磁场的运动速度增大时，将产生较大的感应电势产生较大的感应电势e和较大的电流和较大的电流I，由此而产生的附加磁场方，由此而产生的附加磁场方向与原工作磁场方向相反，减弱了工作磁场的作用，向与原工作磁场方向相反，减弱了工作磁场的作用， 从而使得从而使得传感器的灵敏度随着被测速度的增大而降低。当线圈的运动速度传感器的灵敏度随着被测速度的增大而降低。当线圈的运动速度与图所示方向相反时，感应电势与图所示方向相反时，感应电势e、线圈感应电流反向，所产生、线圈感应电流反向，所产生的附加磁场方向与工作磁场同向，从

7、而增大了传感器的灵敏度。的附加磁场方向与工作磁场同向，从而增大了传感器的灵敏度。 其结果是线圈运动速度方向不同时，传感器的灵敏度具有不同的其结果是线圈运动速度方向不同时，传感器的灵敏度具有不同的数值，使传感器输出基波能量降低，谐波能量增加数值，使传感器输出基波能量降低，谐波能量增加, 即这种非线即这种非线性特性同时伴随着传感器输出的谐波失真。性特性同时伴随着传感器输出的谐波失真。 显然，传感器灵敏显然，传感器灵敏度越高，线圈中电流越大，这种非线性越严重。度越高，线圈中电流越大，这种非线性越严重。 传感器电流的磁场效应传感器电流的磁场效应 2. 温度误差温度误差 当温度变化时，式当温度变化时，式

8、9-1中右边三项都不为零，对铜线而中右边三项都不为零，对铜线而言每摄氏度变化量为言每摄氏度变化量为dl/l0.16710-4, dR/R0.4310-2，dB/B每摄氏度的变化量决定于永久磁铁的磁性材料。对铝镍钴永久每摄氏度的变化量决定于永久磁铁的磁性材料。对铝镍钴永久磁合金，磁合金，dB/B-0.0210-2，这样由式，这样由式9-1可得近似值如下：可得近似值如下： Ct10%5 . 4这一数值是很可观的，所以需要进行温度补偿。补偿通常采用这一数值是很可观的，所以需要进行温度补偿。补偿通常采用热磁分流器。热磁分流器由具有很大负温度系数的特殊磁性材热磁分流器。热磁分流器由具有很大负温度系数的特

9、殊磁性材料做成。料做成。 它在正常工作温度下已将空气隙磁通分路掉一小部分。它在正常工作温度下已将空气隙磁通分路掉一小部分。 当温度升高时，当温度升高时， 热磁分流器的磁导率显著下降，经它分流掉的热磁分流器的磁导率显著下降，经它分流掉的磁通占总磁通的比例较正常工作温度下显著降低，从而保持空磁通占总磁通的比例较正常工作温度下显著降低，从而保持空气隙的工作磁通不随温度变化，维持传感器灵敏度为常数。气隙的工作磁通不随温度变化，维持传感器灵敏度为常数。 磁电感应式传感磁电感应式传感器通常用来做机器通常用来做机械振动测量。振械振动测量。振动传感器结构大动传感器结构大体分两种：体分两种： 动钢型线动钢型线圈

10、与壳体固定）圈与壳体固定） 动圈型永动圈型永久磁铁与壳固定）久磁铁与壳固定）动圈型动圈型动钢型动钢型n 信号输出测量电路信号输出测量电路 n 直接输出电动势测量速度；直接输出电动势测量速度； n 接入积分电路测量位移；接入积分电路测量位移； n 接入微分电路测量加速度。接入微分电路测量加速度。 esvxvtdvadtv 磁电式扭距传感器：磁电式扭距传感器： v 当扭距作用在转轴上时，两个磁电传当扭距作用在转轴上时，两个磁电传感器输出的感应电压感器输出的感应电压u1u1、u2u2存在相位差，存在相位差，相差与扭距的扭转角成正比，传感器可以相差与扭距的扭转角成正比，传感器可以将扭距引起的扭转角转换

11、成相位差的电信将扭距引起的扭转角转换成相位差的电信号。号。转轴测量电路测量电路磁电传感器磁电传感器1 1磁电传感器磁电传感器2 2齿型转盘齿型转盘u1u1u2u2u u 磁电式振动传感器的特点：磁电式振动传感器的特点： 磁电式振动传感器是惯性式传感器，不需要静止磁电式振动传感器是惯性式传感器，不需要静止的基准参考，可直接装在被测体上。的基准参考，可直接装在被测体上。 传感器是发电型传感器，工作时可不加电压，直传感器是发电型传感器，工作时可不加电压，直接将机械能转化为电能输出。接将机械能转化为电能输出。 速度传感器的输出电压正比于速度信号，便于直速度传感器的输出电压正比于速度信号，便于直接放大。

12、接放大。 输出阻抗低几十几千欧，对后置电路要求低，输出阻抗低几十几千欧，对后置电路要求低，干扰小。干扰小。 航空，发动机等设备的振动实验；航空，发动机等设备的振动实验； 兵器，坦克、火炮发射的振动持续时间影响第二次兵器，坦克、火炮发射的振动持续时间影响第二次发射；发射； 民用，机床、车辆、建筑、桥梁、大坝振动监测。民用，机床、车辆、建筑、桥梁、大坝振动监测。9.2 9.2 霍尔式传感器霍尔式传感器 实际应用中磁敏元件主要用于检测磁场，而与人们相关的磁场范围很宽，一般的磁敏传感器检测的最低磁场只能到 高斯。 磁场强度与磁场源的分布磁场强度与磁场源的分布610测磁的方法：测磁的方法： 利用电磁感应

13、作用的传感器强磁场如：利用电磁感应作用的传感器强磁场如： 磁头、机电设备、测转速、磁性标定、差磁头、机电设备、测转速、磁性标定、差动变压器；动变压器； 利用磁敏电阻、磁敏二极管、霍尔元件测利用磁敏电阻、磁敏二极管、霍尔元件测量磁场；量磁场； 利用磁作用传感器，磁针、表头、继电器；利用磁作用传感器，磁针、表头、继电器； 利用超导效应传感器；利用超导效应传感器； 利用核磁共振的传感器，有光激型、质子利用核磁共振的传感器，有光激型、质子型。型。 随着半导体技术的发展，磁敏传感器正向薄随着半导体技术的发展，磁敏传感器正向薄膜化，微型化和集成化方向发展。膜化，微型化和集成化方向发展。概述概述磁敏传感器磁

14、学量磁学量电信号电信号18781878年美国物理学家霍尔首先发现金属中的霍尔效年美国物理学家霍尔首先发现金属中的霍尔效应，因为太弱没有得到应用。随着半导体技术的发展，应，因为太弱没有得到应用。随着半导体技术的发展，人们发现半导体材料的霍尔效应非常明显，并且体积人们发现半导体材料的霍尔效应非常明显，并且体积小有利于集成化。霍尔传感器是基于霍尔效应。小有利于集成化。霍尔传感器是基于霍尔效应。把一个导体半导体薄片两端通以电流把一个导体半导体薄片两端通以电流I I，在垂，在垂直方向施加磁感强度直方向施加磁感强度B B的磁场，在薄片的另外两侧会的磁场，在薄片的另外两侧会产生一个与控制电流产生一个与控制电

15、流I I和磁场强度和磁场强度B B的乘积成比例的电的乘积成比例的电动势动势 。 或通电的导体半导体放在磁场中，电流或通电的导体半导体放在磁场中，电流I I与磁与磁场场B B方向垂直，在导体另外两侧会产生感应电动势，方向垂直，在导体另外两侧会产生感应电动势，这种现象称霍尔效应。这种现象称霍尔效应。 HU霍霍尔尔效效应应演演示示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，发生偏移，在半当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，发生偏移，在半导体第二垂直方向端面之间建立起霍尔电势。导体第二垂直方向端面之间建立起霍尔电势。在磁场作用下导体中的自由电子做定向运动。在磁场作用下导体中的自由电子做定向运

16、动。 每个电子受洛仑兹力作用被推向导体的另一每个电子受洛仑兹力作用被推向导体的另一侧：侧： LFq B霍尔电场作用于电子的力霍尔电场作用于电子的力HHFqE霍尔电场霍尔电场HHUEb当两作用力相等时电荷不再当两作用力相等时电荷不再 向两边积累达到动态平衡：向两边积累达到动态平衡：HLFFHqEq B霍尔电势：霍尔电势：HUvBb通过半导体薄片的电流通过半导体薄片的电流I I与下列因素有关：与下列因素有关： 载流子浓度载流子浓度n n，电子运动速度，电子运动速度v v，导体薄片横截面积，导体薄片横截面积 b b* *d d， q q 为电子电荷量。为电子电荷量。Inq bd 代入后：代入后：HH

17、HIBIBUBbRKIBnqdd 1HRnq 与材料有关与材料有关霍尔常数霍尔常数霍尔电势与电霍尔电势与电流和磁场强度流和磁场强度的乘积成正比的乘积成正比HHRKd与薄片尺寸有关与薄片尺寸有关霍尔灵敏霍尔灵敏度度式中：式中：电阻率、电阻率、nn电子浓度电子浓度 电子迁移率电子迁移率=/E =/E 单位电场强度作用下载流子运动速度。单位电场强度作用下载流子运动速度。磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度线成某一角度 时，实际上作用于霍尔元件上的有效时，实际上作用于霍尔元件

18、上的有效磁感应强度是其法线方向与薄片垂直的方向的分磁感应强度是其法线方向与薄片垂直的方向的分量，即量，即Bcos，这时的霍尔电势为，这时的霍尔电势为 UH=KHIBcos 结论：霍尔电势与输入电流结论：霍尔电势与输入电流I I、磁感应强度、磁感应强度B B成正成正比，且当比，且当B B的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电势为同频率如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电势为同频率的交变电势。的交变电势。 HHRKd1HRnq HHUKIB讨论：讨论： 任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但任何材料在一定条件下都能产生

19、霍尔电势，但不是都可不是都可 以制造霍尔元件以制造霍尔元件; ; 绝缘材料电阻率绝缘材料电阻率很大，电子迁移率很大，电子迁移率很小，很小，不适用；不适用； 金属材料电子浓度金属材料电子浓度n n很高，很高，RHRH很小，很小，UHUH很小很小; ; 半导体材料电阻率半导体材料电阻率较大较大 RHRH大，非常适于做霍大，非常适于做霍尔元件，半导体中电子迁移率一般大于空穴的迁尔元件，半导体中电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用移率，所以霍尔元件多采用 N N 型半导体多电型半导体多电子）子）; ; 由上式可见，厚度由上式可见，厚度d d越小，霍尔灵敏度越小，霍尔灵敏度 KH KH 越

20、大，越大， 所以霍尔元件做的较薄，通常近似所以霍尔元件做的较薄，通常近似1 1微米微米(d1m) (d1m) 。9.2.2 9.2.2 霍尔元件的基本结构与基本测量电霍尔元件的基本结构与基本测量电路路1. 1. 霍尔元件基本结构霍尔元件基本结构 霍尔元件的结构很简单，它是由霍尔片、四根引线和壳体组霍尔元件的结构很简单，它是由霍尔片、四根引线和壳体组成的，成的， 如图如图a a所示。所示。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片， 引出四根引线：引出四根引线： 1 1、 11两根引线加激励电压或电流，称激励电两根引线加激励电压或电流，称激励电极控制电极）；极控制电极）；

21、2 2、 22引线为霍尔输出引线，引线为霍尔输出引线， 称霍尔电极。称霍尔电极。 霍尔元件的壳体是用非导磁金属、霍尔元件的壳体是用非导磁金属、 陶瓷或环氧树脂封装的。陶瓷或环氧树脂封装的。 在在电路中，电路中， 霍尔元件一般可用两种符号表示，霍尔元件一般可用两种符号表示， 如图如图b b所示。所示。 国产霍尔元件别号的命名方法如下：国产霍尔元件别号的命名方法如下：常见的国产霍尔元件型号有常见的国产霍尔元件型号有HZ1HZ1、HZ2HZ2、HZ3HZ3、HT1HT1、HT2HT2、HS1HS1等。等。 霍尔晶体的外形为矩形薄片有四根引线，霍尔晶体的外形为矩形薄片有四根引线， 两端加激励，两端为输

22、出，两端加激励，两端为输出，RLRL为负载电为负载电阻阻 ； 电源电源E E通过通过R R控制激励电流控制激励电流I I； B B 磁场与元件面垂直向里）磁场与元件面垂直向里） 实测中可把实测中可把I I* *B B作输入，作输入， 也可把也可把I I或或B B单独做输入；单独做输入； 通过霍尔电势输出测量结果。通过霍尔电势输出测量结果。 输出输出UoUo与与I I或或B B成正比关系，或与成正比关系，或与I I* *B B成正比成正比关系。关系。 霍尔元件的转换效率较低，实际应用中，为了获得霍尔元件的转换效率较低，实际应用中，为了获得较大的霍尔电压，可将几个霍尔元件的输出串联起来，较大的霍尔

23、电压，可将几个霍尔元件的输出串联起来，如下图，在这种连接方法中，激励电流极应该是并联如下图，在这种连接方法中，激励电流极应该是并联的，如果将其接成串联，霍尔元件将不能正常工作，的，如果将其接成串联，霍尔元件将不能正常工作，虽然霍尔元件的串联可以增加输出电压，但其输出电虽然霍尔元件的串联可以增加输出电压，但其输出电阻也将增大。阻也将增大。9.2.3 9.2.3 霍尔元件的主要技术参数霍尔元件的主要技术参数(1) (1) 额定激励电流和最大允许激励电流额定激励电流和最大允许激励电流 当霍尔元件自身温升当霍尔元件自身温升1010时所流过的激励时所流过的激励电流称为额定激励电流。电流称为额定激励电流。

24、 以元件允许最大温升为以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。因霍尔电势随激励电流增加而线性增加，所以使因霍尔电势随激励电流增加而线性增加，所以使用中希望选用尽可能大的激励电流，因而需要知用中希望选用尽可能大的激励电流，因而需要知道元件的最大允许激励电流。改善霍尔元件的散道元件的最大允许激励电流。改善霍尔元件的散热条件，可以使激励电流增加。热条件，可以使激励电流增加。 (2） 输入电阻和输出电阻输入电阻和输出电阻 激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势对电路外部来说相当于一个电压

25、源，其电源内出电势对电路外部来说相当于一个电压源，其电源内阻即为输出电阻。阻即为输出电阻。 以上电阻值是在磁感应强度为零，以上电阻值是在磁感应强度为零，且环境温度在且环境温度在205时所确定的。时所确定的。 (3） 不等位电势和不等位电阻不等位电势和不等位电阻 当霍尔元件的激励电流为当霍尔元件的激励电流为I时，若元件所处位置磁时，若元件所处位置磁感应强度为零，感应强度为零， 则它的霍尔电势应该为零，但实际不则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势。为零。这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势。 产产生这一现象的原因有：生这一现象的原因有： 霍尔电极安装位置不对称

26、或不在同一等电位面霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；上； 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；几何尺寸不均匀； 激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。 (4） 寄生直流电势寄生直流电势 在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称为寄生直流电势。称为寄生直流电势。 其产生的原因有：其产生的原因有： 激励电极与霍尔电极接触不良，激励电极与霍尔电极接触不良

27、， 形成非欧姆接形成非欧姆接触，触， 造成整流效果；造成整流效果； 两个霍尔电极大小不对称，则两个电极点的热两个霍尔电极大小不对称，则两个电极点的热容不同，容不同， 散热状态不同而形成极间温差电势。散热状态不同而形成极间温差电势。 寄生直流电势一般在寄生直流电势一般在1mV以下，它是影响霍尔片以下，它是影响霍尔片温漂的原因之一。温漂的原因之一。 9.2.4 9.2.4 测量误差及误差的补偿测量误差及误差的补偿 1. 霍尔元件不等位电势补偿霍尔元件不等位电势补偿 不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势，霍尔电势， 而实用中要消

28、除不等位电势是极其困难的，因而必而实用中要消除不等位电势是极其困难的，因而必须采用补偿的方法。分析不等位电势时，可以把霍尔元件等效须采用补偿的方法。分析不等位电势时，可以把霍尔元件等效为一个电桥，为一个电桥， 用分析电桥平衡来补偿不等位电势。用分析电桥平衡来补偿不等位电势。 不等位电势的补偿：不等位电势的补偿： 分析不等位电势时可把霍尔元件等效为一个电桥，不等位电压分析不等位电势时可把霍尔元件等效为一个电桥，不等位电压相当于桥路初始有不平衡输出相当于桥路初始有不平衡输出U00U00，可在电阻大的桥臂上并，可在电阻大的桥臂上并联电阻。联电阻。2.2.温度补偿温度补偿 霍尔元件是采用半导体材料制成

29、的，因此它们的霍尔元件是采用半导体材料制成的，因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时，霍许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时，霍尔元件的载流子浓度、尔元件的载流子浓度、 迁移率、电阻率及霍尔系数都迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化，从而使霍尔元件产生温度误差。将发生变化，从而使霍尔元件产生温度误差。 为了减小霍尔元件的温度误差，为了减小霍尔元件的温度误差， 除选用温度系数除选用温度系数小的元件或采用恒温措施外，由小的元件或采用恒温措施外，由UH=KHIBUH=KHIB可看出：采用可看出：采用恒流源供电是个有效措施，可以使霍尔电势稳定。但恒流源供电是个有效措施，可以使霍尔电

30、势稳定。但也只能是减小由于输入电阻随温度变化所引起的激励也只能是减小由于输入电阻随温度变化所引起的激励电流电流I I的变化的影响。的变化的影响。 霍尔元件的灵敏系数霍尔元件的灵敏系数KH也是温度的函数，它随温也是温度的函数，它随温度变化将引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系度变化将引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系数与温度的关系可写成数与温度的关系可写成 KH=KH0(1+T) 大多数霍尔元件的温度系数大多数霍尔元件的温度系数是正值，它们的霍是正值，它们的霍尔电势随温度升高而增加尔电势随温度升高而增加TT倍。倍。 但如果同时让激但如果同时让激励电流励电流IsIs相应地减小，相应地减小，

31、并能保持并能保持KH Is KH Is 乘积不变，乘积不变，也就抵消了灵敏系数也就抵消了灵敏系数KHKH增加的影响。增加的影响。 电路中电路中IsIs为恒流源，分流电阻为恒流源，分流电阻RpRp与霍尔元件的与霍尔元件的激励电极相并联。当霍尔元件的输入电阻随温度升激励电极相并联。当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时，旁路分流电阻高而增加时，旁路分流电阻RpRp自动地增大分流，减自动地增大分流，减小了霍尔元件的激励电流小了霍尔元件的激励电流IHIH，从而达到补偿的目的。，从而达到补偿的目的。 霍尔集成电路可分为线性型和开关型两大类。霍尔集成电路可分为线性型和开关型两大类。 线性型集成电路是将霍尔

32、元件和恒流源、线性差线性型集成电路是将霍尔元件和恒流源、线性差动放大器等做在一个芯片上，输出电压为伏级，比直动放大器等做在一个芯片上，输出电压为伏级，比直接使用霍尔元件方便得多。较典型的线性型霍尔器件接使用霍尔元件方便得多。较典型的线性型霍尔器件如如UGN3501UGN3501等。等。 线性型三端线性型三端 霍尔集成电路霍尔集成电路9.2.5 9.2.5 霍尔集成传感器霍尔集成传感器线性型霍尔特性线性型霍尔特性 右图示出了具有双右图示出了具有双端差动输出特性的线性端差动输出特性的线性霍尔器件的输出特性曲霍尔器件的输出特性曲线。当磁场为零时，它线。当磁场为零时，它的输出电压等于零；当的输出电压等

33、于零；当感受的磁场为正向磁感受的磁场为正向磁钢的钢的S S极对准霍尔器件极对准霍尔器件的正面时，的正面时， 输出为输出为正；磁场反向时，输出正；磁场反向时，输出为负。为负。 请画出线性范围请画出线性范围开关型霍尔集成电路开关型霍尔集成电路 开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、压电路、放大器、施密特触发器、OC门集门集电极开路输出门等电路做在同一个芯片上。电极开路输出门等电路做在同一个芯片上。当外加磁场强度超过规定的工作点时，当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门门由高阻态变为导通状态，输出变为低电平；由高阻态变为导通状态，输出变为

34、低电平；当外加磁场强度低于释放点时，当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变门重新变为高阻态，输出高电平。较典型的开关型霍为高阻态，输出高电平。较典型的开关型霍尔器件如尔器件如UGN3020等。等。开关型霍尔集成电路开关型霍尔集成电路的外形及内部电路的外形及内部电路OCOC门门 施密特施密特 触发电路触发电路 双端输入、双端输入、 单端输出运放单端输出运放霍尔霍尔 元件元件. .VccVcc开关型霍尔集成电路的史密特输出特性开关型霍尔集成电路的史密特输出特性 回差越回差越大，抗振动大，抗振动干扰能力就干扰能力就越强。越强。9.2.6 9.2.6 霍尔传感器的应用霍尔传感器的应用 霍尔电势是关于

35、霍尔电势是关于I、B、 三个变三个变量的函数，即量的函数，即 EH=KHIBcos 。利用。利用这个关系可以使其中两个量不变，将这个关系可以使其中两个量不变，将第三个量作为变量，或者固定其中一第三个量作为变量，或者固定其中一个量，其余两个量都作为变量。这使个量，其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。得霍尔传感器有许多用途。霍尔传感器用于测量磁场强度霍尔传感器用于测量磁场强度 霍尔元件霍尔元件测量铁心测量铁心 气隙的气隙的B值值霍尔转速表霍尔转速表 在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机械系统中的一个在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机械系统中的一个齿轮，将线性型霍尔器件及

36、磁路系统靠近齿盘。齿盘的转动使磁路齿轮，将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。齿盘的转动使磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化，霍尔器件输出的微小脉冲信的磁阻随气隙的改变而周期性地变化，霍尔器件输出的微小脉冲信号经隔直、放大、整形后可以确定被测物的转速。号经隔直、放大、整形后可以确定被测物的转速。霍尔转速表原理霍尔转速表原理 当齿对准霍尔元件时，磁力线集中穿当齿对准霍尔元件时，磁力线集中穿过霍尔元件，可产生较大的霍尔电动势，过霍尔元件，可产生较大的霍尔电动势，放大、整形后输出高电平；反之，当齿轮放大、整形后输出高电平；反之，当齿轮的空挡对准霍尔元件时，输出为低电平。的空挡对准霍尔元件时，输出为低

37、电平。霍尔转速传感器在汽车防抱死装置霍尔转速传感器在汽车防抱死装置ABS中的应用中的应用 若汽车在刹车时车轮被抱死，将产生若汽车在刹车时车轮被抱死，将产生危险。用霍尔转速传感器来检测车轮的转危险。用霍尔转速传感器来检测车轮的转动状态有助于控制刹车力的大小。动状态有助于控制刹车力的大小。带有微带有微型磁铁型磁铁的霍尔的霍尔传感器传感器钢质钢质霍尔霍尔霍尔式无触点汽车电子点火装置霍尔式无触点汽车电子点火装置 采用霍尔式无采用霍尔式无触点电子点火装置触点电子点火装置能较好地克服汽车能较好地克服汽车合金触点点火时间合金触点点火时间不准确、触点易烧不准确、触点易烧坏、高速时动力不坏、高速时动力不足等缺点

38、。足等缺点。 汽车点火线圈汽车点火线圈高压输出高压输出接头接头12V低压电源低压电源输入接头输入接头霍尔式无触点汽车电子点火装置工作原理霍尔式无触点汽车电子点火装置工作原理 采用霍尔式无触点电子点火装置无磨损、点采用霍尔式无触点电子点火装置无磨损、点火时间准确、高速时动力足。火时间准确、高速时动力足。桑塔纳汽车霍尔式分电器示意图桑塔纳汽车霍尔式分电器示意图 1-1-触发器叶片触发器叶片 2-2-槽口槽口 3-3-分电器转轴分电器转轴 4-4-永久磁铁永久磁铁 5-5-霍尔集成电路霍尔集成电路PNPPNP型霍尔型霍尔ICIC） a a带缺口的触发器叶片带缺口的触发器叶片 b b触发器叶片与永久磁

39、铁及霍尔集触发器叶片与永久磁铁及霍尔集成电路之间的安装关系成电路之间的安装关系 c c叶片位置与点火正时的关系叶片位置与点火正时的关系 霍尔式无触点汽车电子点火装置霍尔式无触点汽车电子点火装置(续）续） 当叶片遮挡在霍尔当叶片遮挡在霍尔ICIC面前时，面前时，PNPPNP型霍尔型霍尔ICIC的输出为低电平，晶体管功率开关处于导通的输出为低电平，晶体管功率开关处于导通状态，点火线圈低压侧有较大电流通过，并以状态，点火线圈低压侧有较大电流通过，并以磁场能量的形式储存在点火线圈的铁芯中。磁场能量的形式储存在点火线圈的铁芯中。 当叶片槽口转到霍尔当叶片槽口转到霍尔IC面前时，霍尔面前时，霍尔IC输输出

40、跳变为高电平，经反相变为低电平，达林顿出跳变为高电平，经反相变为低电平，达林顿管截止，切断点火线圈的低压侧电流。由于没管截止，切断点火线圈的低压侧电流。由于没有续流元件，所以存储在点火线圈铁心中的磁有续流元件，所以存储在点火线圈铁心中的磁场能量在高压侧感应出场能量在高压侧感应出3050kV的高电压。的高电压。 霍尔式无刷电动机霍尔式无刷电动机 霍尔式无刷电动机取消霍尔式无刷电动机取消了换向器和电刷，而采用霍尔了换向器和电刷，而采用霍尔元件来检测转子和定子之间的元件来检测转子和定子之间的相对位置，其输出信号经放大、相对位置，其输出信号经放大、整形后触发电子线路，从而控整形后触发电子线路，从而控制

41、电枢电流的换向，维持电动制电枢电流的换向，维持电动机的正常运转。由于无刷电动机的正常运转。由于无刷电动机不产生电火花及电刷磨损等机不产生电火花及电刷磨损等问题，所以它在录像机、问题，所以它在录像机、CDCD唱唱机、光驱等家用电器中得到越机、光驱等家用电器中得到越来越广泛的应用。来越广泛的应用。 普通直流电动机使用普通直流电动机使用的电刷和换向器的电刷和换向器霍尔式接近开关霍尔式接近开关 当磁铁的有效磁极接当磁铁的有效磁极接近、并达到动作距离时，近、并达到动作距离时，霍尔式接近开关动作。霍霍尔式接近开关动作。霍尔接近开关一般还配一块尔接近开关一般还配一块钕铁硼磁铁。钕铁硼磁铁。霍尔式接近开关霍尔式接近开关 用霍尔用霍尔ICIC完成接近开关的功完成接近开关的功能，但是它只能用于铁磁材料的能，但是它只能用于铁磁材料的检测，并且还需要建立一个较强检测，并且还需要建立一个较强的闭合磁场。的闭合磁场。 在右图中，当磁铁在右图中，当磁铁随运动部件移动到距随运动部件移动到距霍尔接近开关几毫米霍尔接近开关几毫米时，霍尔时，霍尔ICIC的输出由的输出由高电平变为低电平，高电平变为低电平，经驱动电路使继电器经驱动电路使继电器吸合或