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文档简介

1、低功耗小功率开关电源设计毕业设计南华大学船山学院毕业设计 1开关电源简介小功率开关电源以其诸多优良的性能,在测控仪 器仪表、通信设备、学习与娱乐等诸多 电子产品中得到广泛的应用。随着环境 和能源问题日益突出,人们对电子产品 的环保要求不断提高,对电子产品的能 源效率更加关注。设计无污染、低功耗、 高效率的绿色模式电源已成为开关电源 技术研究的热点。研究一种中小功率开关电源,应用过渡模式有源功率因 数校正、准谐振变频功率隔离变换控制 和同步整流等多种先进的电源控制技 术,以实现绿色开关电源设计的目的。开关电源的基本结构所有事物都要遵循能量守恒定律,开关电源也不例 外,实际上,开关电源也要通过以能

2、量 形式传递完成的。从能量上看,开关电源可以分为直流开关电源模式和交流开 关电源模式,直流开关电源模式主要是 输出为直流信号电能,而交流开关电源 模式主要是输出为交流信号电能。直流 开关电源模式为当前的主流模式,该开 关电源模式的基本组成结构框图如下图 所示:交流输入桥式整流滤波LC组成滤波器DC/DC变换器转换输出 整流滤波占空比控制电路 DC直流输 出 放大电路 控制电路图 开关电源基 本组成结构框图上图中可知:开关电源主要整流滤波、DC/DC变换电路、 开关占空比控制电路以及控制电路等模 块组成。 第1页,共29页 南 华大学船山学院毕业设计交直流输入电压经LC滤波器,再通过桥式整流 与

3、母线电解电容平滑后变为直流电压, 再经DC/DC变换器转换,再经二极管整 流和电解电容的滤波至输出,为了能使 电路成为一个闭环工作,在输出端引出 一个控制电路再经放大电路到占空比控 制电路至DC/DC变换器转换器形成一个闭环。占空比控制电路中占空比的表 示方法如下图所示:图占空比示意图 上图中可知:占空比D=Toff/(TOff+Ton),周期 T= Ton+Toff, 频率f=l/T。 传统开关电源的缺陷 传统开关电源基本上采用的都是传统电路,传统电路大部分采用的电路芯片都 中也要用到开关MOSFET管,还有就是 也要加个启动电阻,根据P=U*U/R可知 该电路上的待机功耗至少要大于,而低

4、功耗的要求待机功耗至少要小于,甚至 有些要小于。如果功耗大,对人口密集 的中国来说,电能的损耗无疑是巨大的。 另外传统电源存在着某些有害物质,根 据我国CCC标准中的关于在电气电子 设备中限制使用某些有害物质指令,从 而没能达到环保的功能。 绿色开关 电源的发展方向 于传统电源存在 着诸多的缺陷,为了能量的有效利用, 人们从而提出了绿色开关电源,绿色开 关电源产品主要向高频、高效率、低功为PWM控制的KA3:系列芯片,这当耗、小型化、集成化、模块化、智能化、 高可靠性、满足EMC标准和环保等诸多 方向不断发展。于开关电源轻、小、薄 的关键技术是高频化,因此国外各大开 关电源制造商都致力于同步开

5、发新型高 智能化的元器件,特别是改善二次整流 器件的损耗,并在功率比铁氧化体材料 上加大科技创新,以提高在高频率和交 大磁通密度下获得提高的磁性能,而电 容器的小型化也是一项关键技术。以下 几个方面将是开关电源发展的方向: 小型化、薄型化、轻量化。开关电源的 体积、重量主要是储能元件决定的,因 此开关电源的小型化实质上就是尽可能 减小其中第2页,共29页 南华大学船山学院毕业设计 储能元 件的体积。 高频化。在一定范围内, 开关频率的提高,不仅能有效地减小电 容、电感及变压器的尺寸,而且还能够 抑制干扰,改善系统的动态性能,因此 高频化是开关电源的主要发展方向。高可靠性。开关电源比连续工作电源

6、使精选公文范文,管理类,工作总结类,工作计划类文档,感谢阅读下载 4用的元器件多数十倍,因此降低了可靠 性。从寿命角度出发,点解电容、光耦 合器及排风扇等器件的寿命决定着电源 的寿命。所以,要从设计方面着眼,尽 可能使用较少的器件,提高集成度,采 用模块化技术可以满足分布式电源系统 的需要,提高系统的可靠性。低噪声。开关电源的缺点之一是噪声大,单 纯地追求高频化,噪声也会随之增大。采用部分谐振转换回路技术,在原理上 既可以提高频率又可以降低噪声, 所以, 尽可能降低噪声影响是开关电源的又一 发展方向。采用计算机辅助设计和控制。采用CAA和CDD技术设计最新 变换拓扑和最佳参数,使开关电源具有

7、最简结构和最佳工况。在电路中引入微 机监测和控制,可构成多功能监控系统, 可以实时监测、记录并自动报警等。开关电源被誉为高效能电源,它袋包着 稳压电源的发展方向,现已成为稳压电 源的主流产品。采用了高频变压器和控 制集成电路的开关电源更具有效率高、精选公文范文,管理类,工作总结类,工作计划类文档,感谢阅读下载 5输出稳定、可靠性高等特性,是今后电 源的发展趋势。第3页,共29页 南华大学船山学院毕业设计 2低功耗小功率开关电源电路设计 设计方案的选择 在进行变换器的 任何设计工作之前,首先要选择电路拓 扑结构,这是一项非常重要的工作。于 电路拓扑结构在现在多达上百种,所以, 开关电源电路拓扑结

8、构可以选择为二种 方案,第一种方案是采用单端正激式变 换器的开关电源设计,第二种方案是采 用单端反激式变换器的开关电源设计。单端正激式变换器有隔离变换器的DC/DC变换器按照铁芯磁化方式,可 分为双端变换器和单端变换器和双端变 换器比较,单端变换器线路简单、无功 率管共导通问题、也不存在高频变换器 单向偏磁和瞬间饱和问题,但于高频变 换器只工作在磁滞回线一侧,利用率低。 因此,它只适用于小功率输出场合。 单端正激变换器是一个隔离开挂变换 器,隔离型变换器的一个根本特点是有 精选公文范文,管理类,工作总结类,工作计划类文档,感谢阅读下载 6一个用于隔离的高频变压器,所以可以 用于高电压的场合。于

9、引入了高频变压 器极大的增加了变换器的种类,丰富了 变换器的功能,也有效的扩大了变换器 的使用范围。单端正激变换器拓扑以其 结构简单、工作可靠、成本低廉而被广 泛应用于独立的离线式中小功率电源设 计中。单端正激式开关电源于输出电感和续流二极管的作用,输出电流式 连续的。开关晶体管截止时,降在其上 的最大电压Vcemax为2Vin。变换器在 开关晶体管导通时经变压器向负载传输 能量,输出功率范围较大,高频变压器 既要起变压器隔离和传输能量的作用, 又起到电感线圈储能的作用。控制电路 以继承的PWM脉宽调制电路为基础组 成,能十分方便实现稳压调节及过压、 欠压、限流和关断电源输出等保护控制 功能。

10、单端反激式变换器反激式开关电源采用了稳定性很好的双环 路反馈控制系统,就可以通过开关电源 的PWM迅速调整脉冲电压和初级线圈充磁峰值电流进行有效调节,达到稳定 输出电压的目的。这种反馈控制电路的 最大特点是:在输入第4页,共29页南华大学 船山学院毕业 设计电压和负载电流变化较大时,具有更快 的动态响应速度,自动限制负载电流, 补偿电路简单。设计方案我所要做的绿色开关电源为小功率且比较 小型化,这就不需要高成本且复杂的电 路拓扑结构,这也是有利于市场上销售, 所以对此小功率开关电源选用的电路拓 扑结构为隔离反激式变换器电路拓扑。 此电路拓扑结构对小功率、小体积开关 电源是比较适合的,而要实现开

11、关电源 功能则需要在电路上做一系列的设计 了。桥式整流滤波电路和LC组成滤波器设计图图中可知开关电源基本上六大部分组成的,本设计的输入 电压 Vin 为 AC165VAC264V ,输出 电压Vo为DC12V,输出额定电流Io为 3A,桥式整流滤波电路和 LC组成滤波 器如图所示:图桥式整流滤波精选公文范文,管理类,工作总结类,工作计划类文档,感谢阅读下载 8 电路和LC组成滤波器于元器件要看它本身的耐压值,所以在输入为 AC264V时,经过整流桥DF06的电压是 最大的,一般整流出来的直流电压乘以 可得出经过整流桥的最大耐压值,即 Vmax=264V*=,所以要选用的整流桥耐 压必须大于,而

12、DF06的耐压有600V, 因而满足要求。C1与L1组成的低通滤 波器,且在电路形成的阻抗有15欧姆, 另电路上有一个5欧姆热敏电阻,从而 形成对整流桥的冲击电流为:264伏*/20 欧=安,而整流桥本身的第5页,共29页南华大学船山学院毕业设计 最大冲击电流为30A,所以整流 桥是不易被冲坏。 另假设效率能达2%,则输入功率为:10W/=,可算出流过整流桥的平均电流为:/(88V*户,也可满足整流桥的平均电流1A。而电解 电容C2主要起平滑电压作用,经整流桥后的电压成馒头波,所以需电解电容 C2来平滑,在不考虑时序要求的情况下,可以根据1W需要1*2=2 N的电容来计 算,故10W需要20历

13、的容量,而在电容 规格没有20%最好选择是22J400V 因整流出的电压最大为 DC370V ,故选 400V的电容能满足要求。 PWM控 制芯片的拓扑分析 PWM控制芯片 组成控制电路如下图所示:图PWM控制芯片组成控制电路 我所 选用的芯片是MOSFET开关管集成在芯 片中的,所以不用多选用一个 MOSFET 开关管,在一个开关电源电路里,主要 的功耗在于MOSFET开关管的损耗, MOSFET开关管的损耗包括三方面的损 耗:1. MOSFET开关管导通损耗。2.MOSFET开关管导通关断间损耗。3.MOSFET开关管关断损耗。所以在芯片 的MOSFET开关管的导通电阻就显得非 常关键了,

14、要使损耗变得越小,则需要 的MOSFET开关管的导通电阻越小越 好。选用的ICE3A0565芯片的Rd为欧 姆,开关管Drain电压最大为650V,频 精选公文范文,管理类,工作总结类,工作计划类文档,感谢阅读下载 10率为 100KHz , 在全范围电压AC85V-AC264V条件下可以出12W功率,该芯片实现的技术指标有:1.芯片有 软启动电路。2.具有抗EMI功能。3.具有过温保护功能和过功率保护功能。4.第6页,共29页南华大学船山学院毕业设计待机功耗低于。5.属于无铅产品。对该控制电路进行分析:第1脚BL为软启动脚,对地加的电 容为C6、C16,于该产品需要能在-5C 正常工作,所以

15、该电路中所选用的器件 要低温特性好的器件,这芯片本身就是 一种低功耗芯片,BL脚对地上的电容需 要加到一定容量才能使软启动电路正常 工作,所以需要加到2u的容量。第2脚 FB比较对地也需要加一电容,该电容的 大小直接将影响到动态环路的好与坏。第3脚CS为采样电流脚,而第6脚是空 脚,CS脚本身电流流过也比较大,所以 将第6脚连起来有利于CS脚的散热,R4、R6、R7、R18称为采样电阻,因为芯片全范围电压下能出12W,而该产品的额定功率只需要10W,则需要采样电 阻来控制采样限流。第4、5脚Drain为 漏极脚,最高电压为650V。第7脚Vcc 为辅助源脚,从电路上可看出来,该辅 助源不需要加

16、一个启动电阻,从而使该 电源工作的同时可以降低功耗,一般情 况下,在高压端AC264V,将近有损耗,C4、C5为辅助源电容,R2、R5电阻起 到抗冲击的作用,防止辅助源二极管D4 电容C2连接起来。这PWM控制芯片组 成控制电路实际上也包括了占空比控制冲坏。第脚为接地脚,要与母线电解电路了。第7页,共29页 南华大学 船山学院毕业 设计 变压器的设计和原边绕组箝位设计DC/DC变换器组成部分中的变压器如图所示:图变压器的组成变压器的设计计算:已知:f=1/T=100KHz , T=10us, Vmin=100V, 占空比 Dmax=,Po=10W,设变压器转 换效率 刀=,B=200300mT

17、 , Ton=T*Dmax=,选用磁芯为 EFD20, 精选公文范文,管理类,工作总结类,工作计划类文档,感谢阅读下载 12Ae=原边绕组Np1=Vmin*Ton/(B*Ae)=100*/。 取Np1为90圈时,B则为,符合B的要求,B越小,磁芯才不易饱和。根据Vo1=Ns*Vmin*Dmax/Np1/(1-Dmax) 其中Ns为副边绕组圈数。Vo1=12V+=o=Ns*100*/90/ 可得出 Ns 为 14 圈。于芯片的最低电压为,所以辅助源的绕组的电压必须要大于,即Vcc>Vo1*Np2/Ns可求出辅助源的绕组Np2为15圈,贝U Vcc=o原边的电其中Lp为原边电感量,第8页,共

18、感量可根据 Lp=Vmin*Ton*(1+k)/(1-k),29页南华大学船山学院毕业设计 做成连续状态时对反激式小功率开关电源能提高效率,k=0;当k二时,可得 Lp=*100*/=1155uH=具体绕制方法如 图、图、图、图所示:图连接原理图图绕线说明图第9页,共29页南华大学船山学院毕业设计图测试说明图图绕制说明图图当中的CY1称为原副边电容,起到降低传导 EMI和噪声 的作用。同时变压器也采用了三明治夹 绕的绕制方法,也可以起到降低传导 EMI和噪声的作用。以上变压器的匝比可得 Drain 平台电压为:370V+(90/14)*=,选取为 650V 的Drain当中已考虑到了变压器存在

19、的滤感电压。第10页,共29页南华大学船山学院毕业设 计原边绕组箝位设计如图所示:图原边绕组箝位组成 于变压器在 传递能量时,存在着漏感的能量,需要 去磁复位来吸收这部分的能量,C14、R17和D1组成的RDC箝位能够吸收这 部分能量,同样有降低传导EMI和噪声 作用,如果能满足了传导 EMI,且能满 足可靠性要求,则D3要装的TVS管可 以不装,这样也就降低了一点成本。输出RCC电路设计 RCC电路的组 成实际上也就成了输出整流滤波了,所 组成的电路图如图所示:图精选公文范文,管理类,工作总结类,工作计划类文档,感谢阅读下载 14 输出整流滤波电路 在原边MOSFET开关管关断时,变压器就要

20、把 在导通时存的能量传递到副边第11页,共29页南华大学船山学院毕业设计来至输出,电流经二极管D5、D6整流出来的为三角波,这需要一阶电解电容C12、C8平滑滤波,再经二 阶电感L2和二阶电解电容C13滤波输 出。图R10、C6和C7组成RC吸收电 路,尤其对断续电路中起着非常重要的 作用,能够降低纹波噪声且也有对降低 传导EMI有着一定的作用。二极管D5、D6的电压值需要根据变压器的匝比来 计算,即二极管最高电压: Vinmax*Ns/Np+V 0=370*14/90+12=,所 以选用的二极管耐压至少要高于60V的。反激电路中,流过二极管D5、D6的峰值电流Ip=Io/Dmax=3/=,所

21、以所选 的二级管电流系数必须大于,另副边选 取的二极管必须是肖特基二极管或超快 恢复二极管,这就有利于能量的传递且 减少能量的损耗,上可先选取二极管为 精选公文范文,管理类,工作总结类,工作计划类文档,感谢阅读下载 15 两个 STQ080,该二极管能流过的峰值电流为8A,耐压值80V,选用两个,保证 裕量,减少散热量,且该二极管的成本 不高。对经二极管 D5、D6整流出来的三角波电流,主要起到平滑作用的电解电容实际上是一阶电解电容C8、C12,这就要选取低阻抗和纹波电流足够的电 解电容了,这也是起到降低传导 EMI和 噪声的作用途径之一。低阻抗的电容厂 家比较多,可以在电容厂家手册可以查 到

22、,但纹波电流Irip 一般要取大于或等 于额定电流的倍,Irip=*Io=*3=,所以选 取的每个电容的纹波电流最好要达 到:/2二。二阶电感L2和二阶电解电容C13取大或取小将会影响到电路稳定性,C8选用的特性要好,这将直接影响到低温时的输出调整率;L2取大了也会影响到纹波噪声的变小但环路会不稳,如果 取小则会影响到纹波噪声的变大但环路 计算,式中,C代表电容容量,L2为二 阶电感的电感量,Ls为副边绕组的电感要稳定些。一般要以C8*C12*Ls/>10精选公文范文,管理类,工作总结类,工作计划类文档,感谢阅读下载 16 量。R15和R16可以不装,R14与LED1 组成指示灯指示,也

23、可成死负载。D7为 TVS管P6KE15A,能起到过压保护作用。第12页,共29页南华大学船山学院毕业设计开关电源的负反馈控制负反馈控制电路实际上包括了控制电路和放大电路两部分。负反馈控 制电路如图所示:图 负反馈控制电路 第13页,共29页 南 华大学船山学院毕业设计图电压采样电路电压采样及反馈电 路光耦PC817D、TL431和阻容网络组 成,如图所示,图中R11和C11用于T1431 的频率补偿,不能缺少。通过调节 R12 和VR1组成的分压网络后得到采样电 压,该采样电压与三端可调稳压块 TL431提供的基准电压进行比较,当输 出电压正常时,采样电压与 TL431提供 的电压基准相等,

24、则TL431的K极电位 保持不变,从而流过光耦 PC1二极管的 电流不变,进而流过光耦 CE的电流不 变,ICE3A0565弓I脚2的反馈电位 Uf保持不变,则引脚6输出驱动的占空比 不变,输出电压稳定在设定值不变。当 输出12V电压因为某种原因升高时,分 压网络上得到的输出电压采样值随之升高,从而TL431的K极电位下降,流过 光耦二极管的电流增大,进而流过CE的电流增大,从而ICE3A0565的引脚2 的电位升高,ICE3A0565内部示意图可 知:误差放大器AI的输出电压Ue减小, 亦即电流检测比较器钳位电压减小,所 以可知:ICE3A0565第14页,共29页 南华大学 船山学院毕业

25、设计引脚6输出驱动的占空比减小,从而使 输出电压减小,这样就完成了反馈稳压 的过程。R17可装为0欧姆,ZD1可不装,因为输出电压为12V,Q1 TL431 的3脚电压为036V,考虑到如果是高 电压输出,则ZD1必须要装成稳压管,而R17可不装;R9主要是给TL431提 整,R8装大了,过冲小了点,但调整率 要变差的,如果装小了,过冲会变大点, 但调整率要变好点,这要根据实际情况供电流的,同时和R能影响到环路的调进行调试取适中参数;Q1 TL431主要利用运放基准进行对输出进行稳压的,1脚的基准电压一般都为(力), 2脚需要 接输出信号源地,R13、R12和VR1主要起到分压的作用,有公式如

26、下:/Vo=(R12+VR1)/(R13+R12+VR1).公式中可推算出各电阻的阻值,VR1为1K的电位器,计算时要考 虑电位器是置中的,也就 VR1为500欧 姆,另计算时要考虑到VR1调动时不要 电压幅度太大;R11和C11主要是环路 上的调整了,直接影响到环路的快慢, 可根据RHZ规则来计算出R11和C11 的参数;PC1 PC817D光耦主要是放大然后反馈回原边成放大电路组成了电路为一个闭环工作状态。开关电源的电磁兼容及安规标准设计 EMI指来 自一个元器件或者系统的电噪声引起另 外一个元器件或系统不正常工作;电磁 兼容EMC是指两个或以上的系统在存 在相互的噪声情况下可以同时工作的

27、条件。电磁兼容EMC的设计主要以上所讲 的降低传导EMI和噪声有关,另对满足 电磁兼容 EMC设计也有如图所示: 图CX电容的接入 安规标准设计 主要在于PCB的设计、变压器的设计和 安规器件的选取。对于 第15页,共 29页南华大学船山学院毕业设 计 本设计的PCB板上最主要距离 要求一定要符合安规距离要求,原副边 距离至少要大于7mm爬电距离,保险丝 前的零火线间至少要留有爬电距离,另 外在走线方面一定要把高低频线理好; 变压器的设计在以上的设计图纸已体现 在出来了;哪些是安规器件从原理图中 的安规标志符号就能够体现出来了。低功耗小功率开关电源电路图低功耗小功率开关电源电路图如图所示: 图

28、低功耗小功率开关电源电路图 第16页,共29页南华大学船山学院毕业设计3小功率开关电源的可靠性设计功率元器件热功能设 计 在本设计中,功率元器件主要 有芯片、变压器和副边整流二极管,在 热功能设计中,在考虑到散热方面的问 题,这主要体现在画PCB板上,象这类 功率元器件要尽可能的空阔,也就是周 围元器件尽可能地少,才有利于散热; 在选取时,在芯片IC1上要考虑到芯片 本身能出多少功率,如果输出的功率都 超过芯片本身的功率,那么芯片发热量 将会很大,会造成热保护,没热保护功 能的芯片直接会炸坏芯片,所谓热保护, 就是实际温度超过芯片本身的结温; ICE3A0565的最高结温为 150C;变压 器

29、T1主要在于存取能量和传递能量,在 设计时,如果B取得过大,会使变压器 磁芯发热量不断增大,达到一定程序使 磁芯饱和,也就形成了热保护甚至会造 成层间短路直接烧坏机器;副边整流二 极管D5、D6(STQ080)主要在开关管关断 时导通,此时产生的热量是最大的,可 根据P=UI来计算,流过D5、D6的平均电流Iav=Io*(1-Dmin)= ,D在输入为最高 电压端才是最小的,在变压器设计上可 以计算出Dmin约为,于选用的二极管为 肖特基二极管,本身的压降很低,即可 为,则这两个二极管的功耗 P=*=,对于 这两个二极管总共能承受的功耗为且结 温为60 c来说,这里是不需要加散热器 来散热的,

30、散热器顾名思议可理解为再 并一电阻,减小总电阻值,温升也就下 降了。无论是芯片,还是变压器和副边 整流二极管的工作功耗都均能满足设计 要求,且有足够的裕量。冲击抑制电路和抗雷击浪涌设计前文中有NTC讲到整流桥瞬时冲击电流值是比较关键 的技术指标时,介绍到了开机时输入瞬 时冲击电流的计算,是属于冲击抑制电 路的设计,在这电路里面中的热敏电阻 主要是采用NTC热敏电阻,能够利用起 动是导通电流的发热使温度上升,电阻 值也要相应降低,抑制功耗也随之变小; 能够改善温度特性的原材料,不仅可抑 制发热量,也具有使用工作状态中电阻减至到最少限度的特点。有了这冲 击电路也能减少对其它电子设备的不良 影响。抗

31、雷击浪涌设计主要是能够保护电源产品和其它电子设备的作用, 在原边输入侧经过保险丝后在零火线上 并了一个 470V的压敏电阻见图中的 YM1 ,当 第17页,共29页 南 华大学船山学院毕业设计 输入电 压大于470V时,压敏电阻瞬时雪崩击 穿,保险丝断裂,直接没输入。 电 解电容使用寿命设计电解电容的寿命的长短直接影响到产品的使用情 况,在前面已经介绍了如何选取电解电 容,在这要讲述下寿命的设计,电解电 容的寿命的长短主要取决于电解电容中 的内阻抗ESR的大小,如果选的电解电 容的ESR比较大,那么发热量也就增加, 内部的电解液会逐渐干涸,其容量也随 之下降,直接影响到电解电容的使用周 期。电

32、解电容的实际使用时间的计算一 般使用下面的公式: L=Lo*2(To-Ta)/10() L 为 电解电容实际使用的时间,单位:小时(h) Lo为电容手册中规定的额定时间, 单位:小时To为电解电容手册中的最 高工作温度,单位:C Ta为最高环境 温度下电解电容的工作温度, 单位:CY=L/(365*24)() Y 为使用的年数,单位:年 本电源设计中C8和C12的在最高环境45 c时的温度均为75 c为例计算该电解电容的使用寿命,计算如下:根据公式L=Lo*2(To-Ta)/10=3000*2(105-75)/10=24000 小时根据公式Y=L/(365*24)=24000/=年 以上可见,电解电容的寿命跟阻抗的大小和温 度密切相关,在选取小阻抗电解电容的 同时,也要让电解电容远离发热元器件。电源平均无故障时间设计平均无 故障时间简称为 MTBF ,全称为Mean Time Before Failure。就是用一批新产品 在特定的环境条件下一直工作到第一个 故障时间的平均值,这是一个统计值或 者数学期望值。特定的环境一般是指在恶劣条件下来测试模拟推算出正常工作环境下的MTBF的。MTBF长短起到对 产品质量的好与坏的判断,它是开关电源里的一个重要指标。在

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