SDRAM编码规则

1、不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考： DDR SDRAM：HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14整个DDRSDRAM 颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。颗粒编号解释如下：1 HY是HYNIX 的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。2 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3 处理工艺及供电：（V ：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U

2、 ：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W ：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S ：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M8K 刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G ：1G 8K刷新）5 内存条芯片结构：（44颗芯片；88颗芯片；1616颗芯片；3232颗芯片）6 内存bank （储蓄位）：（12 bank；24 bank；38 bank）7 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18

3、）8 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F FBGA ；FC FBGA （UTC:8x13mm）11封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J 其它；M=MCP（Hynix ）；MU MCP （U TC ）12 封装原料：（空白=普通；P=铅；H 卤素；R=铅+卤素）13 速度：（D43DDR400 3-3-3；D4=DDR4003-4-4；J DDR333；M DDR333 2-2-2；K DDR266A ；H DDR266B ；L DDR200）14 工作温

4、度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度） 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDRSDRAM 内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L 的产品（也就是说，它只支持DDR200）注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的LGS 的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS 应该首先排第一位。LGS 的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X X

5、XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM 代表LGS 公司。2、72代表SDRAM 。3、V 代表3V 电压。4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M ，4K 刷新；17：16M ，2K 刷新；28：128M ，4K 刷新；64： 64M，16K 刷新。65：64M ，8K 刷新；66：64M ，4K 刷新。5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。6、芯片组成：1：1BAND ，2：2BANK ，4：4BANK ，8：8BANK7、I O 界面：一般为18、产品系列：从A 至F 。9、功耗：空白则是普通，L 是低功10、封装模式：一般为T （

6、TSOP ）11、速度：其中：8：8NS ，7K ：10NS （CL2），7J （10NS ，CL2&3），10K （10NS一说15NS，PC66）， 12（12NS ，83HZ ），15（15NS ，66HZ ）二、HY （现代HYUNDAI ）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。HY 的编码规则：HY 5X X XXX XX X X X X XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY 代表现代。2、一般是57，代表SDRAM 。3、工艺：空白则是5V ，V 是3V 。4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K 刷新；64：64M

7、，8K 刷新；65：64M ，4K 刷新；128：128M ， 8K刷新；129：128M ，4K 刷新。5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。6、芯片组成：1：2BANK ，2：4BANK ；3：8BANK ；7、I O 界面：一般为08、产品线：从A D 系列9、功率：空白则为普通，L 为低功耗。10、封装：一般为TC （TSOP ）11、速度：7：7NS ，8：8NS ，10P ：10NS （CL2&3），10S ：10NS ，（PC100，CL3），10：10NS ，12： 12NS，15：15NS三、SEC （三星SAMSUNG ）做为韩国著名的电

8、器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM 参考。SEC 编码规则：KM4 XX S XX 0 X X XTXX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM 代表SEC 三星，此处编码一般均为4。2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。3、一般均为S4、这个数乘以S 前边的位数就是内存的容量。5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK ，3：4BANK7、I O 界面：一般为08、版本号9、封装模式：一

9、般为T ：TSOP10、功耗：F 低耗，G 普通11、速度：7：7NS ，8：8NS ，H ：10NS （CL2&3），L ：10NS （CL3），10：10NS 。四、MT （MICRON 美凯龙）美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。MT48 XX XX M XX AX TGXX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT 代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM 。3、一般为LC ：普通SDRAM4、此数与M 后位数相乘即为容量。5、一般为M6、位宽：4：

10、4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX 代表write Recovery(twr，A2则代表twr=2clk8、TG 代表TSOP 封装模式。9、速度：7：7NS ，75：75NS ，8X ：8NS （其中X 为从A 到E ：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D 和E 较好），10：10NS10、如有L 则为低功耗，空白则为普通。五、HITACHI （日立HITACHI ）日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM 代表日立。2

11、、52代表SDRAM ，51则为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A F7、功耗：L 为低耗，空白则为普通8,TT 为 TSOP 封装模式 9,速度:75:7.5NS,80:8NS,A60:10NS(CL2&3,B60:10NS(CL3 六,SIEMENS(西门子 西门子是德国最大的产业公司,其产品包罗万向,西门子的电子产品也是欧洲最大的 品牌之一(另一是 PHILIPS.西门子的内存产品多为台湾的 OEM 厂商制造的,产品 品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X -X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1,HYB

12、 代表西门子 2,39S 代表 SDRAM 3,容量 4,位宽:40:4 位,80:8 位,16:16 位 5,一般为 0 6,产品系列 7,一般为 T 8,L 为低耗,空白为普通 9,速度: 6:6NS,7:7NS,7.5:7.5NS,8:8NS(CL2,8B:10NS(CL3,10:10NS 七,FUJITSU(富士通 FUJITSU 富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商,他的内存产品主要是供应 OEM 商,市 场上仅有少量零售产品. MB81 X XX XX X2 X-XXX X FN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1,MB81 代表富士通的 SDRAM 2,PC100 标准的

13、多为 F,普通的内存为 1 3,容量 4,位宽:4:位,8:8 位,16:16 位,32:32 位 5,芯片组成:22:2BANK,42:4BANK 6,产品系列 7,速度:60:6NS,70:7NS,80:8NS,102:10NS(CL2&3,103:10NS(CL3, 100:10NS,84: 12NS,67:15NS 八,TOSHIBA(东芝 东芝是日本著名的电器制造商,其在高端领域也有产品,例如计算机产品及通讯卫星 等等.TOSHIBA 的内存产品在市场上见到的不多. TC59S XX XX X FT X-XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1,TC 代表东芝 2,59S 代

14、表普通 SDRAM 3,容量:64:64MBIT,128:128MBIT 4,位宽:04:4 位,08:8 位,16:16 位,32:32 位 5,产品系列:A-B 6,FT 为 TSOP 封装模式 7,空白为普通,L 为低功耗 8,速度;75:7.5NS,80:8NS,10:10NS(CL3 九,MITSUBISHI(三菱 三菱是日本的一家汽车制造公司,因其多元化发展,所以在 IT 业和家电业也有产品, 三菱的微集成电路技术不同一般,所以其在内存领域也占有一席之地,因为速度,品 质优异,而成为 INTEL 的 PII/PIIICPU 的缓存供应商.普通 SDRAM 方面,因为较贵, 所以市场