IGBT的常识及使用注意事项

1、IGBT的常识及使用注意事项IGBT的常识及使用注意事项 一、IGBT管简介 IGBT管是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor )的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展 起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为 MOSFET ,输由级为PNP型大功率三极管，它融和了这两 种器件的优点，既具有MOSFET器件输入阻抗高 响应速度 快热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有双极型器件 通态电压低 耐压高和输由电流大的优点，其频率特性介于 MOS-FET与功率晶体管之间，可正常工作于

2、几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用， 在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制IGBT管的。当栅极加正电压时，OSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流， 从而使IGBT管导通，此时高耐压的IGBT管也具有低的通 态压降 在栅极上加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP 晶体管的基极电流被切断，IGBT管即关断IGBT管与 MOSFET 一样也是电压控制型器件， 在它的栅极发射极间施 加十几伏的直流电压，只有微安级的漏电流，基本上不消耗 功率，显示了输入阻抗大的优点。二、IGBT管的代换由于IGBT管工作在大电

3、流 高电压状态，工作频率较高，发 热量大，因此其故障率较高，又由于其价格较高，故代换 IGBT管时，应遵循以下原则：首先，尽量用原型号的代换， 这样不仅利于固定安装，也比较简便其次，如果没有相同型号的管子，可用参数相近的 IGBT管来代换，一般是用额 定电流较大的管子代替额定电流较小的，用高耐压的代替低 耐压的，如果参数已经磨掉，可根据其额定功率来代换。三、IGBT管的保存保存半导体元件的场合温度与湿度应保持常温常湿状态，不 应偏离太大 一般地，常温规定为535摄氏度，常湿规定为 45%75%在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿装 IGBT管模块的容器，应选用不带静电的容器并尽量远离有 腐蚀性

4、气体或灰尘较多的场合在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方。四、使用注意事项IGBT管的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离由于此 氧化膜很薄，IGBT管的UGE的耐压值为 20V,在IGBT 管加超由耐压值的电压时，会导致损坏的危险此外，在栅 极发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随 着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位 升高，集电极则有电流流过这时，如果集电极与发射极间存 在高电压，则有可能使IGBT管发热乃至损坏在应用中，有 时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但 栅极连线的寄生电感和

5、栅极与集电极间的电容耦合，也会产 生使氧化层损坏的振荡电压为此，通常采用双绞线来传送驱 动信号，以减少寄生电感 在栅极连线中串联小电阻也可以 抑制振荡电压，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能 工作时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则 IGBT管就会损坏为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发 射极之间接一只10千欧左右的电阻。此外，由于IGBT管为 MOS结构，对于静电就要十分注意 因此，请注意下面几点： 在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部分当 必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后， 再触摸；(2)在用导电材料连接IGBT管的驱动端子时，在配线未接好 之

6、前请先不要接上模块；(3)尽量在底板良好接地的情况下操作如焊接时，电烙铁要可靠接地在安装或更换IGBT管时，应十分重视IGBT管与 散热片的接触面状态和拧紧程度，为了减少接触热阻，最好 在散热器与IGBT管间涂抹导热硅脂，一般散热片底部安装 有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致 IGBT管发热，从而发生故障，因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近 IGBT管的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止 IGBT管工作。IGBT静态参数测试系统可测试 IGBT 参数包括 ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、GFS、r

7、CE等全直流参数，所有小电流指标保证1%重复测试精度，大电流指标保证 2%以内重复测试精度。主极电流可提供 400A 500A 800A 1250A 大电流测试选项BR3500测试系统是一项高速多用途半导体分立器件智能测 试系统。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力。可 真实准确测试达十九大类二十七分类大、中、小功率的半导 体分立器件。一、可测试种类DiodeZenerTransistor (NPNSCRTRIACPower MOSFET (N-1 .二极管2 .稳压（齐纳）二极管3 .晶体管型/PNP型）4 .可控硅整流器（普通晶闸管）5 .双向可控硅（双向晶闸管）6 . MOS场效应管

8、沟/P-沟）7 .结型场效应管尽型/增强型）8 .三端稳压器压，固定/可变）9 .绝缘栅双极大功率晶体管/PNP 型）10 .光电耦合器（NPN 型/PNP 型）11 .光电逻辑器件OPTO-LOGIC12 .光电开关管OPTO-SWITCH13 .达林顿阵列14 .固态过压保护器15 .硅触发开关16 .继电器C型）17 .金属氧化物压变电阻18 .压变电阻19 .双向触发二极管二、技术参数及可实现目标J-FET 川-沟户-沟，耗REGULATOR (正电压/负电IGBT (NPN 型OPTO-COUPLERSSOVPSTSRELAY (A、B、MOVVARISTODIAC主极电压：1000V通过内部设置可扩展到