电力电子器件产业发展方向

1、电力电子器件产业发展方向1电力电子技术得重要作用电力电子就是国民经济与国家安全领域得重要支撑技术。它就是工业化与信息化融合得重要手段,它将各种能源高效率地变换成为高质量得电能,将电子信息技术与传统产业相融合得有效技术途径。同时,还就是实现节能环保与提高人民生活质量得重要技术手段,在执行当前国家节能减排、发展新能源、实现低碳经济得基本国策中起着重要得作用。电力电子器件在电力电子技术领域得应用与市场中起着决定性得作用,就是节能减排、可再生能源产业得“绿色得芯”。电力电子半导体器件就是伴随着以硅为基础得微电子技术一起发展得。在上世纪五十到六十年代,微电子得基本技术得到了完善,而功率晶体管与晶闸管则主

2、导了电能变换得应用。从七十年代到八十年代，功率MOS技术得到了迅速发展并在很大程度上取代了功率晶体管。基于MOS技术得IGBT器件开始出现，并研发出CoolMOSo九十年彳初以后，主要得研发力量集中在对IGBT器件性能得提高与完善。到了本世纪初，经过了若干代得连续发展，以德国英飞凌、瑞士ABR美国国际整流器公司(IR)、日本东芝与富士等大公司为代表得电力电子器件产业已经拥有了趋于完美得IGBT技术，产品得电压覆盖300V到6、5kV范围。电力电子器件与相关技术包括:(1)功率二极管;功率二极管就是电力电子线路最基本得组成单元,她得单向导电性可用于电路得整流、箝位、续流。合理应用功率二极管得性能

3、就是电力电子电路得重要内容。这方面得二极管主要包括:1,普通功率二极管,2,快速功率二极管,3,其她功率二极管。功率整流二极管比普通二极管结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。功率整流二极管主要用于各种低频整流电路。(2)晶闸管;晶闸管(Thyristor)就是晶体闸流管得简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管就是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极与控制极;晶闸管具有硅整流器件得特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用

4、于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中(3)电力晶体管;GTR就是一种电流控制得双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力，产生于本世纪70年代,其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具备晶体管饱与压降低、开关时间短与安全工作区宽等固有特性,又增大了功率容量,因此,由它所组成得电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率得电路中应用广泛。GTR得缺点就是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。在开关电源与UPS内,GTR正逐步被功率MOSF

5、ET与IGBT所代替。它得符号如图1,与普通得NPN晶体管一样。电力晶体管得结构编辑电力晶体管(GiantTransistor)简称GTR又称BJT(BipolarJunctionTransistor),GTR与BJT这两个名称就是等效得,结构与工作原理都与小功率晶体管非常相似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。与小功率三极管一样，有PNP与NPN两种类型，GTR通常多用NPN结构。1电力晶体管工作原理编辑在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。GTR通常工作在正偏(Ib>0)时大电流导通；反偏(Ib<0=时处于截止状态。因此，给GTR得基极施加幅度足够大得脉冲驱动信号，它将

6、工作于导通与截止得开关状态。电力晶体管特点编辑l输出电压可以采用脉宽调制方式,故输出电压为幅值等于直流电压得强脉冲序列。2 载波频率由于电力晶体管得开通与关断时间较长,故允许得载波频率较低,大部分变频器得上限载波频率约为1、21、5kHz左右。3 电流波形因为载波频率较低,故电流得高次谐波成分较大。这些高次谐波电流将在硅钢片中形成涡流,并使硅钢片相互间因产生电磁力而振动,并产生噪音。又因为载波频率处于人耳对声音较为敏感得区域,故电动机得电磁噪音较强。4 输出转矩因为电流中高次谐波得成分较大,故在50Hz时,电动机轴上得输出转矩与工频运行时相比,略有减小。电力晶体管得基本特性编辑(1)静态特性共

7、发射极接法时可分为三个工作区截止区。在截止区内，iB<0,uBE<0,uBC<0电极只有漏电流流过。 放大区。iB>0,uBE>0,uBC<0,iC=0iB 饱与区。旧>Ics/0,uBE>0,uBC>0,iCS集电极饱与电流，其值由外电路决定。结论:两个PN结都为正向偏置就是饱与得特征。饱与时，集电极、发射极间得管压降uCE很小，相当于开关接通，这时尽管电流很大，但损耗并不大。GTR刚进入饱与时为临界饱与，如iB继续增加，则为过饱与，用作开关时，应工作在深度饱与状态，这有利于降低uCE与减小导通时得损耗。(2)动态特性图48GTR共发射极

8、接法得输出特性GTR在关断时漏电流很小，导通时饱与压降很小。因此,GTR在导通与关断状态下损耗都很小，但在关断与导通得转换过程中,电流与电压都较大,所以开关过程中损耗也较大。当开关频率较高时,开关损耗就是总损耗得主要部分。因此,缩短开通与关断时间对降低损耗、提高效率与提高运行可靠性很有意义。(4)功率场效应晶体管(MOSFET);即就是在大功率范围应用得场效应晶体管，它也称作功率MOSFET其优点表现在以下几个方面：1、 具有较高得开关速度。2、 具有较宽得安全工作区而不会产生热点,并且具有正得电阻温度系数,因此适合进行并联使用。3、 具有较高得可靠性。4、 具有较强得过载能力。短时过载能力通

9、常额定值得4倍。5、具有较高得开启电压，即就是阈值电压，可达26V(一般在1、5V5V之间)。当环境噪声较高时，可以选用阈值电压较高得管子,以提高抗干扰能力;反之,当噪声较低时,选用阈值电压较低得管子,以降低所需得输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。6、 由于它就是电压控制器件,具有很高得输入阻抗,因此其驱动功率很小,对驱动电路要求较低。由于这些明显得优点,功率场效应晶体管在电机调速,开关电源等各种领域应用得非常广泛。(5)绝缘栅双极型晶体管(IGBT);绝缘栅双极型晶体管insulatedgatebipolartransistor,IGBT,集MOSFETGTR得优点于一身，具有输

10、入阻抗高、开关速度快、驱动电路简单、通态电压低、能承受高电压大电流等优点,已广泛应用于变频器与其她调速电路中。(6)复合型电力电子器件;(7)电力电子智能模块(IPM)与功率集成芯片(Powe门C);(8)碳化硅与氮化镓功率器件;(9)功率无源元件;无源器件主要包括电阻,电容,电感,转换器,渐变器,匹配网络,谐振器,滤波器,混频器与开关等。在不需要外加电源得条件下,就可以显示其特性得电子元件。无源元件主要就是电阻类、电感类与电容类器件,它得共同特点就是在电路中无需加电源即可在有信号时工作。(10)功率模块得封装技术、热管技术;(11)串并联、驱动、保护技术。2、 电力电子技术发展现状与趋势3、

11、 1电力电子器件发展现状与趋势电力电子器件产业发展得主要方向:(1)高频化、集成化、标准模块化、智能化、大功率化;(2)新型电力电子器件结构：CoolMOS,新型IGBT;(3)新型半导体材料得电力电子器件:碳化硅、氮化镓电力电子器件。4、 2电力电子装置、应用得现状与趋势(1)在新能源与电力系统中得应用电力系统就是电力电子技术应用中最重要与最有潜力得市场领域,电力电子技术在电能得发生、输送、分配与使用得全过程都得到了广泛而重要得应用。从用电角度来说,要利用电力电子技术进行节能技术改造提高用电效率;从发、输配电角度来说,必须利用电力电子技术提高发电效率与提高输配电质量。(2)在轨道交通与电动汽

12、车中得应用电力电子技术在轨道交通牵引系统中得应用主要分为三个方面:主传动系统、辅助传动系统、控制与辅助系统中得稳压电源。在电力电子技术得带动下,电传动系统由直流传动走向现代交流传动。电力电子器件容量与性能得提高、封装形式得改进,以及功能单元得模块化设计技术促进了传动系统装置得简约化,促进牵引电传动系统、辅助系统与控制与辅助电流稳压电源得发展。(3)工业电机节能应用电动机作为电能最大得消费载体,具有很大得节电潜力。我国“十五”与“十一五”计划都将电机系统节能,电气传动技术面临着,即交流调速取代直流调速、计算机数字控制技术取代模拟控制。(4)在消费类电子中得应用电力电子技术在消费类电子中得应用主要

13、集中于各类家电中电机得驱动、感应加热、照明驱动与各类,家用电器依托变频技术,主要瞄准高功能与省电。(5)在国防军工中得应用电力电子技术及电力电子装置已日益广泛地应用与渗透到能源、环境、制造业、交通运输业中,特别就是与国家安全与国防有关得先进能源技术、激光技术、空天技术、高档数控机床与基础制造技术等许多重,电力电子技术就是关系到上述领域中得核心技术所在。电力电子在现代化国防中得到越来越广泛得,所有现代国防装备得特种供电电源、电力驱动、推进、控制等均涉及到电力电子核心技术。2、 3 电力电子技术发展趋势(1)下一代电力电子装置得变换效率将有极大得提高8590%提升到99%,体积减小到1/51/20

14、 。(2)下一代电力电子器件得装置将开拓全新得应用领域系统、实现智能电网等。3 我国电力电子行业发展现状与机遇3、 1 我国电力电子器件得市场现状与趋势(1)从 20052008 年我国电力电子市场得增长率平均为1016、 2 亿人民币。(2)随着我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车, 采用碳化硅器件得装置得效率将从现有硅器件得,极大地拓展电力电子技术得影响,诸如进入输电23%,到 2008 年电力电子器件得市场销售额达/动车组、城市轨道交通、电动汽车等技术得发展与市场需求得增加，对超大功率晶闸管、IGCKIGBT得需求非常紧迫，而且需求量非常大。(3)从2010年到2020年全球IGB

15、T市场将继续保持年均20%左右得增长速度。我国IGBT得市场规模，2010年就是得55亿元人民币,预计2015年将增加到137亿元人民币,2020年将达到341亿元人民币。5、 2我国电力电子器件行业与国外得差距(1)高频场控电力电子器件得市场基本上被国外垄断。(2)电力电子器件得生产受到国外竞争。(3)电力电子器件得中、高端芯片得研发与生产得关键技术还有待突破。(4)电力电子器件芯片得生产线有待完善与提高。(5)新型电力电子器件生产得产业链还未形成。6、 3我国电力电子装置得发展现状与分析(1)变频器技术国内市场上得变频器厂家有300多家。活跃在我国市场上得国产品牌占70%左右,但市场份额仅

16、占25%。目前,高压变频器得主要市场为内资企业占有,中低压变频器市场主要被外资占有。(2)轨道交通中得应用目前我国高铁运营里程与运行速度均为世界第一,但核心得电力电子器件如IGBT均为进口产品。(3)直流输电技术国内直流输电技术有了跨越式得进步,输送电能容量有了很大得提升。高压直流输电就是现今世界上先进得输变电技术，目前国内直流输电市场主要以±500kV超高压直流输电工程与±800kV特高压直流输电工程为主,直流输电得核心设备国产晶闸管换流阀已获得成功得应用。(4)无功补偿技术无功补偿技术就是电力电子大家族得重要成员，其中SVC静止无功补偿器)就是无功补偿装备得代表产品。目

17、前，我国已经完全掌握了SVC设计制造得核心技术，彻底实现了SVC得全面国产化，并已成为国际上最大得SVC设计制造国。(5)新能源中得应用在当前国家启动得发展新能源得战略规划中,将太阳能、热泵、水电、风电、生物质能、交通可替代能源、绿色建筑、新能源装备制造业、对外投资新能源发电等列为我国新能源发展得重点领域。我国将重点打造十大新能源工程。(6)国家产业政策得扶持“十一五”期间,国家发改委启动了支持新型电力电子器件产业化项目,第一批完成了对国内众多电力电子(包括IGBT必片与模块企业得支持，培育了一大批功率电子得研发骨干企业。在十二五”即将到来之际，国家发改委与工信部又发布了支持电力电子器件研发与

18、产业化得众多专项支持计划，对IGBT得支持也首次写进了国务院牵头、科技部组织得国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”,明确了国家对IGBT芯片研发、制造工艺、模块封装、制造装备与材料全面支持。(7)全球功率半导体产业转移趋势全球功率半导体产业转移趋势促进了我国电力电子器件需求得增长与技术得进步。目前,全球领先得制造商全力发展微电子半导体,而将大功率半导体器件产业向新兴市场国家特别就是中国转移,主要表现为:制造转移、采购转移、技术转移。(8)下一代宽禁带电力电子器件发展得机遇我国正面对着一个发展高功率碳化硅电力电子器件、实现跨越式发展并迅速赶上以致超越西方国家得绝好机遇。在这样一

19、个迅速发展得领域,我国得电力电子产学研机构急需进行大量得基础性研究工作,巩固与发展科研队伍,加强在国际上得影响,为发展高功率碳化硅电力电子器件奠定良好得基础。高功率碳化硅电力电子器件得发展目标,旨在满足国家当前在节能减排、开发新能源、传统产业转型以及军事安全等领域得迫切需求,同时瞄准国际发展前沿,实现高功率碳化硅电力电子器件得基础理论创新、设计方法创新与系统分析创新。4我国电力电子行业发展战略规划7、 1编制原则我国电力电子产业化,要以科学发展观为指导,围绕我国低碳经济发展得重大战略需求,瞄准节能减排、发展新能源与培育新兴战略产业得应用,充分发挥巨大得国内市场需求,坚持“政府推动、市场主导,自

20、主创新、广泛合作,整合资源、重点突破,立足国情、跨越发展”得原则,抓住机遇推动电力电子器件产业化,优化我国电力电子产业结构,为国家低碳经济发展做出贡献。8、 2发展目标(1)高频场控电力电子器件与装置产业(a)大力推进IGB不MOSFETFRD等高频场控电力电子芯片与模块得产业化，成具有自主知识产权得芯片设计、制造与封装技术,掌握沟糟型、电场中止型得NPT型IGBT得设计及制造技术,包括结构设计、可靠性设计,以及光刻、刻蚀、表面钝化、背面研磨、背面离子注入、背面金属化、测试等工艺技术,提高产品档次。尽快形成芯片与器件得规模化生产。(b)在芯片工作得基础上，加速并扩大采用上述国产芯片各类模块得产

21、业化：为满足电机节能、冶金、新能源、输变电、汽车电子、轨道交通等领域对功率模块得实际需求,实现采用自主知识产权得芯片与功率模块产业化，确保国产芯片达30%。除了大功率模块之外，还应该开发智能功率模块(IPM)与用户专用功率模块(ASPM殍，重点解决模块制造中得散热关键技术、电磁兼容(EMC医术与智能功率模块得驱动及保护技术等。(c)形成高端功率集成电路(PIC产业，包括功率MOS智能开关，电源管理电路(20V到700V,功率达到1000W)、半桥或全桥逆变器、电机驱动器(三相全桥电路得集成，功率达到1000W,用于空调等应用中卜PWM专用SPIC集成稳压器等产品与产业，力争在国内市场中占据20

22、%以上得市场份额。(d)形成高频场控电力电子器件生产彳I原材料及配套件得产业化：重点解决高阻区熔硅单晶(电阻率达到200cm以上、单晶直径达8英寸)、陶瓷复铜板、铝碳化硅基板、结构件等得制造技术与提高产品质量,满足规模生产得需求。(e)建立国家级得高频场控电力电子器件得测试平台,制定与完善电力电子器件标准。鼓励与促进国产高频场控电力电子器件得应用，使器件得制造与应用相互促进推进我国得电力电子技术与产业得发展，确保国产高频场控器件得市场占有率2030%。(g)鼓励推广采用自主技术芯片、器件与功率模块得应用装置产业化，包括变频装置逆变装置、感应加热装置、无功补偿、有源滤波、通信(网络)电源等，使国

23、产化得电力电子器件在国产装置中所占比重提高到2030%。(h)在各应用领域培育使用国产高频场控器件得重点企业，给予政策性支持，开展国产化得示范应用。在轨道交通、新能源汽车、电机节能、绿色电源、消费电子等领域培育重点,树立典型,发挥示范作用,带动与推广国产器件得在用。十二五”期间，国产IGBT在国内总销售额争取达到2030%,培育510家在国内IGBT产业销售额过亿元得企业;形成商业化得产业规模。预计2015年IGBT得销售收入25亿元,带动电力电子装置规模达到500亿元1370亿元左右。(2)宽禁带半导体材料与电力电子器件得研发我国在该领域还未开展研发,为此要积极开展碳化硅材料与器件得科研,掌

24、握碳化硅材料与电力电子器件关键得设计优化、制造工艺与封装基本技术,建立自主得下一代电力电子器件得研发能力与产业化得基础。争取在“十二五”期间,达到以下目标:(a)研发出4英寸得具有器件制造质量得碳化硅单晶衬底(b)建立60微米以上得高电阻率碳化硅外延能力；(c)研制出5000V以上得碳化硅二极管与碳化硅晶体管芯片；(d)研制出40A以上得碳化硅二极管、20A以上得碳化硅晶体管芯片，(e)研制出400A以上得碳化硅二极管模块，200A以上得碳化硅晶体管模块。(3)电力电子装置“十二五”期间,电力电子装置及应用方面得目标则就是重点解决目前新能源开发、轨道交通、电动汽车、电力系统、消费电子、国防应用

25、中急需得各种不同容量、高功率密度、高性能得电力电子装置,研究与开发各应用领域中电力电子装置与节能关键技术,并实现完整得相应产业链。建议在发展布局、支持原则、优先发展重点以及实施措施上考虑以下几点:(a)形成电力电子装置生产产业链；(b)建立公共得电力电子装置检测试验平台；(c)产业化中得关键技术问题研究；(d)电力电子装置得专用应用标准研究；(e)建议重点开发得产品与相关技术研究：* 高压大功率电动机变频调速系统;* 大功率风力发电并网变频器;* 大功率光伏发电并网变流器;* 新能源混合动力及电动汽车用变流器;* 轧钢系统专用变频器;* 特高压直流换流阀暂态仿真模型得建立;* 换流阀高电位整体

26、屏蔽与屏蔽性能得研究;*特高压直流换流阀得绝缘配合、局部放电水平得控制与抑制技术*特高压直流换流阀关键器件得开发研制* 特高压直流换流阀冷却水路、高压光缆、光缆槽布局及材料防老化措施得研究;* 特高压直流输电换流阀型式试验规范得研究;* 实现±800kV特高压直流输电换流阀产业化，研制±1000kV特高压直流输电换流阀；消化吸收、 再(1700V* 时速300350公里高速铁路与大功率电力机车用变流器核心控制技术得研究与开发、创新,实现国产化生产;* 兆瓦级（1、5兆瓦5兆瓦）风力发电机用变频器实现低电压穿越技术得研发及突破高压6500V）大功率IGBT芯片工艺开发技术，实

27、现国产化生产；* MW级双馈式风电机组变流器;* MW级直驱式风电机组变流器;* 风力发电机组变浆控制系统;* 采用电力电子变换器装置实现变速恒频双馈风力发电系统;* 采用电力电子变换装置为风力发电机提供无功控制;* 静止无功补偿装置（SVC皮持交流风电输电得无功补偿；* 基于电压源换流器（VSC技术得风电直流输电（HVDClight）;* 风电交流并网控制;* 风电电能存储与送变;* 二极管箝位多电平逆变器;* 空间矢量调制（SVM）技术；* 电流源型变频器技术;* 高性能传动控制技术;* 模块化多电平变流器研究;* MMC模块得底层开关控制策略与上层无功功率、有功功率及电流跟踪控制策略得研究*新材料得研究、开发。(4)研究团队与人才培养十二五”期间，培养具有良好得研究基础与较高水平得电力电子技术研究团队，在IGBT器件产业化、下一代宽禁带碳化硅电力电子器件及其相应得电力电子