锻件超声波探伤

1、锻件超声波探伤1筒形抿件轴向长度l大干其外径尺寸n的轴对称空I凛件如圉1所示t为公称厚度.1.1.2环形舉件一轴向长度l小干寻于其外径尺寸n的轴对称空心件如图1所示上为公称厚度.1.1.3饼形抿件-轴向长度l小干竽干其外径n的轴对称形粮件如图1(b)所示北为公称厚度.1.1.4琬形粮件用作容器封头冲心部份凹进去的轴对称形抿件如图1(c)所示.t为公称厚度.1.1.5方形锻件相交面互相塑宜的六面体僭件如图1(d)所示.三维尺寸触b、c中最上称厚度.1.2底波降低重GB/BF(dB)无欣陷区的第一次底波高度(GB)和有缺陷区的第一次底波高度(BF)之比.由碱陷引起的底面反射的降低重用dB 道耒示.

2、13密集区缺陷当荧光屏扫描线上相当于50mm的声程范医内同时有5个或者5个以上的缺陷反射信号;或者在50mm X50mm 的探测面上发现同一深度范闫内有5个或5个以上的缺陷反射信号.14缺陷当重宜径用AVG冇法求出的假定与超声波衷相霑宜的平底孔的宜径,称为缺陷当重宜径成简称为当重宜径.1.5 AVG曲线以纵座标轴衣示相对的反射回波高度，以横座标轴走示声桎,对不同直径且假定与超声波衷相塑宜的圜平面缺陷 所U出的曲线图叫AVG曲线亦称为DGS曲线.2探伤人员抿件探伤应由具有一定基础知识和锲件探伤经验，并经亏枝取得国家认可的资格证书者担任.3探伤器材3.1探伤仪5.1.1应采用A型脉冲反射式超声波探

3、伤仪，其频响范围至少应在lMH=5Mh=内.3.1.2仪器应至少在满刻度的75%范闫内呈线性显示(误差在5%以內垂亘线性误差应不大干5%.3.1.3仪器和探头的组台灵叢度:在达到所探工件最大程处的探伤灵敏度时，有效灵软度余重至少为10dB.3.1.4衰诚器的精度和范囤仪器的水平线性、功态范围等均应队伍ZBY230-84 «A型脉冲反射式超声波採伤仪 通用披术条件中的有关规定.32探头3.2.1探头的公称频率主要为2.5Mh=率误舍为± 10%.3.2.2主要釆用晶片尺寸为O20mm的硬保护膜宜探头.3.2.3必要时也可采用2MHzs或25MH=,以及晶片尺寸不大于628mm

4、探头.3.2.4探头主声柬应无双峰，无偏斜.33耦台剂可釆用机油.甘油竽透声性能好，且不损害工件的液体.4探伤时机及准爸工作4.1探伤时机探伤原则上应安排在最终热处理后，在槽、孔、台茨等加工前，比较简車的几何形状下进行热处理后抿件形状若 不适于超声波探伤也可在热处理前进行但在热处浬后,仍应对抿件尽可能完全进行探伤.4.2准旨工作4.2.1探伤面的光洁度不应低一地5,且表面平整均匀，并与反射面平苓，圆住形抿件其端面应与轴线相霑直,以便于 轴向探伤方形耙件的面应加工平整，相邻的端面应塑宜.4.2.2 W伤表面应无划伤以及袖垢和油港心物锌附着物.4.2.3锲件的几何形状及表面检查均台格后，方可进行探

5、伤.4.3重要区抿件的重要区应在设计图样中或按JB755-85压力容器抿件技术条件予以注明.5探伤方法锲件一般应进行纵波探伤，对简形抿件还应进行横波探伤，但拒查部位和验收栋灌应由供需欢方裔定.5.1横波探伤横浚探伤应按附录B的要求迸行.5.2纵波探伤5.2.1扫查方法5.2.1.1棍件原则上应从两柜旦雪宜的方向进行探伤，尽可能地探測到擀件的全体积，主要探测方向如图2所示，其 他形状的抿件也可参照执行.5.2.1.2拒査范闫:应对擀件整个表面进行连续全面扫査.521.3拒查速度:探头移功速度不超过精un150mm/s.521.4扫查复盖应为探头宜径的15%以上521.5当锲件探测厚度大于400m

6、m时，应从相对两端面探伤.522探伤灵敏度的校脸5.2.2.1原则上利用大平底釆用计算法确定探伤灵敬段对由于几何形状所限，以及缺陷在近场区内的工件，可釆用 试块法(见附录A).5.22.2用底波法校正灵驗度，校正点的位置应选以工件上无欣陷的気好区域.522.3曲面补偿:对于探測面是曲直而又无法采用底波法的工件，应釆用曲率与工件相同或相近(0.7-1.1倍)的参电 试块见附录A)；或者釆用小宜径晶片的探头，使其近场区的长度小于等于1/4工件半径，这样可不需进行曲面补 偿.5.22.4探伤灵数度不得低于O2mm当重宜径.523缺陷当量的确定5.2.3.1采用AVG曲线及计算法确定缺陷当重.5.23

7、.2计算欣陷当重时,当材质衰减系数超过4dB/m时,应考虑修正.5.23.3材质衰减系敎的测定a. 应在被測工件无欣陷区域，选取三处有代表性的闯求B1/B2的道、即第一次底波高度(B1)与第二次底波高度(E2) 之比的dE差直b. 衰减系数a(dB/m)的计算为a =2T式中T一声程523.4 AVG曲线图见附录C.5.3灵皺度的重新校脸5.3.1除每次探伤前应校准灵敌度外，遇有下述情况时,必须对探伤灵敏度进行重新校准.久校正后的探头、耦台剂和仪器调节旋钮等发生任何改变时；b. 开路电压波勒或操作者怀疑灵叢度有变勒时；c. 连续工作4以上；&工作结柬时.5.3.2当喈益电平降低2dB以

8、上时，应对上一次校繼以来所有检萱抿件进行复探;当增益电平升高2dB以上时，应对 所有的记录信号迸行重新评定.6记录6.1记录当重宜径超过64en的单个缺陷的波堰BOP置.6.2密集性缺陷:记录密集性缺陷中星大当重缺陷的住置和分布.621饼形锲件应记录大于等于4mm当楚宜径的錶陷密集区.6.2.2其他锻件应记录大于等于G3en当密集区.623缺陷密集区面积以5fhnmX 50mm的方块作为最小量度单位，其边界可由半波高并法决定.6.3应按表2要求记底波降低重6.4衰诚系数,若供需衣方有规定时，应记录衰减系散.7等级分类7单个缺陷反射的夺饭见表I.表1单个缺陷反射的等级等级IU111IVV缺陷当量

9、<04>64+(>58dB)64+(>812dB)e4+(>1216dB)>64+16dB)直径7.2底波降低星的纾段见表2.表2由缺陷引起底波防低重的等级等级I11111w 1V底波降低量BG/BF<8>8-14>14-20>20-26>26注:在计算缺陷引起的底面反射降低量时,应扣除4dB/m的材质衰减.表2仅适用于声程大于一倍近场区的缺陷.73密集区缺陷等饭见表3表3密集区缺陷引起轸灰等级Iu111IVV密集区缺陷占探伤总面积百分比H0>0 5%>510%：>10 20%>20%注:表1至表3的竽级

10、应作为独立的等汲分别使用.7.4如果工件的材质衰减对探伤效果有较大的影响时，虫重新进行热处理.7.5按7.1、7.2、7.3节认定饭别的缺陷，如果被探伤人员判定为危害性缺陷时,可以不受上述条文的限制.S探伤报告探伤很吿不应少于以下内容.8.1工件情况工件W称.材料牌号.淘号、材质衰减、主要部位尺寸草图.探伤面的光沽度.8.2探伤条件探伤仪型号、探头频率晶片尺寸仕道）、探测方向探伤灵软度参琴反射体、耦台剂等.8.3探伤结果83缺陷住置、缺陷当壁宜径、底波降低区及嵌陷分布示意国.8.3.2缺陷等级及其他.8.4探伤人员的资格证号.等込 姓& 很告签发人的资恰证号.夺無 姓各 日期.附录A试

11、块要求（补充用A.I远场区使用，探測表面为平面时，应釆用CS2型栋准试块.A. 2近场区使用，探測表面为平面时，应釆用CS1型栋准试块.入3探伤面是曲面时,原则上应采用与工件具有大致相当曲率半径的对比试块，其具体形状如图A1. 附录E横波探伤（补充件）B. 1横波探伤仅适用干内外径之比大于苓于75%的环形和筒形擀件.E.2探头B.2.1探头公称频率主要为25MHg也可用2MFE.E22探头晶片面积为140-400mm2.E23原则上应釆用K1探头,但根涓工件几何形伏的不同，也可采用其他的K值探头.B3参琴反射体B.3.1为了调整探伤灵叢度，利用被探工件罢厚或长度上的加工余部份制作对比试块，在抿件的内外表面，分别沿轴向和 周向加工平行的V形槽作为标准沟橹.V形槽长度为25mm,深度为棍件罢厚的1%,角度为60.也可用其他轸效 的反射休（如边角反射等）.B4探伤方法B41扫亘冇法B.4.1.1扫査方向见国B1.B. 4.1.2探头移功速度不应超过150mm/s.B4.1.3扫查复盖宜为探头宽度的15%以上B 4.2灵皺度检验从桓件外圆面将探头对准内圆面的栋准沟槽，调整塔益，使最大反射高度为满诵的80%,将该值在面板上作一点，以 其为探伤灵皺度;再移功探头探外圆面的标准沟槽，并将