SiP器件的物理破坏性试验_第1页
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文档简介

1、SiP器件的物理破坏性试验产于SOP24生产线2。封装体内部有HT6221芯片，8050晶体管，47欧姆电阻和1K欧姆电阻。样品由正常储存条件下储存100天的产品取出。当然，选择的样品通过了所有的功能测试。III. 试验1、 C型扫描声学显微镜预先检测样品用Sonoscan扫描。D6000，从顶部和背面两边到界面分层进行检测。检测遵循MIL-STD-1580B标准。红色区域表示界面分层。和如下成型前的图片比较，分层出现在8050晶体管和电阻部位。图1、样品的C型扫描声学显微镜图像 IC 活性层和模塑料(a)，元件和引脚合金层粘结(b)C型扫描声学显微镜图像显示每个功能样品的活性层和粘结层没有分

2、层，但是在电阻成型化合物和晶体成型化合物中发现分层。图2 成型前的样品图片2、 可靠性试验和结果表1、试验项目和试验条件 项目 试验条件第一组 前提条件 260无铅再流焊，3个循环 HTSL第二组 （高温储存寿命） 150 1000小时第三组 TS（热冲击） -55+150，每个周期6分钟，720个循环第四组 THB（高温高湿偏置） 85，85RH，n源都是分层3。解决这些缺点的措施是选择合适的模塑料化合物，其表现出更高的MSL和CTE与引线框架材料匹配。V.结论比较测试结果，SiP性能可靠性优于单芯片封装器件。这些试验揭示了再流焊对可靠性影响最大，其次是热冲击。 失效分析说明了影响SiP器件可靠性的主要原因是模塑料材料和引线框架之间的匹配，类似于单芯片封装。结论是，如果我们选择合适的材料，结构设计和生产工艺，SiP不会降低封装的可靠性，也就是，其影响能降至非常低的水平。然而全面的解决办法水平，SiP当然比PCB的解决办法更合适，因为它能很大程度上简化程序。参考文献：1、 Wu J h, Anderson M J,COLLER D等，射频SIP技术创新通过一体化A.电子封装技术第五次国际会议C。新泽西州, 美国, 2003, 484-4912、 朱军山，金玲，吴胜平，基于SOP的SiP/*/本文档为3A学习网宣传资料，

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