ICP刻蚀工艺要点

1、ICP罪题库一，选择题。1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B） RPMA 20000B 32000C 40000D 180002、北微ICP本底克空和漏率指标为（A）时，设备能勞正常工作A 0O.lmT<lmT/minB >2.5mT <2mT/minC 0.30.5mT <1.0mT/minD >0.5mT<2.5mT/min3、NMC刻蚀机当前SRF时间为（C）时，要求对设备进行开腔清洁A 50HB 100HC 200HD 2000H4、SLR ICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程（ABC）A:用DI水喷淋托盘（底盘和盖子）、耐高温橡皮条（7

2、根）、螺丝B:用N2吹干C:螺丝使用一次后清洗；托盘和梯皮条使用三次后清洗；当天全部声波清洗5、ELEDEICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程（ABCD ）A. 用DI水浸泡石英托盘20minB. 用DI水冲洗一遍C. 用2吹干D. 用IPA擦拭密封圈6、ELEDE ICP卸晶片标准操作流程（ABC ）A. 用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定位置B. 用手轻轻地取出石英盖C. 用专用镶子将晶片夹放到相应的盒于里7、CORIAL ICP卸晶片工艺步骤（ABC ）A. 用小起子将钮盖轻轻翘开B. 移开铝板C. 用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒于里二，填空题。1蚀刻好的晶片测得的高

3、度是1.75um底径是2.74um那么需要进行补刻大约300S2蚀刻时一般设直氨气的压力是4Torr当实际压力超过5.2Torr矣报警氨漏3.NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000 RPM4在NMC工作中氮气的作用是吹扫腔体氨气的作用时冷却晶片（托盘）氧气的作用 是清洁腔室三氯化硼的作用是蚀刻晶片5. 1 Torr =133 P a6清洗晶片时丙酮的作用是清洗有机物异丙醇的作用是清洗丙酮7曝光使光刻胶有选择性，正胶 光照 地方,负胶未被光照 地方,光刻胶被显影液反 应掉8.ICP的清洁没有做好矣造成晶片死区盲区等缺陷9造成马赛克的因素有晶片的平整度,匀胶的均匀性，曝光台的清洁度10.NM

4、C机台连续工作5小时需要做Dryclean11. 每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况，低于第一个金属环时应添加异丙醇12. 当机台闲直Z小时以上再生产时，应对机台进行一次预热动作13作业过程中，杜绝晶片放错片盒,以工艺记录本的刻号为准14实验时装片要仔细查看晶片，避免把好晶片当成废片作为陪片刻蚀15实验片刻蚀完放回原来的盒子中，不可另外单独存放16每蚀刻完一个RUN,抽取西片进行检测，检测数据如有异常，立即报告工艺人员17拿晶片测量数据时，不可用手触摸晶片表面，避免晶片污染导致测量误差18每班下班前保证有三盒有胶废片，用过的废片满一盒后要及时送往清洗站19.蚀刻前进行晶片的挑选，凡有马赛克、污染、

5、针孔等缺陷超过竺mm?的不能蚀刻, 收集到返工盒里，待满一盒，流到清洗站清洗20每次做完PM后连续做工个SEASON接着做纟片实验，若实验片数据和外观OK就正 常生产，负责在做个SEASON和生片实验，直到能勞生产为止三，判断题：1,ICP刻蚀的工艺气体是三氟甲烷 ( X )2, Corial冷冻机里面装的是ACE ( X )3, ICP石英托盘用ACE清洁 ( X )4, 克空吸笔头容易脱落，吸片前检査一遍吸笔头是否稳固 ( 7 )5, 每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM腔室 ( 7 )6, 操作员可更改ICP生产程序 (X )四，问答题：1在检测发现有很多的废片如满天星；边不对称；刮

6、花等，试分析一下造成这些废片的原因。 答：造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等，但是刻 蚀前没有锤检，2装完片没有进行吹扫有颗粒落在晶片上，3机台长久没有做PM有颗粒掉 在晶片上。边不对称：1装片时没有调整好，2盖石英盖时造成晶片移位。刮花：1装片调整时镀于刮到晶片，2目检时遗漏了刮花缺陷，3拧螺丝时手指衣袖等 碰到晶片。2. NMC机台在进行手动操作时，机台里貝有一个托盘，托盘直正的位置在机械手臂上， 但是系统显示托盘位直为未知状态，此时该如何操作？答:点击手动模式再点击托盘同步，在“设直托盘存在状态下”设置腔室的选项为托盘不存 在，机械手臂为托盘存在托盘1,2

7、,3,4,5的位直都设直为托盘不存在然后点击“与系统 记录同步”点击“与设备信号同步”此时机械手臂上矣显示有托盘，其他地方都没有托盘， 这样就可以进行接下来的操作了。3什么叫做选择比？如果晶片上光刻胶的厚度是2.5um,要刻出商度约为1.55um的产品， 那么理想的选择比应该是多少？答：选择比就是蚀刻蓝宝石衬底的速度与蚀刻光刻胶的速度的比值。要刻出商度为 1.55um的晶片理想的选择比应该是0.62以上选择比=1.55/2.5=0.624下图是一 X简化的NMC机台的工艺配方，描述一下各个参数的含义。参数Stabl elEtch1Stable2Etch2Stabl e3Etch3flowPre

8、ssure(mTorr)33331.51.50SRFPower(W)0190001400019000BRFPower0200020007000HeliumPressure(Torr)4444444GasBCL3(300sccm)8080808040400Time(sec)20600106001045060PenvlvPos 让 ionDelayTime0000001000SRFReflectPower(W)50505050505050BRFReflectPower(W)50505050505050C5SetPoint40404040404040答：Pressure(mTorr)T艺腔室压力，S

9、RFPower(W)上电极加栽功率，BRFPower 下电极加栽功率，HeliumPressure(Tonj氨气压力，GasBCL3(300sccm)三氯化硼流量， Time(sec)蚀刻时间，PenvlvPositionDelayTime PV 阀位直，SRFReflectPower(W)± 电极反射功率，BRFReaectPower(W)下电极反射功率，C5SetPoint等离子体密度。5简述CORIAL ICP作业流程图6.简述CORIAL ICP装片工艺步骤1. 装备好材料，包括石英托盘、带密封圈的铝盖、蓝宝石晶片；2. 用无尘布蘸IPA擦拭石英托盘、铝盖；3. 将密封圈均匀

10、内陷干铝板小槽中；4. 石英托盘背面朝上，用直空吸笔吸取晶片背面，按一定顺序放在晶片位直上，晶片平 边对准托盘平边；5. 将铝盖放在晶片顶部，并轻压，使铝板嵌入托盘小槽中；6. 装好后，用无尘布蘸些许IPA擦拭托盘背面，将托盘翻转，轻轻擦拭托盘边缘，小心碰到晶片表面。7.简述CORIAL ICP清洗托盘作业流程图9.简述CORIAL ICP托盘清洗标准作业流程A. 用DI水浸泡石英托盘20min；B. 用DI水冲洗一遍；C. 用N2吹干；D用IPA擦拭；E. 用直空硅脂涂抹真空密封圈。10. 简述CORIAL ICP清洗反应室方法及步骤A. 进入maintenance状态，选择Sequence

11、 ” Vent Reactorw ;B. 点击Load Sequence显示步骤，再点击Run Sequence;C. 等待Sequence结束，反应室处于破直空状态，拧掉反应炉室上4颗锁紧螺丝，打 开反应室；D. 拆下石英细管，先用无尘布蘸上DIW,擦洗反应室内壁和石英窗口，再用无尘布蘸上 IPA擦洗。注意检査下电极上的弹箕圈是否有损坏，如有损坏，请及时更换，最后清 洁完后，按照图示安装石英细管；E. 用貢空硅脂涂抹直空密封橡皮条，再放直好；F. 在maintenance状态，选择sequence uReset Current Run CounterM ,将 Current Run Coun

12、t er 清零，Reset Counter 自动加 1;G. 结束后，盖上反应室，拧上螺丝，注意先不用拧紧，点击EXIT mode退出 maintenance mode,等机台进入vacuum ready状态，拧紧反应室上的螺丝.。11. 简述ELEDE ICP作业流程图12.简述ELEDE ICP装晶片标准操作流程A. 用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘表面（包括O-ring）;B. 用专用镶于将晶片按照一定顺序夹放到托盘的各个位直上（如上图），以边缘均匀盖住 密封圈为准（除平边），如左下图（不含石英盖）所示；C. 放置石英盖时不能移动晶片，对准定位销将石英盖轻放至托盘上，以边缘均匀盖住密封 圈为准

13、（除平边），如右下图（含石英盖）所示；D. 拧上螺丝（注意不拧紧，避免衣袖、手套碰到晶片表面）；E. 用力矩螺丝刀拧内中外圈螺丝，每隔2个拧一次，分2次拧紧，1次检査；F. 检查一遍晶片是否放好，并用专用吹扫工具吹扫一遍；G. 用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘底部，注意不可将IPA沾到晶片上；H. 将装栽托盘轻放至片盒上。13. 简述ELEDE ICP蚀刻作业操作I. 打开传输腔室门，将片盒轻放在卡板上，刚好卡住定位销，切忌左右移动片盒;2, 点击配方，打开工艺配方，检査所选配方的工艺参数；3, 点击片盒配方，打开所选的片盒配方；若没有要逸择的配方，则新建一个；4, 点击主界面，查看片盒配方详细信息

14、，确认无误，点击开始工艺；5, 待工艺结束后，打开传输腔室门，取出片盒及托盘，卸下晶片；14. 简述ELEDE ICP清洗石英盖、铝盘、螺丝作业流程图15.简述ELEDE ICP清洗反应室作业流程图关闭反应室16. 简述ELEDE ICP螺丝清洗标准作业流程A. 把螺丝装在小烧杯里，倒入IPA覆盖为宜，超声波振动lOmin ;B. 用N2把螺丝吹干17. 简述ELEDE ICP清洗反应室方法及步骤A. 进入维护/工艺模块,在腔室操作中点击吹扫，至少吹扫100次；B. 吹扫完毕后，点击吹大气,进行腔室破真空动作；C. 按照正确的流程打开反应室；D. 移走反应室零部件（石英盖、密封圈、内衬、压环等

15、）；E. 先用浸有DI水的无尘布擦拭反应室内壁，再用IPA擦拭，直到擦拭的无尘布上看不 到残余物的颜色为止；F. 按照步骤E擦拭反应室其余每个地方，特别是直空测量孔；G. 手动把升降针升起，用浸有IPA的无尘布擦拭三针；H. 用浸有IPA的无尘布擦拭卡盘、聚焦环表面；I. 按照步骤E擦拭其他的部件（内衬、压环等）；J. 安装反应室零部件（石英盖、密封圈、内衬、压环等）；K-关闭反应室；L.恢复反应室状态18.简述SLR ICP作业流程图19.简述SLR ICP装晶片标准操作流程A:用打圈圈的方式使橡皮条均匀分布在底盘的各个小槽上；B:判断托盘的方向，以中间的区域为标准，若定位横边往下的，则托盘两边的两个小孔 分别为左右两孔；C:用专用镶于将晶片夹放到托盘的各个位置上，并对准位直；D:把螺丝放在盖于的小孔里；E:以盖于边缘的一个小孔为左边，对应托盘的左边位直，小心地放在底盘上；F:用内六角起子对角地拧螺丝，分两次拧。第一次拧的程度为7成紧，第二次力度相对 均匀地稍微拧紧；G:用专用吹扫工具吹扫巳装好片的托盘一遍。