模块一（电子基础）-习题解答

1、第1章自测题、习题解答自测题1一、选择题1. 在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度 空穴浓度。A. 大于 B. 小于 C. 等于2. PN结在外加正向电压时，其载流子的运动中，扩散 漂移。A. 大于 B. 小于 C. 等于3. N型半导体的多数载流子是电子，因此它 。A. 带负电荷 B. 带正电荷 C. 呈中性4. 处于放大状态的晶体管，集电结的载流子运动形式 运动。A. 只有漂移 B.只有扩散 C.兼有漂移和扩散5. 当环境温度增加时，稳压二极管的正向电压将 。A.增大 B. 减小 C.不变解：1、C 2、A 3、C 4、A 5、B二、判断题1PN结加上反向电压时电流很小，是因为空间电荷

2、减少了。（ ）2当共射晶体管的集电极电流几乎不随集射电压的变化而改变时，则称晶体管工作在饱和状态。（ ）3P型半导体中空穴占多数，因此它带正电荷。（ ）4晶体管有电流放大作用，因此它具有能量放大作用。（ ）5. 二极管正向偏置时，PN结的电流主要是多数载流子的扩散运动。（ ）6. 结型场效应管的漏源电压uDS大于夹断电压UP后，漏极电流iD将为零。（ ）解：1、× 2、× 3、× 4、× 5、 6、×三、二极管电路如图T13所示，写出各电路的输出电压值。设二极管导通时uD =0.7V。 (a) (b) (c) (d) (e) (f)图T13解：

3、(a) 二极管截止，故uo1 =0V（b）二极管导通，故uo2 =50.7=4.3V(c) 二极管导通，故uo3 =30.7=3.7V(d) 二极管截止，故uo4=5V(e) 二极管导通，故uo5 =0.73=2.3V(f) 二极管截止，故uo6 =3V四、稳压二极管电路如图T14所示，已知DZ1、DZ2的稳定电压分别为UZ1=5V， UZ2 =8V，试求输出电压UO1，UO2。(a) (b)图T14解：（a）uo1 =15UZ1UZ22V （b）DZ2两端的电压小于其反向击穿电压8V，故DZ2截止，uo2 =0V五、电路如图T15所示，设UCC =10V，b=100，UBE =0.7V，UC

4、ES=0V试问：1. RB =100K，UBB =3V时，IC =？解： 2. UBB =2V时，UO =5V时，RB =？ 解： 习题1(a) (b)图P111。1 电路如图P11所示，设电路中的二极管为理想二极管，试求各电路中的输出电压UAB。解：（a） D1截止，D2导通，故uAB =6V（b） D1导通，D2截止，故uAB = -10V12电路如图P12所示，设二极管正向导通电压为0V，反向电阻为无穷大，输入电压为ui =10sint V，E=5V，试分别画出输出电压uO的波形。 (a) (b)图P12解：（a）当时，二极管导通，；当时，二极管截止，（b）当时，二极管截止，；当时，二极

5、管导通，13 选择填空.硅材料的N型半导体中加入的杂质是 元素，锗材料的P型半导体中加入的杂质是 元素。A. 三价 B. 四价 C. 五价PN结正向偏置时，空间电荷区将 。A. 变宽 B. 变窄 C. 不变场效应管的夹断电压UP=-10V，则此场效应管为 。A. 耗尽层 B. 增强型 C 结型某晶体管的发射结电压大于零，集电结也电压大于零，则它工作在 状态。A. 放大 B. 截止 C. 饱和. N沟道结型场效应管的导电载流子是 。A. 电子 B. 空穴 C. 电子和空穴. 场效应管是一种 控制型器件。A. 电流 B. 电压 C. 光电 . N沟道结型场效应管放大时，栅源之间的PN结 。 A.

6、应正偏， B. 应反偏， C. 应零偏。. 对于结型场效应管，当|UGS|>|UP|，那么管子将工作在 区。 A. 可变电阻 B 恒流 C. 夹断 D. 击穿解：（1）C A （2）B （3）A （4）C （5）A （6） B （7）B （8） C14 两只硅稳压二极管的正向电压均为0.5伏，稳定电压分别为UZ1 =6V，UZ2 =8V，若与一电阻串联后接入直流电源中，当考虑稳压管正负极性的不同组合时，可获得哪几种较稳定的电压值。解：两个稳压管组合可以有14V, 6.5V, 8.5V, 1V四种输出电压15图P15所示为半导体二极管正向伏安特性的近似曲线，试画出由恒压源U，电阻rd和理想

7、二极管D组成的该二极管正向工作的电路模型，并写出U及rd的表达式。图P15解：等效电路图如下：uD =Uon +iDrDrD =(uD -Uon)/iD16解：电路如图P16所示，其中R=2K，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定压UZ1、UZ2分别为5V、10V，正向压降为0.6V，不计稳压管的动态电阻和耗散功率，试求各电路输出电压。 (a) (b) (c) (d)图P16解：（a）DZ1反向击穿，DZ2截止，故uo1 =5V（b）DZ1正偏，DZ2截止，故uo2 =0.6V（c）DZ1反向击穿，DZ2截止，故uo3 =0V（d）DZ1反向击穿，DZ2反向击穿，故uo4 =5V17电路如图P17所示

8、 ，已知稳压管DZ的稳定电压UZ =6V，稳定电流的最小值Izmin =5mA，最大值Izmax =20mA，(1)当Ui =8V时，求R的范围；(2)当R=1K时，求Ui的范围。解：（1） （2） 18在如图P18所示电路中，R=400W，已知稳压管DZ的稳定电压UZ =10V，最小电流Izmin =5mA，最大管耗为PZM =150mW。(1)当Ui =20V时，求RL的最小值；(2)当Ui =26V时，求RL的最大值；若RL =时，则将会产生什么现象?解：（1）当RL最小时，通过稳压管的电流为IZmin5mA （2）稳压管可以通过的最大电流为： 此时， 若，将会烧毁稳压管19电路如图P1

9、9所示,设二极管为理想二极管。根据以下条件，求二极管中的电流和Y的电位。（1） 当VA =VB =5V时解： D1、D2的电流为（2） 当VA =10V，VB =0V时解：此时D1导通，D2截止。 （3） 当VA =6V，VB =5.8V时解：假如D2截止，则，故D2应该导通 解得：图P17 图P18 图P19110已知三极管的输出特性曲线如图P110所示，试求图中的IC =6mA，UCE =6V时，电流的放大系数。图P110解：从图中得知：当IC6mA时，IB0.06mA 111 已知处于放大状态的晶体管的三个电极对公共参考点的电压为U1、U2、U3，如图P111所示，试分别判断它们是NPN

10、型或PNP型？是硅管还是锗管？并标出三个电极的符号。图P111解：（1）NPN型 硅管 U1、U2、U3分别是B、E、C上的电压（2）NPN型 锗管 U1、U2、U3分别是B、E、C上的电压（3）PNP型 硅管 U1、U2、U3分别是C、B、E上的电压（4）PNP型 锗管 U1、U2、U3分别是C、B、E上的电压112已测得三极管的各极电位如图P112所示，试判别它们各处于放大、饱和与截止中的哪种工作状态？ 图P112解：（a） 发射极正偏、集电极反偏，故为放大状态（b） 发射极反偏，故为截止状态（c） 发射极正偏、集电极正偏，故为饱和状态（d） 发射极正偏、集电极反偏，故为放大状态（e） 发射极正偏、集电极正偏，故为饱和状态（f） 发射极电压为0、集电极反偏，故为截止状态113已知一个N沟道增强型MOS场效应管的开启电压UT =3V，IDO =4mA，请画出转移特性曲线示意图。解：转移特性曲线即ID和UGS的关系： 114已知一个N沟道结型场效应管的夹断电压UP = -4V，IDSS =5mA，请画出其转移特性曲线示意图，并计算当uGS = -2V时iD的值。解：转移特性曲线即ID和UGS的关系： 115已知某一晶体三极管(BJT)的共基极电