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文档简介
1、半导体二极管及其应用电路一. 半导体的基础知识1半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2. 特性-光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5. 杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的 掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电 子)。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半
2、导体自身的电阻称为体电阻。7. PN 结* PN结的单向导电性-正偏导通,反偏截止。* PN结的导通电压-硅材料约为0.60.8V,锗材料约为0.20.3V。8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性正向导通,反向截止。*二极管伏安特性-同PN结。*正向导通压降硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V,锗管0.1V。3. 分析方法-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低 若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳V阴(反偏),二极管截止(开路)。1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。R£4 ZVDTiioT(n)二极管电路2)等效
3、电路法?直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开,),二极管导通(短路);分析二极管两端电位的高低若V阳V阴(正偏 若V阳V阴(反偏 *三种模型),二极管截止(开路)0Cn丹相枫聊?微变等效电路法W恒用源模用(c)折线模型(J)帕»号fit型三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在 电路中要反向连接。三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1. 类型-分为NPN和PNP两种。2. 特点-基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理
4、1. 三极管的三种基本组态貝期射极组态汕卜几集电极俎杰kUL#极细态2. 三极管内各极电流的分配C + CBO Ze = BN + /o = jfB + /c /r= /bn - fem)*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件CN"+ (1 审)/cbo =/ST/b+/cfx> =/?/b式子 u称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管Cb)输入特和曲钱*输出特性曲线(饱和管压降,用UCES表示放大区-发射结正偏,集电结反偏。 截止区-发射结反偏,集电结反偏。饱和区-发射结和集电结均正偏。4. 温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。讪讪fit
5、sin& in0皿¥(c)输出特性曲红IA+ 1'匸+论"1to)商优的H掘数尊效电睛温度升高ICBO、 ICEO、 IC以及B均增加。 三低频小信号等效模型(简化) rbe-输出端交流短路时的输入电阻,3输出端交流短路时的正向电流传输比, 常用3表示;四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、 Vcc、 Rb、 Rc、Ci、C2 的作用。2. 组成原则-能放大、不失真、能传输。 五放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析 *概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点 *直流负载线-由Vcc=IcRc+Uce确定的直线At战天述
6、州的月锁皿沐1) 改变Rb : Q点将沿直流负载线上下移动。2) 改变Rc : Q点在Ibq所在的那条输出特性曲线上移动。3) 改变Vcc :直流负载线平移,Q点发生移动。*电路参数对静态工作点的影响2. 交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和V cc'点V cc' Uceq+IcqR l '勺 直线。(1) 截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-NPN管削顶,PNP管削底。*消除方法-减小Rb,提高Q。(2) 饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-NP
7、N管削底,PNP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大Vcc4. 放大器的动态范围(1) Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2) 范围*当(Uceq Uces) > ( Vcc' Uceq )时,受截止失真限制, Uopp=2U omax=2I cqRl'。5)输岀待社图林诜(uJ悌入持杵阳辭沱Uceq )时,受饱和失真限制,Uopp=2U omax=2UCEQ ),放大器将有最大的不失真输出电压。Ch)屉木丸射放大电路CIO亘流迪路* 当(Uceq Uces)v( Vcc' (Uceq Uces)。* 当(Uceq Uces) = ( Vc
8、c'六. 放大电路的等效电路法1. 静态分析(1)静态工作点的近似估算(2) Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足 Rb> B Rg2. 放大电路的动态分析(«)朮就通賂mi微变呼效电路放大倍数输入电阻输出电阻心二 + G+: JVTT CC州2尺 LM + Rb2"CTQ w CC %Q心 + 傀)tnJTr(M)育流通蹄七. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1 静态分析徹变竽效她跆A12 动态分析*电压放大倍数口比+(14叭在Re两端并一电解电容Ce后rbe阳1 *31 當输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后2?i = J?bl/Zfib
9、2/rbe*输出电阻八. 共集电极基本放大电路1 静态分析Ca) bit'll极越本放大电賂 A j rTjv 黄A |*Ah眾HlB° - «b +(l + )e2 动态分析*电压放大倍数j U + ")屁 n_W"e+a+w/?L*输入电阻+(1+似心加L>1输出电阻3. 电路特点*电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。 *输入电阻高,输出电阻低。场效应管及其基本放大电路一.结型场效应管(JFET )1. 结构示意图和电路符号屛结利堪咆路符号Cb) flFFT納构及电阳符M2.输出特性曲线(可变电阻区、放大区、截止区
10、、击穿区)U. mt/v«叙比枫 U第" 输出箝*1转移特性曲线頂丸断執喘蚀*嵐环 JOV 庐/HffliLKr-IV/r !锻和诞賞nrj_nE皿之-Up截止电压;一0 检 I上声 Wu.sBSI «*/¥输出特性拮楼特件.绝缘栅型场效应管(MOSFET)分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种 结构示意图和电路符号inh/nftA1 FUc-亠0Cfl)增强型输出特性2.特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线2 V 4V cs/vEhl增强型转移特性* N-EMOS的转移特性曲线式中,Ido是Ugs=2Ut时所对应的iD值。* N-DMOS的输出
11、特性曲线FD "dcJ护-10 (UGSt)TfIVfrU_-ivz2¥/DES -aWtlhA /1 tfcs/v拄煽型输出特件Cd)疑尽取转枚特性注意:UGS可正、可零、可负。转移特性曲线上 曲线表示式与结型场效应管一致。三.场效应管的主要参数1. 漏极饱和电流2. 夹断电压Up3. 开启电压Ut4. 直流输入电阻5. 低频跨导gmiD=O处的值是夹断电压Up,此IDSSRgs(表明场效应管是电压控制器件四.场效应管的小信号等效模型E-MOS的跨导gm -五共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路 *静态分析右兽兽】)c T 1 T3原理电路z = mw与浮)1 p厂
12、DEQ " 1 DD动态分析若带有Cs,则2.分压式偏置放大电路 *静态分析Ce)微变簣效电路(a)履理电捋5典=p R)1)D -JflQ血十冷i°q min阴a广成环0=心0(点临DSQ = , DD -DQd + 尺 j匕动态分析j - £i_ -mL 一矿叶赧若源极带有Cs,则妬叫+盔卽"险2Cc)微变等效电路六.共漏极基本放大电路*静态分析(A)电垢殂成饥二do:刃”卄(Tr DSQ = 1 DI> _*动态分析dqRS$11 -+%1靳rh*1?7-r1K « T = / /c丿 TStn律殳等效电路Rj=Rg+Rg /Jfg
13、iI =-g»II % 张用多级放大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合一各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成 本低。但不便于集成,低频特性差。2. 变压器耦合-各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。体积大,成本 高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。或%fto皿I止03.直接耦合一低频特性好,便于集成。各级静态工作点不独立,互相有影响。 存在零点漂移”现象。*零点漂移-当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致 使uo偏离初始值 零点”而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应1 中频段(fL話話H)波特图-幅频曲线是20lgAusm=数,
14、相频曲线是©=80°屮频段混爲躊数竽效电路rffif 20144>|m iol-L _«dB巫9Q° 甌期451AOVl 01/l A 气 】吟L fL® i |& L £ i L1 I X1 -45*/10c(u)髙旗凤曲合;r劈旌等效审岗'-lOilB/lec /UigKI0-0 Vi0- A 1U/L IOQTl-5.71*-45u-呂9 NF-P0*J?n.n)/Lo.i4 A M/yL_ _1E I * - 45O/dec / -1r -X二、P2 低频段(f話L)仏额円混件2教暂效巾.怖心=
15、為3 高频段(f占H)d£i0亢博的从本共肘放人电肉的趾响曲统US HI=卄|血|如&/HtM频率kismJA A ¥ M-严 'ill f £ 疗0(凡扯a弘二X矗 k-lGi?分斥弍冀肘申跻高颖啟灌合*参数霁效电路四.多级放大电路的频率响应1.频响表达式4.完整的基本共射放大电路的频率特性+呵G " (1+处)(1+加)-190-2 V三.分压式稳定工作点电路的 响应1 .下限频率的估算心"Eg2.上限频率的估算分你成施时匣酩低帧駁泡合TT郵敬零效电昭2.波特图1+妬RS LI :1+J+“'+ f /H U 血 Q
16、SdE 矶| J|菇二祁亦拠血加】応|I Id-aOdB/dH/u; IA A| j/n “Hz效率低功咸电话的T作状态功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1甲类工作状态导通角为360°, Icq大,管耗大,2乙类工作状态IcqQ 导通角为180°,效率高,失真大。3. 甲乙类工作状态导通角为180°360°,效率较高,失真较大。二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态?任意状态:UomiMJim? 极限状态:Uom=Vcc-UcEs?理想状态:UomiVccP Ff 71 o* 7 cm v um2.输出功率亠3.直流电源提供的平均功率Pcc
17、 = 1= f CC H uji.2吃二缶|7T/?匕4.管耗Pc1m=0.2Pom昭hi5.效率hl ",-M%矶理想时为78.5%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1问题的提出 在两管交替时出现波形失真交越失真(本质上是截止失真)。2解决办法?甲乙类双电源互补对称功率放大器 OCL-利用二极管、三极管和电阻上 的压降产生偏置电压。动态指标按乙类状态估算。?甲乙类单电源互补对称功率放大器 OTL-电容C2上静态电压为Vcc/2, 并且取代了 OCL功放中的负电源-Vcc。动态指标按乙类状态估算,只是用 Vcc/2代替。四复合管的组成及特点1. 前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-
18、c极间。2. 类型取决于第一只管子的类型。3. 3 =1牟集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1输入级一采用差放电路,以减小零漂。2中间级-多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。3输出级多米用互补对称电路以提咼带负载能力。4. 偏置电路-多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程-当 TfT C1、iC2fT E1、iE2 tUE tUBE1> UBE2B1、iB2 JT C1、iC2 bRe对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为共模反馈电阻”。2静态分析1)计算差放电路Ic设 Ub0 贝U Ue= 0.7
19、V,得Z?p/2 + 27fe2)计算差放电路Uce?双端输出时? f ce I = f LE2 = “C - fE =检十也 7?单端输出时(设VT1集电极接Rl)对于VT1 :S '=罟'十心 * rCEl=fClfE = f 1 +a7 对于VT2 :3.动态分析1)差模电压放大倍数?双端输出"nd " Aii风卄加+(1枷昭)卜rl诙单端肛-4半边差模交流通路?单端输出时从VT1单端输出:1_ 九(I4U| I2 2fis+rljt+<l + /?)(7?|j/2)|从VT2单端输出:/WV?L>I =2血十仏十(1初础/2)】2)差模输
20、入电阻论2心甘(1诃第3)差模输出电阻?双端输出:?单端输出:Rod 产 Rt傘嵐正赦的申汗传输特件三. 集成运放的电压传输特性当UI在+ Uim与-Uim之间,运放工作在线性区域十-«-)四. 理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征*开环电压放大倍数Aod空 *差模输入电阻Rid 芳 *输出电阻Ro0;*共模抑制比KCMR> ;2. 理想集成运放的分析方法1)运放工作在线性区: *电路特征一一引入负反馈 *电路特点一一虚短”和虚断”:虚短”- =0虚断”-2)运放工作在非线性区 *电路特征一一开环或引入正反馈 *电路特点 输出电压的两种饱和状态:当 u+&g
21、t;u-时,Uo=+u om 当 u+<u-时,Uo=-U om 两输入端的输入电流为零:i+=i-=0放大电路中的反馈.反馈概念的建立Aj L +力户*开环放大倍数A*闭环放大倍数A f*反馈深度1+AF*环路增益AF :反谢血大器迅成方桐图1当AF>0时,Af下降,这种反馈称为负反馈。2当AF = O时,表明反馈效果为零。3. 当AFVO时,Af升高,这种反馈称为正反馈。4. 当AF= 1时,As。放大器处于 “自激振荡”状态二. 反馈的形式和判断1. 反馈的范围-本级或级间。2. 反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存在反馈则为交流反馈,
22、交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。3. 反馈的取样-电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用(输出短路时反馈消失)电流反馈:反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用(输出短路时反馈不消失)4.反馈的方式并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠 力卩。Rs越大反馈效果越好。反馈信号反馈到输入端。串联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠 力卩。Rs越小反馈效果越好。反馈信号反馈到非输入端。5. 反馈极性瞬时极性法:(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用 +表示),并设信号的频率在中频 段。(2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时
23、极性 (升高用+表示, 降低用表示)。(3)确定反馈信号的极性。(4)根据Xi与X f的极性,确定净输入信号的大小。Xid减小为负反馈;Xid增大为正反馈。三. 反馈形式的描述方法某反馈元件引入级间(本级)直流负反馈和交流电压(电流)串 联(并联)负反馈。四负反馈对放大电路性能的影响1.提高放大倍数的稳定性dL4f 1 dA2I.-1 + .1F I3. 扩展频带4. 减小非线性失真及抑制干扰和噪声5. 改变放大电路的输入、输出电阻*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍*电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍*电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍五自激振荡产生的原因
24、和条件1. 产生自激振荡的原因附加相移将负反馈转化为正反馈。2. 产生自激振荡的条件若表示为幅值和相位的条件则为:;iF=i臥fFV1少F = 士2"+1)江5为幣数)信号的运算与处理一.基本运算电路1.反相比例运算电路R2 =Ri/Rf(«)早弟形式2.同相比例运算电路R2=Ri/Rf«O =(1+-)«43.反相求和运算电路(*)基本形式R4=Ri/R2/R3/Rf4.同相求和运算电路Ri/R2/R3/R4=Rf/R5m旳5.加减运算电路Ri/R2/Rf=R3/R4/R5=二.积分和微分运算电路1.积分运算2微分运算1/0 = -RC卜川肚和运算|!
25、擀节木积分远矣电跻信号发生电路.正弦波振荡电路的基本概念1. 产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈) C自激振荡的平衡条件:二|即幅值平衡条件:IN 相位平衡条件:卩af=±加個=山h 2)2. 起振条件:幅值条件:相位条件:仙;如皿3正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成*丨放大电路建立和维持振荡。丨正反馈网络-与放大电路共同满足振荡条件。丨选频网络以选择某一频率进行振荡。丨稳幅环节 使波形幅值稳定,且波形的形状良好。 正弦波振荡器的分类(1) RC振荡器-振荡频率较低,1M以下;LC振荡器-振荡频率较高,1M以上;(3)石英晶体振荡器振荡频率咼且稳定。 二.RC正弦波
26、振荡电路2. RC移相式正弦波振荡电路电路Ch)文氏应桥扳竊话0 go* A1. RC串并联正弦波振荡三.LC正弦波振荡电路1.变压器耦合式LC振荡电路 判断相位的方法:断回路、引输入、看相位InJLC轴o*4豳屉If仆)僥电极调谐,J =hi发姑极调谐站极调谐'I'2. 三点式LC振荡器相位条件的判断-射同基反”或三步曲法(1)电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路)电廉反馆二点式振荡器(2)电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路)电容二点式扳荡爲(3)串联改进型电容反馈三点式振荡器(克拉泼电路)* 亠 ll/h KCh)克投泼电路Cc)从捽振荡掘亠T(西勒电路)(4)并联改进型电容反馈三点式振荡器西戦也蹄0'Vcc(5)四.石英晶体振荡电路1.并联型石英晶体振荡器并联覷石英崩体拡荡话 rio等效电曄川朕空仃典品体振荡鬲2.串联型石英晶体振荡器直流电源.直流电源的组成框图*>电源-I卉电路电跡T住教頁流电浙的纽成杞用?电源变压器:将电网交流电压变换为符合整流电路所需要的交流电压?整流电路:将正负交替的交流电压整流成为单方向的脉动电压。?滤波电路:将交流成分滤掉,使输出电压成为比较平滑的直流电压 ?稳压电路:自动保持负载电压的稳定。?二.单相半波整流电路1 输出电压的平均值UO(AV)2 输出电压的脉动系数S23.正向平均电流
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