电光调制器强度调制器相位调制器EOM原理ppt课件

1、EOM的任务原理QQ775332295目录 EOMEOM的定义的定义 电光调制的分类电光调制的分类 EOMEOM的种类及运用的种类及运用 EOMEOM的任务原理的任务原理 EOMEOM的特性参数的特性参数 EOMEOM的操作方法的操作方法 EOMEOM在本次实验中的作用在本次实验中的作用EOM的定义 EOM，全称Electrooptic Modulator，即电光调制器，利用电光效应任务的光调制器。将信息加载于激光的过程称之为调制,完成这一过程的安装称为调制器,其中激光称为载波；起控制造用的低频信息称为调制信号。电光调制属于外调制，即在激光器外的光路中进展调制。目前光通讯领域所用的电光调制器大

2、多是铌酸锂资料做的光波导强度调制器。电光调制按其调制的性质可以分为调幅、调频、调相及强度调电光调制按其调制的性质可以分为调幅、调频、调相及强度调制等。制等。振幅调制振幅调制振幅调制就是使载波的振幅随着调制信号的规律而变化的振荡，振幅调制就是使载波的振幅随着调制信号的规律而变化的振荡，简称调幅。简称调幅。设激光载波的电场强度为：设激光载波的电场强度为：( )cos()cccce tAt假设调制信号是一个时间的余弦函数，即：假设调制信号是一个时间的余弦函数，即： ( )cosmma tAt其中其中 Am 和和 m 分别是调制信号的振幅和角频率，当进展激光振幅分别是调制信号的振幅和角频率，当进展激光

3、振幅调制之后，激光振幅调制之后，激光振幅 Ac 不再是常量，而是与调制信号成正比。不再是常量，而是与调制信号成正比。电光调制的分类)cos(cos1)(ccmacttmAte其调幅波的表达式为：其调幅波的表达式为： 利用三角公式：利用三角公式： )cos()cos(21coscos得：得：cmccacmccaccctAmtAmtAte)(cos2)(cos2)cos()(式中，式中， 称为调幅系数。可见调幅波的频谱是由三称为调幅系数。可见调幅波的频谱是由三个频率成分组成的，其中，第一项为哪一项载频分量，第二、个频率成分组成的，其中，第一项为哪一项载频分量，第二、三项是因调制而产生的新分量，称为

4、边频分量三项是因调制而产生的新分量，称为边频分量 。cmaAAm 调调幅幅波波频频谱谱2caAmmccmcm22caAmcA 调频或调相就是光载波的频率或相位随着调制信号的变调频或调相就是光载波的频率或相位随着调制信号的变化规律而改动的振荡。由于这两种调制波都表现为总相角化规律而改动的振荡。由于这两种调制波都表现为总相角 (t) 的变化，因此统称为角度调制。的变化，因此统称为角度调制。 ( )( )( )ccfttk a t)cos()(cccctAte中的角频率中的角频率c 不再是常数，而是随调制信号而变化，即：不再是常数，而是随调制信号而变化，即： 对于调频而言，就是式对于调频而言，就是式

5、频率调制和相位调制频率调制和相位调制调频和调相调频和调相假设调制信号仍是一个余弦函数，那么调频波的总相角假设调制信号仍是一个余弦函数，那么调频波的总相角为：为： ( )( )( )( )(cos)sinccfccfccfmmccfmctt dtk a tdttk a t dttkAt dttmt其中其中 称为调频系数，称为调频系数，kf 称为比例系数。称为比例系数。mmmffAkm那么调制波的表达式为：那么调制波的表达式为： ( )cos(sin)ccfmce tAtmt 同样，相位调制就是相位角不再是常数，而是随调制信同样，相位调制就是相位角不再是常数，而是随调制信号的变化规律而变化，调相波

6、的总相角为：号的变化规律而变化，调相波的总相角为： 式中，式中， 称为调相系数。称为调相系数。mAkmtAkttakttmmcccccos)()()coscos()(cmcctmtAte那么调相波的表达式为：那么调相波的表达式为： 调频和调相波的频谱。由于调频和调相本质上最终都是调制总调频和调相波的频谱。由于调频和调相本质上最终都是调制总相角，因此可写成一致的方式相角，因此可写成一致的方式 cmcctmtAtesincos)(利用利用 三角公式展开，得：三角公式展开，得：sinsincoscos)cos()sinsin(sin()sincos(cos()()tmttmtAtemccmccc将式

7、中将式中 两项按贝塞尔函数展开：两项按贝塞尔函数展开：)sinsin()sincos(tmtmmm和02cos(sin)()2()cos(2)1mnmmtJmJmntn112) 12(sin)(2)sinsin(nmnmtnmJtm知道了调制系数知道了调制系数m，就可得各阶贝塞尔函数的值。，就可得各阶贝塞尔函数的值。将以上两式代入利用三角函数关系式：将以上两式代入利用三角函数关系式： )cos()cos(21sinsin)cos()cos(21coscoscmcncmcncccccmccmccmccmcccctnntnmJAtmJAtmJtmJtmJtmJtmJAte)(1cos) 1()co

8、s()()cos()()2(cos)()2(cos)()(cos)()(cos)()cos()()(022110可得：可得：可见，在单频正弦波调制时，其角度调制波的频谱是由光载频与可见，在单频正弦波调制时，其角度调制波的频谱是由光载频与在它两边对称分布的无穷多对边频所组成的。各边频之间的频率在它两边对称分布的无穷多对边频所组成的。各边频之间的频率间隔是间隔是 , 各边频幅度的大小各边频幅度的大小 由贝塞尔函数决议。由贝塞尔函数决议。 m)(mJn0.770.440.110.02m6mc 角度调制波的频谱角度调制波的频谱1fm如以下图是如以下图是m=1时的角度调制波的频谱。时的角度调制波的频谱。

9、显然显然, 假设调制信号不是单频正弦波假设调制信号不是单频正弦波, 那么其频谱将更加复杂。另那么其频谱将更加复杂。另外，当角度调制系数较小即外，当角度调制系数较小即m1时，其频谱与调幅波有着一时，其频谱与调幅波有着一样的方式。样的方式。 强度调制是光载波的强度强度调制是光载波的强度(光强光强)随调制信号规律而变化的激随调制信号规律而变化的激光振荡。光振荡。 激光调制通常多采用强度调制方式，这是由于接纳器激光调制通常多采用强度调制方式，这是由于接纳器(探测探测器器)普通都是直接地呼应其所接纳的光强度变化的缘故。普通都是直接地呼应其所接纳的光强度变化的缘故。 激光的光强度定义为光波电场的平方，其表

10、达式为激光的光强度定义为光波电场的平方，其表达式为(光波电光波电场强度有效值的平方场强度有效值的平方): 222( )( )cos ()cccI te tAt 强度调制强度调制于是，强度调制的光强表达式可写为于是，强度调制的光强表达式可写为 :)(cos)(12)(22ccpcttakAtI式中，式中， 为比例系数。设调制信号是单频余弦波为比例系数。设调制信号是单频余弦波pk)cos()(tAtamm将其代入上式将其代入上式, 并令并令 pmpmAk(称为强度调制系数称为强度调制系数)(coscos12)(22ccmpcttmAtIm光强调制波的频谱可用前面所述类似的方法求得，但其结果光强调制

11、波的频谱可用前面所述类似的方法求得，但其结果与调幅波的频谱略有不同，其频谱分布除了载频及对称分布与调幅波的频谱略有不同，其频谱分布除了载频及对称分布的两边频之外，还有低频的两边频之外，还有低频 和直流分量。和直流分量。t( )I t载波调制信号强度调制强度调制 脉冲调制脉冲调制 以上几种调制方式所得到的调制波都是一种延续振荡的以上几种调制方式所得到的调制波都是一种延续振荡的波波, 称为模拟式调制。另外称为模拟式调制。另外, 在目前的光通讯中还广泛采用一在目前的光通讯中还广泛采用一种在不延续形状下进展调制的脉冲调制和数字式调制种在不延续形状下进展调制的脉冲调制和数字式调制(也称为也称为脉冲编码调

12、制脉冲编码调制)。它们普通是先进展电调制模拟脉冲调制或。它们普通是先进展电调制模拟脉冲调制或数字脉冲调制数字脉冲调制, 再对光载波进展光强度调制。再对光载波进展光强度调制。 周期脉冲序列载波周期脉冲序列载波 脉冲调制是用一种间歇的周期性脉冲序列作为载波，这脉冲调制是用一种间歇的周期性脉冲序列作为载波，这种载波的某一参量按调制信号规律变化的调制方法。即先用种载波的某一参量按调制信号规律变化的调制方法。即先用模拟调制信号对一电脉冲序列的某参量模拟调制信号对一电脉冲序列的某参量(幅度、宽度、频率、幅度、宽度、频率、位置等位置等)进展电调制，使之按调制信号规律变化进展电调制，使之按调制信号规律变化,

13、成为已调脉成为已调脉冲序列冲序列, 然后再用这已调电脉冲序列对光载波进展强度调制然后再用这已调电脉冲序列对光载波进展强度调制, 就可以得到相应变化的光脉冲序列。就可以得到相应变化的光脉冲序列。周期脉冲序列载波周期脉冲序列载波(a)调制信号调制信号(b)脉冲幅度调制脉冲幅度调制(c)脉冲宽度调制脉冲宽度调制(d)脉冲频率调制脉冲频率调制(e)脉冲位置调制脉冲位置调制脉冲调制方式脉冲调制方式EOM的种类及运用 根据电极构造不同，EOM可以分为集总参数调制器和行波调制器； 根据波导构造不同，EOIM可以分为Msch-Zehnder干涉式强度调制器和定向耦合式强度调制器； 根据通光方向与电场方向的关系

14、，EOM可以分为纵向调制器和横向调制器。纵向电光调制器具有构造简单、任务稳定与偏振无关、不存在自然双折射的影响等优点，其缺陷是半波电压太高，特别在调制频率较高时，功率损耗比较大；KDP晶体横向电光调制的主要缺陷是存在自然双折射引起的相位延迟，可采用“组合调制器的构造予以衬偿。电光调制器有很多种，根据不同的规范可以分成不同的类别。 根据电光晶体资料的不同，可分为KDP晶体，铌酸锂EOM，硝基苯EOM，锂铌酸钾EOM； 根据所用电光效应的不同也可分类，假设电光资料折射率与调制电压呈线性关系，即称为线性电光效应泡克尔斯效应，如KDP晶体，铌酸锂；假设电光资料的折射率与调制电压的二次方成正比，即克尔效

15、应，如硝基苯，锂铌酸钾； 另外，此处还需引见EAM，电吸收调制器，一种和铌酸锂波导调制器一样运用广泛的调制器，属于是内调制器，主要用于和半导体激光器集成，体积小，功耗低，驱动电压低，但传输性能比EOM稍差，比直接调制的半导体激光器稍好，多用于中短间隔传输，开展出路较好。 相位调制器 相位调制器是电光波导调制器中最简单的器件，选择适宜的晶体取向以便获得最大电光系数 为获得最大调制深度，普通取Z方向为电场方向，选取适宜的波导和电极构造，然后在调制电压信号的作用下，电光晶体的折射率发生相应的改动，晶体中o光和e光经过不同的光程，产生附加相位。如以下图所示，电场分量沿程度方向x切y晶体或者垂直方向y切

16、x晶体加在铌酸锂基片上，光波导传输的方式应为TE模程度偏振，即晶体中的e光。产生的附加相位为 根据调制参量的不同，可以分为相位调制器和强度调制器。33r切，表示的是基片取向，如z切，即表示晶体的z轴垂直于晶体光滑外表，GVnLLne3332 强度调制器 强度调制的本质依然是相位调制产生的。激光经过第一个3dB耦合器分成两部分，每个分支光波导所发生的景象均是相位调制，经过第二个3dB耦合器，相位调制才转变为强度调制。施加在晶体上的电场在空间上根本是均匀的,但在时间上是变化的。 常见的强度调制器是Msch-Zehnder干涉式强度调制器和定向耦合式强度调制器，但由于前者数学模型简单而且驱动电压低，

17、所以商用的强度调制器多数为M-Z干涉式强度调制器。 电光调制的物理根底是电光效应，即某些晶体在外加电场电光调制的物理根底是电光效应，即某些晶体在外加电场的作用下，其折射率将发生变化，当光波经过此介质时，其传的作用下，其折射率将发生变化，当光波经过此介质时，其传输特性就遭到影响而改动。输特性就遭到影响而改动。 光波在介质中的传播规律遭到介质折射率分布的制约，而光波在介质中的传播规律遭到介质折射率分布的制约，而折射率的分布又与其介电常量电容率亲密相关。晶体折射率折射率的分布又与其介电常量电容率亲密相关。晶体折射率可用施加电场可用施加电场E的幂级数表示，即的幂级数表示，即 电光调制的物理根底电光调制

18、的物理根底20nnEbE 20nnnEbE 或写成或写成式中，式中， E 是一次项，由该项引起的折射率变化，称为线性电是一次项，由该项引起的折射率变化，称为线性电光效应或泡克耳斯光效应或泡克耳斯(Pockels)效应；由二次项效应；由二次项 bE2 引起的折引起的折射率变化，称为二次电光效应或克尔射率变化，称为二次电光效应或克尔Kerr 效应。对于大效应。对于大多数电光晶体资料，一次效应要比二次效应显著，可略去二多数电光晶体资料，一次效应要比二次效应显著，可略去二次项，故在本章只讨论线性电光效应。次项，故在本章只讨论线性电光效应。EOM的任务原理 对电光效应的分析和描画有两种方法：一种是电磁实

19、际方法，对电光效应的分析和描画有两种方法：一种是电磁实际方法，但数学推导相当繁复；另一种是用几何图形但数学推导相当繁复；另一种是用几何图形折射率椭球体折射率椭球体(又称光率体又称光率体)的方法，这种方法直观、方便，故通常都采用这种的方法，这种方法直观、方便，故通常都采用这种方法。方法。 2222221xyzyxznnn1.电致折射率变化电致折射率变化 在晶体未加外电场时，主轴坐标系中，折射率椭球由如在晶体未加外电场时，主轴坐标系中，折射率椭球由如下方程描画：下方程描画：式中，式中，x，y，z 为介质的主轴方向，也就是说在晶体内沿着这些为介质的主轴方向，也就是说在晶体内沿着这些方向的电位移方向的

20、电位移D和电场强度和电场强度E是相互平行的；是相互平行的；nx，ny，nz 为折射为折射率椭球的主折射率。率椭球的主折射率。 当晶体施加电场后，其折射率椭球就发生当晶体施加电场后，其折射率椭球就发生“变形，椭球方变形，椭球方程变为程变为 如下方式：如下方式：2222222123422561111211221xyzyznnnnxzxynn式中，式中，ij 称为线性电光系数；称为线性电光系数； i取值取值1，6；j取值取值1，2，3。上式可以用张量的矩阵方式表式为：上式可以用张量的矩阵方式表式为：由于外电场的作用，折射率椭球各系数由于外电场的作用，折射率椭球各系数 随之发生线性变化，随之发生线性变

21、化，其变化量其变化量 可定义为可定义为21n3211ijjijEn121 11 21 3222 12 22 3323 13 23 34 14 24 3425 15 25 3526 16 26 3621()1()1()1()1()1()xyznnEnEEnnn式中，式中， 是电场沿是电场沿 方向的分量。具有方向的分量。具有 元元素的素的 矩阵称为电光张量，每个元素的值由详细的晶体决议，矩阵称为电光张量，每个元素的值由详细的晶体决议，它是表征感应极化强弱的量。将它是表征感应极化强弱的量。将LN晶体的电光张量矩阵代入式晶体的电光张量矩阵代入式中得到中得到 zyxEEE,zyx ,ij36假设外加电场

22、平行于光轴，假设外加电场平行于光轴，即即 ，那么，那么可以看出，加了电场后，折射率椭球没有旋转，可以看出，加了电场后，折射率椭球没有旋转，仍为单轴晶体，但其折射率发生了变化。仍为单轴晶体，但其折射率发生了变化。 下面分析一下电光效应如何引起相位延迟。实践运用中的下面分析一下电光效应如何引起相位延迟。实践运用中的LN晶体是晶体是沿着相对光轴的某些特殊方向切割而成的，且外电场也是沿某些特殊方向沿着相对光轴的某些特殊方向切割而成的，且外电场也是沿某些特殊方向加到晶体上的。根据电场的方向与通光的关系，分为两种方式：电场方向加到晶体上的。根据电场的方向与通光的关系，分为两种方式：电场方向与通光方向一致称

23、为纵向电光调制：电场方向与通光方向垂直，称为横向与通光方向一致称为纵向电光调制：电场方向与通光方向垂直，称为横向电光调制。以铌酸锂晶体为例，分析电光调制。以铌酸锂晶体为例，分析电光相位延迟电光相位延迟外加电场沿Z轴方向运用，折射率椭球不发生旋转，在一定条件下可以防止自然双折射的问题；为了在同样条件下获得更显著的电光效应，应该利用 的方向，而这正是z方向，因此选取电场方向为z方向。33根据以下图来讨论LN晶体的横向电光运用。由于外加电场是沿z轴方向，晶体的主轴不会发生旋转，仍为x，y，z方向，此时的通光方向与z轴垂直，并沿Y方向入射，假设入射光偏振方向与z轴成45角，进入晶体分解为X和z方向振动

24、的两个分量，其折射率分别为 ；假设通光方向的晶体长度为假设通光方向的晶体长度为L，厚度，厚度(电极电极间距间距)为为d，外加电压，外加电压V=Ezd，那么从晶体，那么从晶体出射的两光波的相位差为出射的两光波的相位差为由此可知，x轴与z轴的综合电光效应使光波经过晶体后的相位差包括两项：第一是与外加电场无关的晶体本身的自然双折射引起的相位延迟，这对调制器的任务没有奉献，而且会因温度变化引起折射率(no和ne)的变化而导致相位差漂移，进而使调制光发生畸变，甚至使调制器不能正常任务，应设法消除或补偿双折射景象；第二项是外加场作用产生的相位延迟，它与外加电场和晶体的尺寸有关。另外假设采取组合调制器或者12波片补偿的方法可以使总相差为当相位差为 时，此时的电压为半波电压，它反映了调制功率的大小，此处的半波电压表示为假设入射光偏振方向为Z方向，那么光束经过LN晶体不会有双折射景象，经过L长间隔的晶体后，其感应的相位变化为其半波电压为从上式可以看出，第一种方法的半波电压较小些，但由于该效应是寻常光和非寻常光电光效应之差，同样会有温度导致的相位差漂移景象；而且它必需求两块晶体，体积较大，而且还需加检偏安装，构造复杂，而且尺寸加工要求较高，故这类晶体的横向调制多采用第二种方法。从上面可知，可以经过减小晶体厚度，添加电光互作用长度