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文档简介

1、第七节 增益系数与电流密度关系注入半导体中载流子的行为.分散(存在浓度梯度).复合 (辐射复合,非辐射复合).走漏(越过异质结势垒)1.速率方程 (忽略非辐射, 走漏)空穴对数）（注入的电子产生的光子数引入内量子效率的概念稳态：（辐射复合）注入/)(, 0/)()(/irnrnedRJdtdNNRedJdtdNniJJ定义为名义电流密度当, 1描述注入载流子从小到大过程n自发发射I粒子数不反转;n阈值,粒子数反转,受激发射。，受激辐射复合注入载流子与自发辐射. 2光In注入电子浓度thstpspnIwwI净3.增益系数g与J的关系曲线GJ透明电流密度LED非振荡thtJJ振荡流密度发生变化阈值

2、增益，增益不随电正对应的由益克服吸收，刚刚注入的电流产生的光增:0:rhtJJJ（室温）低温选择松弛选择下严格得）（以及）（由对名义电流净净3)( :1:.)()(.)/(/(max)max;/max,(max)(.maxmaxmaxbJgKcnnagJJAgKbgnEZcdJWWcWngEeZWdhveZWdRredJabnttennspspnspnnnGJ21TT tJ4.增益与激励光子能量关系中包含在温度和激励水平的影响表示绝对零度时的吸收由vcvcredvcRffEfEfhvffAEnchhvhvg0021221223)()()()(8)()(11E)()(EgE波长蓝移入水平在不同温度下，同一注激射波长蓝移在同一温度下，结论TgTJgJmaxmax. 2,. 1g12000900

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