AZO透明导电薄膜 磁控溅射 溅射功率 光学性能 电学性能

1、AZO透明导电薄膜论文：磁控溅射法制备AZO透明导电薄膜及其性能研究【中文摘要】近年来,透明导电薄膜己成为液晶显示、触控面板、太阳能电池等的关键性材料之一,越来越受到人们的重视。且随着LCD的商品化、彩色化、大型化和提高太阳能电池能量转换效率的要求,对透明导电薄膜的要求也越来越高,需满足如下条件：电阻率低；透过率高；镀膜温度更接近室温；热稳定性优良；耐热性和耐碱性优良；硬度高；表面形状良好；与基底的附着性良好；能大面积均匀地镀膜；价格较低等。研究发现,掺铝氧化锌(AZO)薄膜具有同ITO薄膜可比拟的光电特性,且在等离子体中化学稳定性较好、氧化锌和铝材料来源丰富、价格低廉、几乎无毒性,逐渐成为化

2、合物半导体材料中一个新的研究热点,呈现取代ITO薄膜的趋势,开始逐步应用到众多领域中。本论文采用常温固相烧结法,自制不同A1掺杂浓度的AZO陶瓷靶材；采用射频磁控溅射法,通过改变沉积工艺参数,制备不同性能的AZO薄膜样品；研究分析了不同参数对AZO薄膜结构和性能的影响,提出最佳工艺条件。结论如下：1)不同工艺条件下均得到了呈现较强(002)衍射峰的AZO薄膜；溅射功率为150 W以下时,随着功率的提高,薄膜的结晶性越来越好,电阻率呈下降趋势；随着工作压强的降低,(002)衍射.【英文摘要】Transparent conducting thin films have attracted peop

3、les attention as much as they can in recent years, and they are becoming one kind of the key materials to produce thin film displays, touch panels and solar cells. With the development of LCD technology and the enhancement of solar cellsefficiency, the quality demand is much more rigorously for tran

4、sparent conducting thin films, such as:low resistivity, high transmittance, and low depositing temperature, good thermal stability, high sharpness, good surf.【关键词】AZO透明导电薄膜 磁控溅射 溅射功率 光学性能 电学性能【英文关键词】AZO Transparent conducting thin film magnetron sputtering sputtering power electrical property optica

5、l property【索购全文】联系Q1：138113721 Q2：139938848【目录】磁控溅射法制备AZO透明导电薄膜及其性能研究论文摘要4-5Abstract5-6目录7-9第一章 绪论9-181.1 引言9-121.1.1 AZO透明导电薄膜的结构10-111.1.2 AZO薄膜导电机理和光学特性11-121.2 AZO薄膜的主要制备方法12-151.2.1 磁控溅射方法131.2.2 真空蒸镀法13-141.2.3 溶胶-凝胶法141.2.4 化学气相沉积法14-151.2.5 脉冲激光沉积法151.3 AZO薄膜的主要应用与研究现状15-171.3.1 AZO薄膜的应用15-1

6、61.3.2 AZO薄膜的研究现状16-171.4 实验研究的目的及内容17-18第二章 实验设备及样品分析方法18-232.1 实验设备182.2 样品分析方法18-232.2.1 X射线衍射仪XRD18-192.2.2 扫描电子显微镜SEM19-202.2.3 原子力显微镜AFM202.2.4 紫外-可见分光光度计20-212.2.5 四探针电阻测试仪21-222.2.6 台阶仪22-23第三章 实验方法及过程23-283.1 AZO靶材制备23-263.1.1 靶材原料233.1.2 靶材制备工艺23-253.1.3 靶材晶体结构分析25-263.2 玻璃基底的清洗263.3 溅射参数及

7、过程26-283.3.1 溅射参数273.3.2 溅射过程27-28第四章 AZO薄膜的结构分析28-434.1 溅射工艺参数对AZO薄膜结构的影响28-374.1.1 溅射功率的影响28-314.1.2 工作压强的影响31-334.1.3 基底温度的影响33-354.1.4 薄膜厚度的影响35-374.2 A1掺杂浓度对AZO薄膜结构的影响37-384.3 后续退火处理对AZO薄膜结构的影响38-414.3.1 退火温度对薄膜结构的影响38-404.3.2 退火时间对薄膜结构的影响40-414.4 本章小结41-43第五章 AZO薄膜光学和电学特性分析43-555.1 溅射工艺参数对AZO光学和电学性能的影响43-505.1.1 溅射功率的影响43-455.1.2 工作压强的影响45-465.1.3 基底温度的影响46-485.1.4 薄膜厚度的影响48-505.2 Al掺杂量对AZO光学和电学性能的影响50-525.3 后续退火处理对AZO薄膜光学和电学特性的影响52-535