内存条芯片参数

1、内存条芯片参数    内存条芯片参数整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1 HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4 芯片容量密度和刷内存

2、条芯片参数整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。颗粒编号解释如下：1 HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。2 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷

3、新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5 内存条芯片结构：（44颗芯片；88颗芯片；1616颗芯片；3232颗芯片）6 内存bank（储蓄位）：（12 bank；24 bank；38 bank）7 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；FFBGA；FCFBGA（UTC:8x13mm）11 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；

4、J其它；M=MCP（Hynix）；MUMCP（UTC）12 封装原料：（空白=普通；P=铅；H卤素；R=铅+卤素）13 速度：（D43DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；JDDR333；MDDR333 2-2-2；KDDR266A；HDDR266B；LDDR200）14 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态

5、是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。常见SDRAM 编号识别维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下： HY HYUNDAI - 现代 MT Micron - 美光 GM LG-Semicon HYB SIEMENS - 西门子 HM Hitac

6、hi - 日立 MB Fujitsu - 富士通 TC Toshiba - 东芝 KM Samsung - 三星 KS KINGMAX - 胜创(2)内存芯片速度编号解释如下: -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. 75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. 8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. 7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. 10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.(3) 编 号 形 式HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj其中5a中的a表示芯片

7、类别,7-SDRAM; DDDR SDRAM.b表示电压,V3.3V; U-2.5V; 空白5V.CCC表示容量,1616M; 6564M; 129129M; 256256M.dd表示带宽。f表示界面，0LVTTL； 1SSTL（3）； 2SSTL_2.g表示版本号，B第三代。h表示电源功耗， L低功耗； 空白普通型。ii表示封装形式， TC400mil TSOPH.jj表示速度，7143MHZ; 75133MHZ;8125MHZ;10P100MHZ(CL=2);10S100MHZ(CL=3)10100MHZ(非PC100)。例：1） HY57V651620B TC-75按照解释该内存条应为：

8、SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.2) HY57V653220B TC-7按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：序号 品牌 国家/地区 标识 备注1 三星 韩国 SAMSUNG2 现代 韩国 HY3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并4 迈克龙 美国 MT5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并6 日电 日本 NEC7 日立 日本 HITACHI8 冲电气 日本 OKI9 东芝 日本 TOSHIBA10 富士通 日本 F11 西门子 德国 SIEME

9、NS12 联华 台湾 UMC13 南亚 台湾 NANYA14 茂矽 台湾 MOSEISAMSUNG内存体含义解释：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第1位芯片功能K，代表是内存芯片。第2位芯片类型4，代表DRAM。第3位芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位数据

10、线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位连线“-”。第14、15位芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits

11、（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。Hynix(Hyundai)现代现代内存的含义：H

12、Y5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY代表是现代的产品2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref5、代表芯片输出的数据位宽

13、：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_28、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-，TD=13mm TSOP-，TG=16mm TSOP-11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR20

14、0、H :DDR266B、K :DDR266AInfineon（亿恒）Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S1281

15、60即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。-7.5表示该内存的工作频率是133MHz；-8表示该内存的工作频率是100MHz。例如：1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） &#

16、215; 8 片/8=128MB（兆字节）。KINGMAX、ktiKINGMAX内存的说明Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。容量备注：KSVA44T4A0A64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；KSV884T4A0A64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；KSV244T4XXX128Mbits，32

17、M地址空间 × 4位数据宽度；KSV684T4XXX128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；KSV864T4XXX128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：-7APC133 /CL=2；-7PC133 /CL=3；-8APC100/ CL=2；-8PC100 /CL=3。例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。含义：MTMicron的厂商名称。48内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。LC供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。16M8内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。A2内存内核版本号。TG封装方式，TG即TSOP封装。-75内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内