2019年IST8900半导体分立器件全系列全功率全参数测试

1、IST8900半导体分立器件全系列、全功率、全参数测试系统一，概述：本机在启动测试后会从被测件的功能及极性开始检测，若器件损坏或接脚错误则立即停止测试并显示错误信息，若通过功能检测，器件的种类及极性即可显示，同时微控制器会将使用者输入的各测试条件由D/A送至各相对应的电流源或电压源，同时控制各继电器的连接，使此参数的测试电路自动形成，每一个参数依器件的极性都须要一个不同的电路来测量这极为繁杂的变化完全由微控制器自动完成， 所要量测的电流或电压可在极短的时间(80微秒)由A/D一次或数次测试取得，8900是一个由使用者依其电路要求条件或依器件出厂指标来实际模拟测试并精确的取得其重要的参数来判别其

2、优差并测知能否承担电路上的各种工作条件而不致损坏。此机可由输入的单一工作条件来量侧一个工作点上的参数，亦可由输入的工作范围在3秒内量测256个工作点的数据并将其变化以曲线表示，使用者可大致看出因其工作条件改变所产生的变化。二，导通参数的测量对MOSFET及IGBT在大电流高功率使用时的重要性大功率器件由于其通过的电流很大，在一些导通参数上若有少许的异常，轻者会降低产品的功效及性能，重者器件会发热，缩短寿命而损毁，例如：MOSFET的导通电阻Rd(on)在导通电流Ids为500安培，栅极触发电压Vgs为10Voit的工作条件下，正常良品参数值为42毫欧姆，若有一个不良品量出值为235毫欧姆如将其

3、用在相同功耗的电路上必定会出问题。又如IGBT的C-E极的饱和压降Vce(sat)的电流Ic为1000安培， 栅极电压为伏特时，良品的正常值一般在若有一差品量出为时，该器件在低功耗时没问题，但在全功率运作时间一久必遭烧毁，这些极为重要又非常细微的参数必须用高速精密的仪器来扑捉那非常关键的工作点，这并非能以一般的图示仪以工作区间的扫描方式所得到粗略的曲线数据所能比拟的。此外MOSFET的gfs（放大倍率）及Vgs（on）栅极的触发电压，同样IGBT的gfs及Vge（on）等参数对产品所能发挥的功效也是非常重要的，当器件在开关状态时其能承受电压（如BVdss）及所产生的漏电流（Idss）等对器件的

4、寿命亦十分重要的，也是必须量测的参数，总之，要控制产品的质量，必须从器件参数测量侧上把关，尤其要对一些大功率或易损的器件，先由专业工程师给出最重要的必测参数并将其工作条件及正常标准参数值逐一输入，只须输入一次即可储存在机内由输入程序号即可启动多种参数的全自动测试三，开关的时间参数对MOSFET及IGBT的重要性MOSFET及IGBT均是以栅极（GATE）上的电压来驱动的器件，又因其场效应感应的构造此栅极上均有一定的电容存在，此电容的大小会影响其开（Ton）或关（Toff）的时间参数，若器件用在能量传输或转换的电器上如仪器的开关电源及太阳能转换成交流电的INVERTER当开或关的时间加长会使器件

5、发热，同时转换效率就会变差，若将数十个器件并联在超大的负载上使用时每个器件开或关的时间必须尽量一致，否则开得过早或关得太晚的器件会受到过高的电流冲击，易造成器件提早烧毁，IST8900可精确测量此类器件的开（Ton）和关（Toff）,以纳秒ns计。IST8900配置清单及分项价目表1,IST8900主机：人民币：248,000元,(50A,2500V)包括：中英文操作手册、测试软件、接口、连线、电源线等附件：测试座适配器：TO-220247237;TO-366:TO-51839:二极管：表面贴等器件测试座适配器2,外加大电流机箱：162,000元包括：48组可调恒流源可控制由0-1500A;大