铜川IGBT项目投资价值分析报告-模板范本

1、CMC·泓域咨询 /铜川IGBT项目投资价值分析报告铜川IGBT项目投资价值分析报告xxx有限公司目录第一章 行业、市场分析11一、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新11二、 电动化+数字互联带动功率模拟芯片、控制芯片、传感器需求提升15第二章 项目建设背景及必要性分析17一、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大17二、 增强科技创新支撑20三、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心20四、 家电行业是IGBT器件的稳定市场22五、 项目实施的必要性23六、 IGBT供货周期与价格均有增长，供不应求难以缓解23七、 国内IGBT企业实现0-1突破，紧抓缺货朝下国产

2、化机遇24第三章 项目建设单位说明26一、 公司基本信息26二、 公司简介26三、 公司竞争优势27四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利润表主要数据29五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨30七、 公司发展规划31第四章 项目总论33一、 项目名称及项目单位33二、 项目建设地点33三、 可行性研究范围33四、 编制依据和技术原则33五、 建设背景、规模34六、 项目建设进度35七、 原辅材料及设备35八、 环境影响35九、 建设投资估算35十、 项目主要技术经济指标36主要经济指标一览表36十一、 主要结论及建议38第五章 产品规划与建设内容39一、 建设规模及

3、主要建设内容39二、 产品规划方案及生产纲领39产品规划方案一览表40第六章 项目选址方案42一、 项目选址原则42二、 建设区基本情况42三、 全力加快发展数字经济44四、 持以聚智创新、聚焦产业、聚力富民为关键抓手44五、 坚持以新发展阶段、新发展理念、新发展格局为战略指引45第七章 运营模式46一、 公司经营宗旨46二、 公司的目标、主要职责46三、 各部门职责及权限47四、 财务会计制度50五、 新能源发电为IGBT带来持续发展动力56六、 晶圆产能持续紧缺，IGBT供不应求或延续较长时间57七、 工控领域及电源行业支撑IGBT稳定发展58八、 IGBT技术发展历程及趋势60第八章 法

4、人治理结构63一、 股东权利及义务63二、 董事65三、 高级管理人员70四、 监事72第九章 发展规划分析75一、 公司发展规划75二、 发展思路76第十章 项目实施进度计划78一、 项目进度安排78项目实施进度计划一览表78二、 项目实施保障措施79第十一章 安全生产分析80一、 编制依据80二、 防范措施81三、 预期效果评价85第十二章 人力资源分析87一、 人力资源配置87劳动定员一览表87二、 员工技能培训87第十三章 环保分析90一、 编制依据90二、 环境影响合理性分析90三、 建设期大气环境影响分析91四、 建设期水环境影响分析92五、 建设期固体废弃物环境影响分析92六、

5、建设期声环境影响分析93七、 环境管理分析93八、 结论及建议95第十四章 原辅材料分析97一、 项目建设期原辅材料供应情况97二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理97第十五章 投资估算及资金筹措98一、 投资估算的依据和说明98二、 建设投资估算99建设投资估算表103三、 建设期利息103建设期利息估算表103固定资产投资估算表104四、 流动资金105流动资金估算表106五、 项目总投资107总投资及构成一览表107六、 资金筹措与投资计划108项目投资计划与资金筹措一览表108第十六章 经济效益分析110一、 经济评价财务测算110营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费

6、用估算表111固定资产折旧费估算表112无形资产和其他资产摊销估算表113利润及利润分配表114二、 项目盈利能力分析115项目投资现金流量表117三、 偿债能力分析118借款还本付息计划表119第十七章 项目招标及投标分析121一、 项目招标依据121二、 项目招标范围121三、 招标要求122四、 招标组织方式124五、 招标信息发布126第十八章 项目风险评估127一、 项目风险分析127二、 项目风险对策129第十九章 项目综合评价132第二十章 补充表格133建设投资估算表133建设期利息估算表133固定资产投资估算表134流动资金估算表135总投资及构成一览表136项目投资计划与资

7、金筹措一览表137营业收入、税金及附加和增值税估算表138综合总成本费用估算表138固定资产折旧费估算表139无形资产和其他资产摊销估算表140利润及利润分配表140项目投资现金流量表141报告说明IGBT应用于新能源的电压转换，例如：汽车动力系统、光伏逆变器等，IGBT功率模块均是逆变器的核心功率器件，在电动车动力系统半导体价值量中占比52%。IGBT透过控制开关控制改变电压具备耐压的特性被各类下游市场广泛使用，此外由于IGBT工艺与设计难度高，海外企业凭借多年的积累占据较大的市场份额；国内厂商近年来通过积极投入研发成功在国内新能源汽车用IGBT模块市场中占取到了一定份额，但仍有很大的替代空

8、间。根据谨慎财务估算，项目总投资18746.34万元，其中：建设投资14227.22万元，占项目总投资的75.89%；建设期利息358.97万元，占项目总投资的1.91%；流动资金4160.15万元，占项目总投资的22.19%。项目正常运营每年营业收入40400.00万元，综合总成本费用32677.08万元，净利润5650.94万元，财务内部收益率22.16%，财务净现值6652.23万元，全部投资回收期5.90年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。新能源碳中和趋势推动IGBT供不应求，价格与拉货周期均为上涨态势IGBT除了新能源汽车也常被用于光伏、风电、工控、

9、家电、轨交等领域；受益于碳中和趋势推动，IGBT迎来广阔的成长空间。IGBT目前生产大多以8英寸晶圆为主，需求增速大幅高于供给增速，因此8英寸晶圆需求一直保持高位。供需缺口使得IGBT产品货期持续拉长，截至2021年Q3仍未出现缓解的现象；英飞凌与Microsemi部分IGBT产品的交货周期已延长至50周，且相关产品价格也表现出上涨的趋势。综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经

10、济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 行业、市场分析一、 IGBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新IGBT是一个电路开关，透过开关控制改变电压。IGBT（绝缘栅双极型晶体管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一个三端器件，也是重要的分立器件分支，属于分立器件中的全控型器件，可以同时控制开通与关断，具有自关断的特征，即是一个非通即断的开关。IGBT拥有栅极G（Gate）、集电极C（Collector）和发射极E（Emitter），其开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定；在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，P

11、NP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通。IGBT结合了TMOSFET与与TBJT的优势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点，既有MOSFET的开关速度快，输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，此外为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，结构相对复杂。IGBT被各类下游市场广泛使用，是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT工艺与设计难度高，产品生命周期长。IGBT芯片结构分为正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。从80年代初到现在，IGBT正面技术从平面栅（Planar）迭代至沟

12、槽栅(Trench)，并演变为微沟槽（MicroPatternTrench）；背面技术从穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演变为场截止型（FS,FieldStop）。技术的迭代对改善IGBT的开关性能和提升通态降压等性能上具有较大帮助，但是实现这些技术对于工艺有着相当高的要求，尤其是薄片工艺（8英寸以上的硅片当减薄至100200um后极易破碎）以及背面工艺（因正面金属熔点的限制，所以背面退火激活的难度大），这也是导致IGBT迭代速度较慢。此外，IGBT产品具有生命周期长的特点，以英飞凌IGBT产品为例，该产品已迭代至第七代，但其

13、发布于2000年代初的第三代IGBT芯片技术在3300V、4500V、6500V等高压应用领域依旧占据主导地位，其发布于2007年的第四代IGBT则依旧为目前使用最广泛的IGBT芯片技术，其IGBT4产品的收入增长趋势甚至持续到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散热功能是IGBT未来发展趋势。英飞凌作为全球IGBT龙头企业，产品技术已成为本土厂商的对标。截至2021年，英飞凌产品已迭代至第七代。其中，第五代与第六代均属于第四代的优化版（第五代属于大功率版第四代，第六代属于高频版第四代）。IGBT器件需要承受高电压和大电流，对于稳定性、可靠性要求较高。未来，IGBT会朝着更小尺寸、更大晶圆

14、、更薄厚度发展，并通过成本、功率密度、结温、可靠性等方面的提升来实现整个芯片结束的进步。此外，IGBT模块的未来趋势也将朝着更高的热导率材料、更厚的覆铜层、更好的集成散热功能和更高的可靠性发展。第三代半导体物理特性相较于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已

15、难以满足高功率和高频器件的需求。新材料推进新产品发展，高压高频领域适用SiC。碳化硅在绝缘破坏电场界强度为硅的10倍，因此SiC可以以低电阻、薄膜厚的漂移层实现高耐压，意味着相同的耐压产品SiC的面积会比Si还要小，比如900VSiC-MOSFET的面积是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的产品，SiC可以做到1700V以上且低导通电阻。Si为了改善高耐压化所带来的导通电阻增大主要采用IGBT结构，但由于其存在开关损耗大产生发热、高频驱动受到限制等问题，所以需借由改变材料提升产品性能。SiC在MOSFET的结构就可实现高耐压，因此可同时实现高耐压、低导

16、通电阻、高速，即使在1200V或更高的击穿电压下也可以制造高速MOSFET结构。SiCMTOSFET具备一定优势，但成本较高。就器件类型而言，SiCMOSFET与SiMOSFET相似。但是，SiC是一种宽带隙（WBG）材料，其特性允许这些器件在与IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。然而，受制于制造成本和产品良率影响，SiC产品价格较高。由于Si越是高耐压的组件、每单位面积的导通电阻变高(以耐压的约22.5倍增加)，因此600V以上的电压则主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少数载子之正孔于漂移

17、层内，比MOSFET可降低导通电阻，另一方面由于少数载子的累积，断开时产生尾电流、造成开关的损耗。SiC由于漂移层的电阻比Si组件低，不须使用传导度调变，可用高速组件构造之MOSFET以兼顾高耐压与低电阻，可实现开关损耗的大幅削减与冷却器的小型化。SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求，因此SiCMosfet价格较SiIGBT高。根据功率器件的特性，不同功率器件的应用领域各有不同。虽然IGBT结合了MOSFET与BJT的优势，但三者根据各自的器件性能优势，都有适合的应用领域。BJT更强调工作功率，MOSFET更强调工作频率，IGBT则是工作功率与频率兼具。BJT因其成本优势，常被用于低功率

18、低频率应用市场，MOSFET适用于中功率高频率应用市场，IGBT适用于高功率中频率应用市场。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面将继续发展，因此在较长一段时间内仍会是汽车电动化的主流器件。SiC组件具有高压、高频和高效率的优势，在缩小体积的同时提高了效率，相关产品则主要用于高压高频领域。部分IGBT厂商已开始布局SiC产业。SiC具有较大发展潜力，已吸引多家功率器件厂商进行布局。英飞凌于2018年收购德国厂商Siltectra，弥补自身晶体切割工艺，又于2018年12月与Cree签署长期协议，保证自身光伏逆变器和新能源汽车领域的产品供应，旗下CoolSiC系列产品已走入量产。2019年，意

19、法半导体与Cree签署价值2.5亿美元的长单协议，且收购了瑞典SiC晶圆厂商NorstelAB，以满足汽车和工业客户对MOSFET与二极管的需求。2021年，意法半导体宣布造出8英寸SiC晶圆。此外，斯达半导、华润微、等本土厂商也已在SiC领域布局。二、 电动化+数字互联带动功率模拟芯片、控制芯片、传感器需求提升半导体是汽车发展趋势（电驱化、数字互联）的核心。汽车在电动化、智能化、网联化的发展过程中，半导体是发展的核心支撑。1）电驱化（电动化），电动与混动汽车的发展要求动力传动系统向电气化迈进，其中由电池、电机、电控组成的三电系统主要以功率半导体为主，包含IGBT、MOSFET等。2）数字互联

20、（智能化、网联化），智能化发展带动具备AI计算能力的主控芯片市场规模快速成长；此外智能与网联相辅相成，核心都是加强人车交互，除了加强计算能力的主控芯片外，传感器、存储也是核心的汽车半导体，包含自动化驾驶的实现使传感器需求提升、数据量的增加带动存储的数量和容量的需求提升。汽车半导体绝对值在增长，从分类中功率半导体价值量增加幅度最大。新能源汽车相比传统燃油车，新能源车中的功率半导体价值量提升幅度较大。按照传统燃油车半导体价值量417美元计算，功率半导体单车价值量达到87.6美元，按照FHEV、PHEV、BEV单车半导体价值量834美元计算，功率半导体单车价值量达到458.7美元，价值量增加四倍多。

21、第二章 项目建设背景及必要性分析一、 汽车半导体量价齐升，市场空间正快速扩大纯电动车有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。新能源汽车根据发动机主要可以分为HEV（混合电动汽车）、PHEV（插电式混合电动汽车）、BEV（纯电动汽车）。其中，HEV是最常见的混合动力类型，它的动力驱动方式可以通过使用燃料的发动机和带有电池的电动机。PHEV电池容量比较大，由较长的纯电续航里程，且有充电接口，一般需要专用的供电桩进行供电，在电能充足的时候，采用电动机驱动车辆，而电能不足时，发动机发电给动力电池。BEV则不需要燃油机，只需要依靠电池提供能量，所以会配置较大容量的电池。BEV的优势在于零排放。受益于国家的

22、双碳计划，BEV有望成为未来新能源汽车发展的主要方向。中国新能源汽车销量增速高于全球，02020年中国新能源汽车销量达到7136.7万辆。根据EV-volumes公布的数据，2014年全球新能源汽车销量为32.1万辆，2020年达到324万辆，2014-2020年复合增长率为47%；根据中国汽车工业协会公布的数据，2014年中国新能源汽车销量为7.5万辆，2020年达到136.7万辆，2014-2020年复合增长率为62%；整体来看全球与中国新能源汽车销量皆快速增长，且中国的增速高于全球。双碳计划促进新能源汽车发展，新能源汽车的碳减排潜力相较传统燃油车更具优势。国内要实现双碳目标，可能性路径包

23、括中国工业和公路交通等领域加速电气化、加速部署可再生电源等零碳电源等。受益于双碳目标，新能源汽车替代传统燃油车已是大势所趋。在车辆使用阶段，新能源汽车的碳减排潜力有明显优势。纯电动汽车与油车相比，单车运行阶段减排比例介于243%。若电动汽车的电耗降低，新能源电力使用比例提高，新能源汽车减排量比例还会进一步提升。2021年上半年全球新能源汽车销量同比接近翻倍，全球各国家销量皆大幅度提升。根据EV-volumes预测，2021年全球新能源汽车销量预计达到640万，相较于2020年同比增长98%。全球轻型汽车市场已从2020年上半年的-28%的低迷中部分恢复，同比增长28%。2021年上半年部分地区

24、新能源汽车由于基数较低因此呈倍数增长，欧洲同比增长157%，中国同比增长197%，美国同比增长166%，其余市场同比增长达到95%；除日本外，所有主要市场在今年上半年的电动汽车销量和份额均创下新纪录。中国新能源汽车渗透率预计在2025年达到20%,预计中国新能源汽车销量超过600万辆。国务院办公厅印发新能源汽车产业发展规划(20212035年)提出，新能源汽车新车销售量达到汽车新车销售总量的20%左右；此外中汽协预测2025年中国汽车销量或到3000万辆，根据保守线性推算，我们预计2025年中国新能源汽车销量达到600万辆，年复合增速达到34.4%。根据中汽协预测未来五年中国新能源汽车销量年均

25、增速40%以上的预测，2025年新能源汽车销量预计达到735万辆。2020年新能源汽车半导体价值量4834美金。根据英飞凌、IHS、AutomotiveGroup等多家机构测算，2020年FHEV、PHEV、BEV单车半导体的成本到了834美元，相较于传统燃油车的汽车半导体价值417美元，单车半导体价值量翻倍成长；相较于48V轻混合车，单车半导体价值量增加45.8%。预计2025年，48V轻混车、FHEV/PHEV/BEV销量分别将达到1880万辆、2100万辆，基于2020年单车半导体BOM静态测算，2025年车用半导体市场规模将达到282.7亿美元。新能源汽车半导体价值量持续增加，保守估计

26、52025年中国市场规模达到070亿美元。随着汽车电动化、智能化、网联化发展，半导体在单车上的整体价值也越来越高，根据Gartner预测的数据，2024年单辆汽车中的半导体价值有望超过1000美元，根据前四年的年复合增长率预测，预计2025年达到1046美元，中国2025年新能源汽车预计达到600-700万量，经测算中国新能源汽车半导体市场规模在2025年有望达到62.8亿-73.2亿美元。汽车半导体国产化率仅10%，前八大欧美日企业占整体市场的63%。根据ICVTank数据，2019年汽车半导体前八大企业为欧美日公司，包含恩智浦、英飞凌、瑞萨半导体、意法半导体、德州仪器等，占整体市场规模的6

27、3%。从自主汽车芯片产业规模来看，欧美日占据整体市场的93%，欧洲、美国和日本公司分别占37%、30%和25%市场份额；中国公司仅为3%，根据中国汽车芯片产业创新战略联盟数据显示，国内汽车行业中车用芯片自研率仅占10%，国内汽车芯片市场基本被国外企业垄断，并且具备90%的替代空间。二、 增强科技创新支撑加强与西安交大创新港合作，发挥铜川产业技术研究院孵化作用，推进谢赫特曼诺奖新材料产业、西理华铸产业基地建设，促进产业链创新链协同互动。争取中省产业基础再造工程支持，实施创新团队支持计划和积极开放人才政策，成长一批创新型领军企业，培育一批隐形冠军企业，孵化一批高新技术企业，发展一批中小微企业群体。

28、培育高新技术企业30家、科技型中小企业60家。积极创建国家知识产权试点城市。三、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心新能源车的制动原理是利用电磁效应驱动电机转动，IGBT优异的开关特性可以实现交直流转换、电压转换和频率转换几个核心功能，电动车充电时，通过IGBT将外部电源转变成直流电，并把外部220V电压转换成适当的电压给电池组充电。电动车制动时，通过IGBT把直流电转变成交流电机使用的交流电，同时精确调整电压和频率，驱动电动车运动。一台车的加速能力、最高时速、能源效率主要看车规级功率器件的性能，硅基IGBT作为主导型功率器件，在新能源车中应用于电动控制系统、车载空调系统、充电桩逆变器三个

29、子系统中，约占整车成本的7%-10%，是除电池以外成本第二高的元件，也是决定整车能源效率的关键器件。新能车市场销量：根据中汽协发布的数据统计，2019年新能源车新产销分别完成124.2万辆和120.6万辆，其中绝大部分为纯电动汽车，产销为102万辆和97.2万辆，插电式混合动力汽车产销为22.0万辆和23.2万辆，2020年国内新能源车销量为136.7万辆。2021年5月，新能源汽车产销环比略增，同比继续保持高速增长，产销均为21.7万辆，环比增长0.5%和5.4%，同比增长1.5倍和1.6倍。单台新能源车用量：电动汽车单车IGBT的价格在A00级车的主控IGBT模块价值量800-1000元，

30、A级车1500左右，混动车在2000元左右，再综合空调、充电等部分，平均电动汽车单车IGBT价值量为1000-4000不等。根据Yole的统计，2016年全球电动车IGBT管用量约为9亿美元，单车的IGBT管用量约为450美元。新能源车IGBT市场空间推算：据IDC预计，受政策推动等因素的影响，中国新能源汽车市场将在未来5年迎来强劲增长，2020年至2025年的年均复合增长率（CAGR）将达到36.1%，假设单台车IGBT用量3000元左右来预估，至2025年，国内新能源车IGBT模块市场规模为191亿左右。四、 家电行业是IGBT器件的稳定市场变频空调、冰箱、洗衣机的核心控制部件是变频控制器

31、，它承担了电机驱动、PFC功率校正以及相关执行器件的变频控制功能。而变频控制器很重要的一环就是IPM模块，IPM将功率器件芯片（IGBT+FRD或高压MOSFET）、控制IC和无源元件等这些元器件高密度贴装封装在一起，通过IPM，MCU就能直接高效地控制驱动电机，配合白家电实现低能耗、小尺寸、轻重量及高可靠性的要求。中国作为全球最大的家电市场和生产基地，IPM的应用潜力十分强劲。以空调行业为例，根据产业在线的数据，2020年我国变频空调销量达7485万台，同比增长10.02%，并且未来变频空调有望在空调市场进一步渗透，面向变频空调应用的IGBT的市场空间将十分广阔。同时，作为变频白色家电的另外

32、两大市场，变频冰箱和变频洗衣机市场增速显著。2020年，中国变频冰箱销量为2507万台，同比增长26.38%，中国变频洗衣机销量为2627万台，同比增长0.91%。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。六、 IGBT供货周期与价格均有增长，供不应求难以缓解晶体管（含IGBT）交期周数高于大部分半导体产品交期。由于疫情所导致的供需失

33、衡，半导体产品交期在过去的812个月中大幅延长，虽然部分产品交期在7月略有缩短，但已于8月再次出现延长的态势。在各类半导体产品中，晶体管（含IGBT）整体交期已超过35周。IGBT大多为成熟制程（8英寸为主），8英寸制程由于前几年数量和产线不断下滑，部分设备大厂已不再生产8英寸晶圆所需的相关设备，设备紧缺导致扩产较12英寸晶圆厂少，供不应求导致成熟制程产能持续紧缺；同理，IGBT产能紧缺导致今年产品的交期周数大幅度提升。国际龙头企业TIGBT产品价格与拉货周期，均呈现上涨态势。由于产能持续紧缺，2021年IGBT产品货期持续拉长，且在Q3仍未出现缓解的现象。英飞凌与Microsemi部分IGB

34、T产品的交货周期已延长至50周。此外，ST、安森美、IXYS等国际龙头企业IGBT产品交货周期也呈现出继续延长的趋势，且相关产品价格也表现出上涨的趋势。七、 国内IGBT企业实现0-1突破，紧抓缺货朝下国产化机遇海外企业IGBT产品电压覆盖范围较广，本土企业多集中在中低压市场。中低压IGBT主要可用于新能源汽车、家电、电焊机等领域，需求较为广阔，本土厂商布局也相对较多，士兰微、华润微、新洁能、华微电子的IGBT产品均集中在1350V以下的IGBT市场。斯达半导、时代电气则在高压IGBT产品中也有所布局。海外企业占据国内大部分新能源汽车TIGBT模块市场。相比消费类与工控类IGBT产品，车规级I

35、GBT产品对性能要求更高，且认证时间更长。海外企业凭借多年的积累，在车规级IGBT产品市场占据了一定的先发优势。在中国新能源汽车IGBT模块市场中，英飞凌市占率超过了一半，达到58.20%。比亚迪通过向自供，在新能源汽车IGBT模块市场中市占率也达到了18%。此外，斯达半导、时代电气等国内厂商近年来通过积极投入研发，也成功在国内新能源汽车用IGBT模块市场中占取到了一定份额。国内企业积极开拓IGBT产品线，积极技术升级，紧抓国产替代机遇。由于新能源汽车是IGBT市场增长的主要驱动力之一，国内厂商纷纷积极布局车载IGBT业务。士兰微车载IGBT产品已在部分客户处批量供货；时代电气750V车规级逆

36、导IGBT芯片已处于样件试验阶段；斯达半导基于第七代IGBT技术的车规级650/750VIGBT芯片已研发成功，并预计于2022年开始批量供货；宏微科技750V车规级IGBT预计于2022年开始起量。第三章 项目建设单位说明一、 公司基本信息1、公司名称：xxx有限公司2、法定代表人：熊xx3、注册资本：1130万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2016-11-57、营业期限：2016-11-5至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事IGBT相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目

37、，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需

38、求。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务

39、，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额66

40、34.465307.574975.85负债总额3913.463130.772935.10股东权益合计2721.002176.802040.75公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入18907.9715126.3814180.98营业利润4475.333580.263356.50利润总额4132.233305.783099.17净利润3099.172417.352231.40归属于母公司所有者的净利润3099.172417.352231.40五、 核心人员介绍1、熊xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx

41、总经理。2017年8月至今任公司独立董事。2、罗xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。3、莫xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长

42、、总经理。4、丁xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。5、吴xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。6、彭xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任

43、，2017年8月至今任公司监事。7、高xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。8、龚xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨公司经营国际化，股东回报最大化。七、 公司发展规划根据公司的发展规划，未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务和规模的快速发展，公司的管理水平将面临较大的考验，尤其在公司迅速扩大经营

44、规模后，公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化，在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外，公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求，公司需进一步提高管理应对能力，才能保持持续发展，实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式，来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面，公司将根据资金、市场的具体情况，择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案，进一步优化资本结构，筹集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养，同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制，确保

45、公司发展规划和目标的实现。一方面，公司将继续加强员工培训，加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才；对营销人员进行沟通与营销技巧方面的培训，对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面，不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才，要加大引进力度，保持核心人才的竞争力。其三，逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股权激励等多层次的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员工对企业的忠诚度。公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作，持续完善公司的法人治理结构，建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制，充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作

46、用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度，强化各项决策的科学性和透明度，保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化，及时调整组织结构和促进公司的机制创新。第四章 项目总论一、 项目名称及项目单位项目名称：铜川IGBT项目项目单位：xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约45.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划

47、、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）技术原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。五、 建设背景、规模（一）项目背景IGBT是一个电路开关，

48、透过开关控制改变电压。IGBT（绝缘栅双极型晶体管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一个三端器件，也是重要的分立器件分支，属于分立器件中的全控型器件，可以同时控制开通与关断，具有自关断的特征，即是一个非通即断的开关。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积30000.00（折合约45.00亩），预计场区规划总建筑面积54908.91。其中：生产工程38948.40，仓储工程8570.88，行政办公及生活服务设施4954.89，公共工程2434.74。项目建成后，形成年产xx个IGBT的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx有限公司将项目

49、工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 原辅材料及设备（一）项目主要原辅材料该项目主要原辅材料包括xx、xx、xxx等。（二）主要设备主要设备包括xx、xx、xxx等。八、 环境影响该项目在建设过程中，必须严格按照国家有关建设项目环保管理规定，建设项目须配套建设的环境保护设施必须与主体工程同时设计、同时施工、同时投产使用。各类污染物的排放应执行环保行政管理部门批复的标准。九、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资18746.3

50、4万元，其中：建设投资14227.22万元，占项目总投资的75.89%；建设期利息358.97万元，占项目总投资的1.91%；流动资金4160.15万元，占项目总投资的22.19%。（二）建设投资构成本期项目建设投资14227.22万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用12220.72万元，工程建设其他费用1691.80万元，预备费314.70万元。十、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入40400.00万元，综合总成本费用32677.08万元，纳税总额3641.43万元，净利润5650.94万元，财务内部收益率22.16%，财

51、务净现值6652.23万元，全部投资回收期5.90年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积30000.00约45.00亩1.1总建筑面积54908.911.2基底面积18600.001.3投资强度万元/亩301.202总投资万元18746.342.1建设投资万元14227.222.1.1工程费用万元12220.722.1.2其他费用万元1691.802.1.3预备费万元314.702.2建设期利息万元358.972.3流动资金万元4160.153资金筹措万元18746.343.1自筹资金万元11420.413.2银行贷款万元7325.934营业收入万元40

52、400.00正常运营年份5总成本费用万元32677.08""6利润总额万元7534.59""7净利润万元5650.94""8所得税万元1883.65""9增值税万元1569.45""10税金及附加万元188.33""11纳税总额万元3641.43""12工业增加值万元12289.11""13盈亏平衡点万元14227.00产值14回收期年5.9015内部收益率22.16%所得税后16财务净现值万元6652.23所得税后十一、 主要结论及建

53、议本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。第五章 产品规划与建设内容IGBT模块是变频器、逆变焊机、UPS电源等传统工业控制及电源行业的核心元器件，根据集邦咨询数据，2019年全球工控市场IGBT市场规模约为140亿元，中国工控市场IGBT市场规模约为30亿元。由于工控市场下游需求分散，工控IGBT市场需求较为稳定，假设未来每年保持3%的规模增速，预计到2025年全球工

54、控IGBT市场规模将达到167亿元。一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积30000.00（折合约45.00亩），预计场区规划总建筑面积54908.91。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx个IGBT，预计年营业收入40400.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预

55、测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1IGBT个2IGBT个3IGBT个4.个5.个6.个合计xx40400.00第三代半导体物理特性相较于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存

56、在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。第六章 项目选址方案一、 项目选址原则所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其他特别需要保护的环境敏感性目标。项目建设区域地理条件较好，基础设施等配套较为完善，并且具有足够的发展潜力。二、 建设区基本情况铜川，陕西省辖地级市，地处陕西省中部、关中盆地和陕北高原的接交地带，与延安、渭南、咸阳3个地市毗邻；属大陆性季风气候，四季分明，气温月季变化明显；面积3882平方千米，全市下辖3区1县。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，铜川市常住人口为69.8322万人。2020年，铜川市实现地区生产总值381.75亿元。铜川地处鄂尔多斯台地与渭河断陷盆地的过渡地带，属黄土高原的残原区，横跨两个地质构造单元。地貌复杂多样，山、川、原、梁、峁、台塬、沟谷、河川均有分布，境内山峦纵横，峡谷相间，台塬广布，梁峁交错，平均坡度16.7°，其中3°以下面积318.6平方千米，3°8&#