电子技术暑假作业

1、暑假练习题一、填空1、二极管反向饱和电流IR会随着温度的升高而 。2、二极管的主要参数包 括反映正向特性的和反映反向特性的。3、射极输出器的特性归纳为：电压放大倍数 ，电压跟随性好，输入阻抗输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力。4、三极管起放大作用的外部条件是、。5、某放大器由三级组成，每级的电压增益为15dB,则放大器的总增益是。6、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为 V锗二极管的正向压降为V7、稳压管工作在区。8、 常用半导体材料是 和，其原子核最外层均有个价电子。9、 PN结最主要的特性是。10、三级管的三个电极分别叫做、和，其实现电流放大作用条件 。11、 画出三极管

2、符号，NPN型、PNP型。12、 二极管实质上就是一个 ，P区引出端叫，N区引出端叫 ，其文字符号为 ，图形符号为。13、 多级放大器的级与级之间耦合方式有 、 和。14、 三极管输出特性曲线可划分为 区、区和区。15、 硅管死区电压是V，正向导通压降是V 。16、P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（ ）载流子。17、 PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。18、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（ ）。19、 三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。20、 当温度升高时，三极管的等电极电流1（），发射结压降UBE ）。21. 晶体三极管具

3、有放大作用时，发射结（）,集电结（）。22. 三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。23. 已知三极管的B =99,若lb=10卩A,则该管的lc=, Ie=。24. 在实际使用二极管时，主要考虑的参数有、。25. 放大器的放大能力常用表示，它包括、和 放大倍数用分贝表示叫做 。26. 某交流放大器的输入电压为100 mV输出电压为1V,则放大器的增益为。1.放大器的主要功能就是 不失真地放大。27. 放大器按用途不同可分为、和,按信号频率高低可分为 、和。28. 放大器的静态是指 为零时的工作状态；当有输入信号时，电路中的电压、电流都随输入信号作相应变化，称为 。29. 表征放

4、大器静态工作点的参数主要指 、和。30. 多级放大器 的级间耦合方式有 、和四种。31. 放大器的频率响应，指放大器的 M言号之间的关系，也称为放大器的。32某二级放大器，Au1=100,Au2=1000,则总的放大倍数 Au= 总的电压增益Gu=.33. 多级放大器与单级放大器相比，电压增益教 ，通频带较。34. 直流放大器的级间耦合，可采用变压器耦合。（）35. 多级放大器的级数越多，电压放大倍数越大，通频带越宽。36. 两级阻容耦合放大器的通频带，比组成它的单级放大器通频带宽。37. 放大器与负载之间要做到阻抗匹配，应采用（）耦合。 A.阻容B.变压器C.直接38. 阻容耦合放大器（）A

5、.只能传递直流信号B.只能传递交流信号C.交直流信号都能传递39. 直接耦合放大器只能传递（）A.只能传递直流信号B.只能传递交流信号C.交直流信号都能传递40. 稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。A 、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止41. 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是（），该管是（）型。A 、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPNE、（PNP42. 对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。A 、U0高 B、P

6、0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真43. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。A 、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小44. 温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将 ，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将045. 一个多级放大器的电压放大倍数为 1000，则G=，如果功率放大倍数为1000,则GP=046. 在放大器中，总希望放大器的输入电阻 一些，原因是，总希望放大器的输出电阻 一些，原因是 047. 整流电路的负载若出现短路，将使 或烧毁。48. 整流电路的主要类型有、o49. 滤波器可将输入的 变为较平滑的直流电。50. 电容滤

7、波适用于负载电流的场合。51. 电容滤波器的负载电阻越 ，滤波电容的容量越 ，滤波效果越好。52. 稳压二极管工作在 区，发光二极管工作在 区，光电二极管工作在区，整流二极管工作在 区。53. 电容滤波器中电容与负载关系是 。（串、并）54. 发光二极管发光时，其正向压降一般在 之间。55. 光电二极管是将 能转换成能。如图所示，已知R=100KR=4K,三极管的电流放大系数为50o则该三极管作在_状态。+ UCC56、晶体管反相器电路如上图，已知R=15KQ, R=50KQ, R=2KQ, B =100, Vcc=12V, VBb=6V,三极管导通时，VBE=0.7V当输入信号 VI为6V时

8、，三极 管的工作状态是（）57、场效应管是控制器件，它利用 所产生的电场效应改变导电沟道的宽窄从而控制漏极电流，用万用表判断场效应管的电极时，用欧姆 档测出正反向电阻比较接近的两个电极应为 。58、在桥式整流电路中，变压器次级输出电压的有效值为 10V,如果只有电 容器C开路，则输出电压V，如果只有VD1开路，则输出电压V=V 。59、 常用半导体材料是 和，其原子核最外层均有 个价电子。60、 N型半导体中空穴为 流子，自由电子为 流子。61、 晶体三极管的三个电极分别称为 极、极和极,它们分别用字母 、和表示。62、 由晶体三极管的输出特性可知， 它可分为区、区和三个区域。63、 硅晶体三

9、极管发射结的导通电压约为,锗晶体管发射结导通电压约为。64、 PN结最主要的特性是。65、 三极管放大电路共有和 种组态放大电路。66、 PN结具有 电性，其导电的方向是从 到。67、点接触型二极管适用于,而面接触型二极管适用于68、自然界物质按其导电能力可分三大类，分别是、和。69、 场效应管属于 控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。70、 空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。71、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（ ）72、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。73、 稳定二

10、极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于）偏置状态。74、 晶体三极管的集电极电流lc=（ ）所以它是（）控制元件。75、 当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO （）所以lc也） 76 当温度升高时，双极性三极管的B将，反向饱和电流Iceo正向结压降UBe77、 自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。78、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（ ），反偏时（）79、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（ ）80、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。81、场效应管的漏极电流ID

11、=（）, 所以它是（ ）控制文件。82、 当温度升高时三极管的集电极电流IC （），电流放大系数B（ ）83、半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是 （）84 .三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和;饱和区，偏置为和;截止区，偏置为和。85、 硅二极管的死区电压约为 伏，而锗二极管的死区电压约为 伏。86、 绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为和两种类型。87、 在栅一源极之间加正向电压，才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管，称 为场效应管。88、 若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏，则三个管脚分别为极、和 。89、 在P型半导体中， 多数载流子，而

12、在N型半导体中，为多数载流子。90、二极管由一个 PN结构成，其特性是 即给P区加电位，N区加电位时，二极管就导通。它的电压和电流不成正比，所以它是一种元件。91、 100 mA =A ; 1 A =卩 A。92、 三极管的静态工作点过低，将使输出电压出现 真。93、 三极管输入等效电阻rbe与静态工作点。94、 共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位 。95、当温度升高时，半导体二极管的I rM将。96、某放大状态的晶体三极管，当Ib=20卩A时，lc=1mA当Ib=60卩A时,I c=3mA则该管的电流放大系数B值为 。97、开启电压UGth）0的是 效应管。98、在三种基本组态的晶体三

13、极管放大电路中，具有电压放大作用，且U0与Ui同相关系的是大电路。99、在半导体中，有（） 和（） 两种载流子导电。100、 在纯净半导体中，掺入三价元素，就会形成 （）型半导体，如掺入五价元素，就会形成（）型半导体。101、 在P型半导体中，（） 为多数载流子，而在N型半导体中，（） 为多数载流子。102、PN结具有（） 导电性，其导电的方向是从（） 到（）。103、点接触型二极管适用于（），而面接触型二极管适用于（）。104、将交流电变成单方向直流电的过程，称（）。105、单相桥式整流电路，输出侧直流电压是交流电压有效值的（）倍。106、硅二极管的死区电压约为（）伏，而锗二极管的死区电压约

14、为（） 伏。107、 在交流放大电路中，当三极管的（）正向偏置，而（）反向偏置时， 三极管具有电流放大作用。108、滤波电路的主要作用是（），使输出的直流电压波形较（）。109、在单相半波整流电路中，若交流电压为10伏,输出的直流电压约为（） 伏，二极管承受的最高反向电压约为（）伏。110、 若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏，则 三个管脚分别为（）极、（）极和（）极。111、已知某三极管放大电路的Ib=10卩A，Ic=1mA贝U该管的电流放大系数 约为（）。112、在交流放大电路中，测得ULe值近似等于电源电压，集电极电流Ic 0, 则该管处于（）状态。113、 二

15、极管由一个 PN结构成，其特性是 即给P区加电位，N区加电位时，二极管就导通。它的电压和电流不成正比，所以它是一种件。114、本征半导体是 ，其载流子是和载流子的浓度。115、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。116、漂移电流是 在 作用下形成的。117、二极管的最主要特征是 ，它的两个主要参数是 和 。118、双极型晶体管可以分成 和两种类型， 它们工作时有 和 两种载流子参与导电。119、场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 载流子的流动；因而它又称做器件。120、场效应管属于 控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认

16、为是 控制型器件。121、三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为 和；饱和区，偏置为 和；截止区， 偏置为 和 。122、温度升高时， 晶体管的共设输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。123、要使三极管具有放大电流的作用，必须满足的外部条件是和。124、 当温度升高时，半导体二极管的I rM|将。125、 某放大状态的晶体三极管，当 Ib=20卩A时，lc=1mA当Ib=60卩A时，I c=3mA则该管的电流放大系数B值为 。126、 开启电压UGs（th）0的是 效应管。127、 根据三极管结构的不同，有 NPN和 种。128、 PN结的基本特性是。129、

17、 在本征半导体中掺入三价杂质原子，形成 型半导 体。130 、 电 容 滤波 电 路 中， 滤 波电 容 容 量 越 大 时 ， 其 滤波 效 果131、 半导体内的载流子越多，导电能力越 。132、NPN型晶体三极管，发射结正偏时，应是发射极电位比基极电位。133、 开启电压UGs（th）0的是 效应管。134、 单相桥式整流电路输出平均电压为 36V,负载R=36Q，则流过整流二 极管的平均电流为 A135、 在P型半导体中， 少数载流子。136、 当温度升高时，双极性三极管的B将 ，反向饱和电流I CEO 正向结压降UBeQ137、三极管内部电流分配关系是 ，ICEO和ICBO之间的关系

18、是138、 三极管的输出特性曲线反映的是 和 系的曲线，输出特性曲线可分为、个区。139、 P型半导体中是多数载流子,是少数载流子。140、理想的二极管，其正向电阻约为反向电阻约为 q141、 晶体三极管工作在 区时,关系式lc=B Ib才成立,而工作在区时,I c=0。142、 在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）q143、 P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。144、 PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。145、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。146、 三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。147、当

19、温度升高时，三极管的等电极电流1（），发射结压降UBE ）q14 8、晶体三极管具有放大作用时，发射结（），集电结（ ）q149、 三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。150、 多级放大器中，前级是后级的 ，后级是前级的 q151、某三极管的极限参数 PCM=150mwICM=100mA V （BR CEO=30V 若它的 工作电压VCE=10V则工作电流不得超过 若它的工作电压VCE=1V则工作电流不得超过 则工作电流IC=10mA则工作电压不得超过_。152、 在交流放大电路中，如果测得lcRc ,而UCe0,则该管处于（） 状态。153、绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，

20、 可分为（）和（）两种类型。154、在栅一源极之间加正向电压，才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管， 称为（）型场效应管。二判断I. 电容滤波适用于负载经常变换的场合。（）2桥式整流电路中的一个二极管接反时，电路将变成半波整流电路.（）3 单级共射极放大电路具有放大和反相作用.（）4、射极输出器对电流，电压及功率均有放大作用.（）5、电感滤波电路的输出波形比较好（与电容滤波比较）。（）6、整流电路加上电容滤波电路后二极管的导通时间变长。（）7、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素， 可将其改型为P型半导体。（）8、 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）9、PN结在无光照、无外加电压

21、时，结电流为零。（）10、 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）II、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才 能保证其RGSfc的特点。（）12. 若耗尽型N沟道MOSt的UGs大于零，则其输入电阻会明显变小。（）13. 少数载流子是自由电子的半导体称为 P型半导体。（）14. 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以E极和C极可以互换使用。（）15. 当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。（）16. 三极管的主要参数有最大整流电流和反向击穿电压。（）17. 在单相半波整流电路中，VO=0.45V2。（）18.

22、光电二极管PN结只能加反偏电压。（）19. 温度升高二极管的反向饱和电流将增大。（）20. 多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通 频带愈窄。（）21. 三极管在放大区具有恒流特性。（）22. 光电二极管有光线照射时，反向电阻增大。（）23. 稳压管的伏安特性与普通二极管相比较，其反向击穿区曲线变得平缓。（）24. 在稳定电压变化量相同的情况下，动态电阻越大越好。（）25. 与半波相比较，全波的脉动性变小，即纹波系数变大。（）26. 整流电路中变压器的作用是使交流电变成单向脉动电。（）27. 稳压管与负载的关系是反向串联。（）28. 无论是P型还是N型半导体，它们整个晶

23、体仍是中性的，对外不显示电性。（）29. NPN PNP二种结构形式的三极管，它们对电源的极性要求相反，因此 它们各电极中的电流方向也不同。（）30. 对于耗尽型绝缘栅场效应管，只有当栅一源极之间加正向电压即UGs0 时，才存在导电沟道。（）31. 对于耗尽型绝缘栅场效应管，不论栅一源电压 UGs为正，还是为负或零， 都能起到控制电流Id的作用。（）32. N沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零。（）33. 稳压管正常工作时属于热击穿而不是电击穿。（）34. 发光二极管的PN结是工作在正向偏置状态。（）35. 多级放大电路的输出电阻主要取决于第一级电路。（）36. 在整流电路中，已知输入

24、电压为20V,带负载时的输出电压为24V,则电 路形式为全波整流电感滤波。（）37. 少数载流子是自由电子的半导体称为 P型半导体。（）38、P型半导体中，空穴是多数载流子，因此 P型半导体带正电。（）39、 当PN结的P区接电源的负极，而N区接电源的正极，PN结就会导通。（）40、 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小。（）41、 二极管加反向电压时，电压过高会被击穿。（）42、晶体三极管具有能量放大作用。（） 三.选择1. 在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0V, -10V，-9.3V，则这只三极管是（）A. NPN型硅管B. NPN型锗管 C. PNP 型

25、硅管 D. PNP 型锗管2. 稳压二极管工作在伏安特性曲线的（）A. 死区B.正向导通区 C.反向截止区 D.反向击穿区3. 在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（）A. NPN管的发射极 B.PNP管的发射极C. PNP管的集电极4. NPN三极管放大偏置 B.集电极为正向偏置 C.始终工作在放大区5. 电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压UAB%（）A.-3V B.5V器设置合适的静态工作证放大信号时，三极管（）A.发射极为反向C.8V D.-8V6.3DG6D型晶体三极管的Pc=100mWVI C=20mA Ubr）ceo=30V,如果将它接在I c=15

26、 mA, Uce=20V的电路中，则该管（）A.被击穿B.正常工作C.功耗太大过热甚至烧坏7. 二极管两端加上正向电压时（）A. 一定导通 B. 超过死区电压才能导通C. 超过0.7V才能导通D.超过0.3V才能导通8. 若某一单相桥式整流电路中有一只二极管短路，则（）A.Vo会升高 B.V o会降低 C.V。不变 D.不能正常工作9. 射极输出 一种（）电路A.共发射极 B.共集电极 C.共基极10. 测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示，其中硅材料的NPNt是（）3.5V 2.8V 12V 3V 2.7V 12V 6V 11.3V 12V 6V11.7 12V11、单相桥式整流电

27、路，变压器二次电压 V2=10V负载电阻为100Q，流过 二极管的电流 IV 为（ ）A. 90mA B.45mA C.22.5mA D.100mA12、 三极管的B =99,反向饱和电流Icb（=5卩A,则穿透电流ICEO=（）A. 500 卩 A B.5 卩 A C.100 卩 A D. 495 A13、 当温度不变，PN结的反向电压增大时，将导致（）。A. 空间电荷区不变，反向电流减小B. 空间电荷区变窄，反向电流减小C. 空间电荷区变宽，反向电流不变D. 空间电荷区不变，反向电流不变14、 有四只晶体二极管，除了 B和Iceo不同外，其他参数都相同，用作放 大器件时，应选用（ ）A.

28、B =99 I ceo=0.5 mAB. B =140 I ceo=2.5 mAC. B =10 I ceo=0.5 mAD. B =50 I cEO=2.5 mA15、 组成整流电路是利用二极管的（）A. 正向特性B. 反向特性c. 反向击穿特性D. 单向导电性16晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）A. 发射结、集电结均正偏B.发射结、集电结均反偏c. 发射结正偏、集电结反偏D.发射结反偏、集电结正偏17共发射极放大器的输出电压与输入电压在相位上的关系是（）A. 相位差 0? B. 相位差为 90?C. 相位差为180? D.相位差为270?18、二极管伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲

29、线。A.VdId B.V dRd CdFD D.F Id19、NPN型三极管处在放大状态时是（）A.UbE0, U BC0, U B（0C.UbE0, U bc0D.Ube020、在NPN型放大电路中，若b极和e极短路，则（）A、晶体管将深度饱和B 、截止 C、集电结将是正偏21、画放大器交流通路时，电容应视为（）A、短路 B 、开路 C 、不变22、在三极管的放大电路中，三极管最高电位的一端是（）A NPNt的发射极 B、PNP1的发射极C、PNP管的集电极 D、NPNt的基极23、 三极管放大器中，各级的功率增益为：-3dB，25dB和30dB,贝U总功率 增益为（）A 52dB B 、4

30、7dB c、-180dB D、-2250dB24、在三极管的放大电路中，三极管最高电位的一端是（）A、NPN1的发射极B、PNP1的发射极C、PNP1的集电极D 、NPNf的基极25、 三极管放大器中，各级的功率增益为：-3dB，25dB和30dB,贝U总功率 增益为（）A 52dB B 、47dB c、-180dB D、-2250dB26、一个两极电压放大电路，工作时测得 Av1=-20，A/2=-40，则总电压放大倍 数为（）。A.-60B.60 C.800 D.-80027、 三极管的B =99,反向饱和电流Icb=5卩A,则它的穿透电流Ice=（）。A.500 卩 A B.45mA C

31、.22.5 Ma D.100 mA28. 如图所示电路处于饱和状态，要使放大电路恢复成放大状态，应采用（）方法。A.增大 R B.减小 R C. 增大 R D. 减小 R29、当环境温度升高时，基本放大电路的静态工作点将（）。A.升高 B.降低 C.由偏置电路决定 D.不变30、如图电路，如果测得 V=VCc，VB=VE=0，则该电路可能发生的故障是（）。A.R bi开路.B. R B2开路 C. R c开路 D. R e开路31、某三极管的 PcM=100mW Icm=20 mA V（br ce=30V,如果将它接在lc=15 mA Vce=20V的电路中，则该管（）。A.被击穿B正常工作

32、c.功耗太大过热甚至烧坏32、在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（）。A.NPN管的发射极.B. PNP 管的发射极 c. PNP管的集电极33、NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则（）。A.基极电流不变B.集电极对发射极电压 Se下降c.集电极对发射极电压 We上升34、PN结加正向电压时，空间电荷区将 。A.变窄 B. 基本不变 c. 变宽35、 稳压管的稳压区是其工作在 。A.正向导通B.反向截止c.反向击穿36、 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏c.前者正偏、后者也正偏37、 UG尸0V时，能够工作在

33、恒流区的场效应管有。A.结型管 B. 增强型MOSt c. 耗尽型MO管38、 在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半 导体。A.五价B. 四价C. 三价39、 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小40、工作在放大区的某三极管，如果当I b从12卩A增大到22卩A时，Ic从1mA变为2mA那么它的B约为A. 83 B. 91 C. 10041、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将A.增大B.不变 C.减小Vl42、如图所示电路，输出的稳压值为（）A.1.4V B.1V C.11V D.-11V43、 在某放大电

34、路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为OV, -10V，-9.3V，则这只三极管是（）A.NPN型硅管 B. NPN 型锗管C. PNP型硅管 D. PNP 型锗管44、稳压二极管工作在伏安特性曲线的（）A.死区B. 正向导通区C.反向截止区D.反向击穿区45、在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（）A. NPN管的发射极 B.PNP管的发射极C. PNP管的集电极反向电阻为无穷大，则电压46、电路如图所示，设二极管正向电阻为零,UkB%（）A.-3V B.5V C.8V D.-8V47、二极管两端加上正向电压时（）A. 一定导通B.超过死区电压才能导通C.超过0.7V才能导通D. 超

35、过0.3V才能导通48. 由NPN型管组成的共射放大电路，输入u为正弦波，输出U0为 一波 形，则该电路产生了 （）A.频率失真B.交越失真C.截止失真D.饱和失真49. 两级放大电路，考虑到级间的相互影响后，|Au1|=100,|A u2|=1000，则两级总的电压放大倍数用分贝表示为（）B.80dBA. 60dB50.某电路中的三极管符号如题3图所示，测得其管脚电位标在图上，则该管是（)A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.状态不能确定C.IOOdBD.120dBrbe的计算公式是（)51 三极管输入电阻A. r be=3OO+26I E 26C. rbe=300+B 26B. rbe=

36、300+(1+B )空261 eD. rbe=300+ (1 + B) 2652、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚B电位分别是2V、6V、2.7V,26C、1.2已知VCc=12V, R=3kQ,晶体管B =50,且忽略Ube,B.输入电阻高、输出电阻高D.输入电阻低、输出电阻高则三个电极分别是（），该管是（）型。A、（ B、CE）B、（ CCB、E）C、（E、C、B）D、（PNP E、（NPN53、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（ ）失真。A、饱和 B、截止 C、交越 D 、频率54、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值 Uo= （） UzA、0

37、.45B、0.955. 题15图所示电路中若要使静态时LCe=6V,则Rb应取（A. 200kQB. 300kQC. 360kQD. 600k Q56. 射极输出器的特点是（）A.输入电阻高、输出电阻低C.输入电阻低、输出电阻低57. 半波整流二极管的负载上直流电压为18V,则二极管承受的最高反向电A.20V B.40V C.28.28VD.56.5658. 三极管组成的放大电路中，没有电压放大作用的是（）A共射极放大电路B 共集电极放大电路C共基极放大电路D共集电极放大电路和共基极放大电路59. 半波整流电路中，若Id =2MA,贝U流过负载的电流是 。A.2MA B.1MA C.4MA D

38、.0.5MA60. 在桥式整流电路中，若有一只二极管脱焊，则电路会。A.可能烧毁元气件B.输出电流变大C.电流变为半波整流D.输出电流为零61. 在滤波电路中，滤波效果最好的电路是 。A.电容滤波 B.电感滤波 C.RC n滤波 D . LC n滤波62. 在桥式整流电路中，变压器二次侧电压M=20V,二极管承受的最高反向电压是。A.20V B.28V C.24V D.56V63. 整流电路中电压经滤波之后。A.变为正弦波B.变的更加平滑C.变的更加平稳 D.变的频率更高64. 桥式整流电容滤波电路中，Vo=30V,若电容短开，贝U输出电压为 。A.36V B.22.5V C.33.3V D.

39、11.25V65. 半波整流电路中，负载电阻并联一只电容后，电路的输出电压将 VCVb B .V cVbVE C .V eVVbVVe D .V cVeVB64、画放大电路的交流通路时（）A电容视为开路，电压源视为短路B电容视为短路，电压源视为开路C电容、电压源都视为开路D 电容、电压源都视为短路65、在复合管中，B 1=50,B 2=30,复合管的总电流放大系数3为（）A 80 B 1500 C 50 D 3066、二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管（）A、反偏B 、正偏 C 、不变 D 、不确定67、若PN结外加反向电压会使PN结（）。A、变厚B 、变薄 C 、不变

40、 D 、不变68、三极管最大允许耗散功率Pcm值等于（）。A、I cMlCeB 、I CLCeC 、I cUCes69、当晶体三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置时，三极管处于（） 状态。A、截止B 、饱和 C 、放大70、已知晶体管的 V（br ceo=25V, I cM=125mA RM=125mW下列条件下允许使用 的是（）。A、I c=50mA Me=25V B、I c=20mA Vce=15VC、I c=10mA VCe=12V71、二极管的正向电阻（ 。反向电阻。A、小于B、大于 C等于72. 输出特性曲线反映三极管 系的特性曲线。A、VcE与 VbEB 、VcE与 I CC、V

41、Be与 I B D 、I B与 I C73. 三极管的主要特性是具有作用。A、电压放大B 、单相导电C、电流放大 D 、电流与电流放大74. 通常我们选三极管时，希望选（）的管子。A I CEO大 B 大 B 、I ce小B 大 C、I ceo大 B 小75. 交流放大电路中，晶体管一旦进入饱和或截止状态，Ib对Ic将（）。A、增强控制能力；B 、控制能力不变；C、失去控制能力；D 、它们之间没有关系。76. 某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管，测得Ve=-3V,Vce=7V,Vbc=-5.4V,则该管是（）。A、PNP型处于放大状态B 、PNF型处于截止状态C 、NPN型处于放大状态D

42、、NPN型处于截止状态77. 在本征半导体中掺入（）价元素可形成N型半导体。A.二 B. 三C.五D.六78. 稳压二极管工作在伏安特性的（）。A.死区B.正向导通区 C.反向截止区 D.反向击穿区79. 在本征半导体中掺入（）价元素可形成N型半导体。A.二 B. 三C.五D.六80. 三极管具有放大作用的外部条件（）。A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结正偏，集电结反偏81. 放大器外接负载电阻R-后，输出电阻ro （）。A.增大 B.减小 C.不变 D.等于FL82. 放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在（）。A

43、.饱和区B.截止区C.放大区 D.击穿区83. 三极管的B =99,反向饱和电流Icb（=5卩A,则穿透电流Ice（=（）A.500 卩 A B.5 卩 A C.100 卩 A D. 495 A84. 在分压式放大电路中，如果测得VC=VCc, Vb=VE=0,则该电路可能发生的故 障是（）。A.R bi开路.B. R B2开路 C. R c开路 D. R e开路85. NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则（）。A.基极电流不变B.集电极对发射极电压VCe下降C.集电极对发射极电压VCe上升86. 共发射极放大电路的输出电阻ro近似等于（）。A.Rc B.R c/R l C.R l87.极管的 FCh=100mWV I c=20 mA V（br ce=30V,如果将它接在Ic=15 mA Vce=20V的电路中，则该管（）。 被击穿B正常工作 C.功耗太大过热甚至烧坏 三极管具有放大作用的外部条件 发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结反偏D.