载流子迁移率测量方法总结

1、载流子迁移率测量方法总结迁移率是衡量导电性能的重要参数，它打算半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有无数文章对载流子迁移率的重要性举行讨论，但对其测量办法却少有提到。本文对载流子测量办法举行了小结。1 迁移率的相关概念在半导体材料中，由某种缘由产生的载流子处于无规章的热运动，当外加时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型打算。在电场下，载流子的平均漂移速度v与电场强度e成正比为：式中为载流子的漂移迁移率，简称迁移率，表示单位电场下载流子的平均漂移速度，单位是m2vs或cm2vs。迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参

2、数，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，半导体材料的导电率越高。迁移率的大小不仅关系着导电能力的强弱，而且还挺直打算着载流子运动的快慢。它对半导体器件的工作速度有挺直的影响。在恒定电场的作用下，载流子的平均漂移速度只能取一定的数值，这意味着半导体中的载流子并不是不受任何阻力，不断被加速的。实际上，载流子在其热运动的过程中，不断地与晶格、杂质、缺陷等发生碰撞，无规章的转变其运动方向，即发生了散射。无机晶体不是抱负晶体，而有机半导体本质上既是非晶态，所以存在着晶格散射、电离杂质散射等，因此载流子迁移率只能有一定的数值。2 测量办法(1)渡越时光(top)法渡越时光(top)法适用于具有较好的光生载

3、流子功能的材料的载流子迁移率的测量，可以测量有机材料的低迁移率。在样品上加适当直流电压，选侧适当脉冲宽度的脉冲光，通过透亮电极激励样品产生薄层的一空穴对。空穴被拉到负电极方向，作薄层运动。设薄层情况不变，则运动速度为e。如假定样品中惟独有限的陷阱，且陷阱密度匀称，则电量损失与载流子寿命有关，此时下电极上将因载流子运动形成感应电流，且随时光增强。在t时刻有：若式中l为样品厚度电场足够强，t，且渡越时光t0。则在t0时刻，电压将产生显然变幻，由试验可测得，又有式中l、v和t0皆为试验可测量的物理量，因此值可求。(2)法霍尔效应法主要适用于较大的无机半导体载流子迁移率的测量。将一块通有电流i的半导体

4、薄片置于磁感应强度为b的磁场中，则在垂直于电流和磁场的薄片两端产生一个正比于电流和磁感应强度的电势u，这称为霍尔效应。因为空穴、电子电荷符号相反，霍尔效应可挺直区别载流子的导电类型，测量到的电场可以表示为式中r为霍尔系数，由霍尔效应可以计算得出电流密度、电场垂直漂移速度重量等，以求的r，进而确定。(3)电压衰减法通过监控电晕充电试样的表面电压衰减来测量载流子的迁移率。充电试样存积的电荷从顶面对接地的底电极泄漏，最初向下流淌的电荷具有良好的前沿，可以确定通过厚度为l的样品的时光，进而可确定材料的值。(4)辐射诱发导电率(sic)法辐射诱发导电率(sic)法适合于导电机理为空间电荷限制导电性材料。

5、在此办法中，讨论样品上面一半经历延续的电子束激发辐照，产生稳态sic，下面一半材料起着注入接触作用。然后再把此空间电荷限制电流(sclc)流向下方电极。按照理论分析sclc电导电流与迁移率的关系为j=p10v2/dd3 (7)测量电子束电流、辐照能量和施加电压函数的信号电流，即可推算出值。(5)表面波传输法将被测量的半导体薄膜放在有压电晶体产生的场表面波场范围内，则与场表面波相联系的电场耦合到半导体薄膜中并且驱动载流子沿着声表面波传输方向移动，设置在样品上两个分开的电极检测到声一电流或电压，表达式为iae=plv (8)式中p为声功率，l为待测样品两极间距离，v为表面声波速。有此式便可推出值。

6、(6)外加电场极性反转法在极性彻低封闭时加外电场，离子将在电极附近聚拢呈薄板状，引起空间电荷效应。当将外电场极性反转时，载流子将以板状向另一电极迁移。因为加在载流子薄层前、后沿的电场影响，因而在极性反转后t时光时，电流达到最大值。t相当于载流子薄层在样品中行走的时光，结合样品的厚度、电场等状况，即可确定值。(7)电流一电压特性法本办法主要适用于工作于常温下的反型层载流子迁移率的测量。对于普通的mosfet工作于高温时，漏源电流ids等于沟道电流ich与泄漏电流ir两者之和，但当其工作于常温时，泄漏电流ir急剧减小，近似为零，使得漏源电流ids即为沟道电流ich。因此，对于普通的mosfet反型层载流子迁移率，可以按照测量线性区iv