硅材料填空题精选

1、1硅在自然界主要以氧化物形式存在，不存在单质。2硅的常见几种化合物，二氧化硅sio2，氧化硅sio，硅的卤化six4,三氯化硅，硅烷。3固体可以分为晶体和非晶体两大类。4在不同的带轴方向上晶体的物理性质不同，这是晶体的各向异性。5几种典型的晶胞， 简立方，体心立方，面心立方，氯化铯结构，氯化钠结构，金刚石结构,闪锌矿结构，纤锌矿结构。6硅的提纯有化学提纯，物理提纯两种方法。7高纯度的多晶硅生长单晶硅则基本是以区熔法和直拉法两种物理提纯生长方法为主。8对于大直径的单晶硅或者需要高输出功率的太阳能电池，其硅片的形状一般为方形。9电参数的测量是硅材料电学性能测试的重要内容。它主要包括导电型号，电阻率

2、，少子寿 命和迁徙率测量。10电阻率的测量接触法四探针法，拓展电阻法。非接触法电容耦合法，电感耦合法。1、 硅根据其杂质可分为 和。2、 所有晶体都是由 、或这些在三维空间按一定规则排列而成。3、 在自然界中，硅主要以 和的形式存在。4、 硅的提纯中常用的两种提纯技术是 和。5、 由高纯度的多晶硅生长单晶硅则基本是以 和。6、 太阳电池用单晶片，一般有两种形状： 和。7、 非晶硅是重要的。8、 硅半导体的导电过程存在 和两种载流子。9、 半导体材料的电阻率与 以及有关。10、 在直拉法中掺入杂质的方法有共熔法和投杂法两种。、答案1 （粗硅 高纯硅）2原子 分子 离子 粒子集团）3（氧化硅 硅酸

3、盐）4（精馏 吸 附）5 （区熔法 直拉法）6 （圆形 方形）7 （薄膜半导体材料）8 （电子 空穴）9 （载流 子浓度载流子迁移率）10 （）1、 晶体硅中存在缺陷后，会在晶体能带的禁带中引入缺陷能级，形成一定的复合中心，_ 减少电池中的载流子浓度。2、 无论是内圆切割方式还是外圆切割方式，受制于刀片的厚度3、硅胶化学机械抛光是利用二氧化硅胶或者近胶体状溶液进行抛光4、 通常在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择高些可以缩短扩散时间，有利于 生产。5、_四探针法测量薄层电阻6、 在光生伏特效应中，若 PN结开路，在结的两边积累电子 -空穴对，产生 开路电压7、 当拉晶时，固液界面并不平坦，

4、对于分凝系数不为1的杂质而言，会导致产生的单晶硅 的径向电阻率有较大的不均匀性。8、 在能耗上，单晶由于有拉晶的过程，相对能耗远大于铸造多晶硅。9、 常温下，由于电离产生了大量的空穴，把此类主要依靠空穴导电的半导体成为_P型半 导体_。10、 n0和p0的乘积称为非简并半导体平衡态判据式 _。1硅的光吸收处于（红外波段）2. 以硅材料作为基体的太阳能电池可以分为（单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非 晶硅太阳能电池）3. 晶体生长过程可看成相界的推移过程，由此，晶体生长方式分为三类（固相生长，液相生长，汽相生长）4. 在太阳能级多晶硅制备中，改良西门子法的显著特点有（能耗低，成本低，产量高，

5、质量 稳定，对环境不产生污染）等。5. 在掺金量相同时 N型硅比P型硅寿命下降的（更快些）6. 如果硅材料很纯，材料的电阻率和杂质浓度的关系是（=1/e）7. （多晶硅薄膜）太阳电池以成为目前世界光伏领域中最活跃的研究方向。8. 化学法提纯高纯多晶硅的生产方法大多分为三步（中间化合物的合成， 中间化合物的分离提纯，中间产物被还原）9. 多晶硅片生产流程：清洗硅材、装料、化料、（晶体生长）、退火、冷却、（硅锭出炉）、破锭、多线切割、（硅片清洗）、包装等。10. 单晶硅的原生缺陷是（晶体原生颗粒缺陷）1. 晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。2. 多晶硅的生产方法主

6、要包含：SiCI4法、硅烷法、流化床法、西门子改良法。3. 框图简要说明硅片制备主要工艺流程：单晶生长t整形t切片t晶片研磨及磨边t蚀刻t抛光t硅片检测t打包。4. 硅太阳能电池主要通过扩散在表面制备PN结。什么是恒定源扩散？扩散过程中，认为硅片周围的杂质浓度是恒定的，不随时间而改变， 硅片表面的杂质浓度Ns保持不变，始终等于源相中的杂质浓度，称这种情况为恒定源扩散。5. 画出硅太阳能电池制造工艺流程简要方框图：硅片加工T化学清洗和抛光T涂源扩散T真空蒸镀制备上电极T化学镀镍制备下电极T边缘腐蚀T中间测试分档T引线浸锡T蒸镀反射膜T总测分类。6. 直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？缩颈

7、的主要目的是什么？拉晶过程：润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光； 缩颈的主要目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。7. 硅太阳能电池主要通过扩散在表面制备PN结。如何对扩散参数进行控制1）扩散温度和时间：在不影响P N结特性的前提下，扩散温度选择高一些，可以缩短扩散时间，有利于生产。对于浅扩散情况，温度选择要适当。2）扩散结果的测定：通常采用磨角染色法或者是阳极氧化法和滚槽法等间接手段。3）薄层电阻测定：用四探针法测量。4）表面浓度的计算。8. 如何用四探针法测量薄层电阻？并画出简明电路图9. 说明晶棒切割的主要方式及特点晶棒切割主要通过使用内圆切割、外圆切割、多线切割等方

8、式进行切割。无论是内圆切割方式还是外圆切割方式，受制于刀片的厚度，对于硅料的使用率和本身硅片的厚度都有很强的局限性。而相对较新的多线切割在材料的利用和硅片厚度上明显较为出 色。多线切割由于使用细钢丝替换刀片，使得材料的利用率大大上升，同时也能大大降低硅片的厚度。10. 为什么要消除硅片加工时产生的表面损伤层？简要说明消除步骤及特点。在切割、研磨和抛光过程中，会带来表面损伤层。尤其在切割和研磨过程中表面形成一个晶 格高度扭曲层和一个较深的弹性变形层。退货或者扩散加热时， 弹性应力消失，产生高密度位错层。如此引进的二次缺陷比单晶生长时引进的多得多，从而产生无穷多的载流子复合中心，使光生载流子的寿命

9、大大降低，无法被内建电场分离。化学抛光：使用“ 0P4腐蚀液分两次抛光硅片，总时间35分钟，抛光后用王水或者酸性双氧水清除残存离子型杂质和原子型杂质。化学抛光只能去除一定限度的表面损伤层。化学机械抛光：氧化铬抛光：速度快，工艺较易掌握，但抛光损伤层较厚硅胶化学机械抛光：利用二氧化硅胶体或者近胶体状溶液进行抛光， 是抛光损伤层最小的一种方法。2、硅的光吸收处于 波段。答案：红外4、 三氯氢硅的提纯主要是 和两个过程。答案：粗馏、精馏5、多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的 。答案：温度梯度6、 冶炼级硅生产的工艺过程都可以大体分为 ，配料，出炉和产

10、品包装等几个部分。答案：原料准备、熔炼7、 改良西门子法包括五个主要环节： 、和。答案：SiHCI3的合成、SiHCI3精馏提纯、SiHCI3的氢还原、尾气的回收、SiCI4的氢化分离8、 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以 和两种物理提纯生长方法为主。答案：区熔法、直拉法1晶体中那些位于同一平面内的原子形成的平面称为晶面其法线方向称为晶向2所谓少子寿命是指半导体中非平衡少数载流子平均存在的时间长短3导电性能介于导体和绝缘体之间的一类材料称为半导体。4半导体的电阻率数值对温度、杂质和光照三个外部条件变化有较高的敏感性。5多晶硅的制备方法有改良的西门子法，硅烷法，粒状硅法三种6单晶硅的制备方法有区

11、熔法和切克劳斯基法（直拉法）7绝对纯净而没有缺陷的半导体叫作本征半导体8掺入施主杂质、以电子为多数载流子的硅叫N型硅。9晶体可以分为单晶体、多晶体和无定形体。10晶体在不同的方向上具有不同的性质，这就是晶体的多向异性_1、 同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻就 越低。2、 半导体材料的电学参数是用掺杂_的方法来控制的。3、 在直拉法中掺入杂质的方法有共熔法_ 和投杂法。4、 单晶径向电阻率的差异会使大面积器件电流分布不均匀，产生_局部过热，引起局部击穿,降低 .一耐压和功率指标。5、 影响直拉法单晶电阻率的几个因素有杂质的一分凝、一蒸发、沾污 。6、 控制单晶纵向电阻率均匀性的方法

12、有变速拉晶法和双坩埚法。7、 影响单晶径向电阻率均匀性的主要原因是晶体生长时固液界面的_平坦度和小平面反应。8、 在拉晶时，在固液界面处热交换主要有熔硅凝固放出的潜热 、熔体的热传导、通过晶体向上的热传导和通过晶体向外的辐射热。9、 为了获取径向电阻率均匀的单晶，必须调平固液界面。方法有 调整晶体生长热系统使热场的径向温度梯度变小 、调节拉晶运行参数、调节晶体或坩埚的转速10、拉掺Sb单晶时，要在氩气氛下控制，原因是Sb易挥发1. 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以（直拉法）和（区熔法）两种物理提纯生长方法为主。2硅晶体中硅原子两两之间的夹角为（109° 28 '）3. 在晶格

13、中，通过任意两点连一直线，则这直线上包含了无数个相同的格点，此直线称为（晶列）。4. 三氯氢硅还原法最早由（西门子）公司研究成功。5. 硅在自然界中主要以（氧化物）的形式 存在。6. 多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定 方向的（温度梯度）。7. 在锗，硅材料中，当III族杂质元素在数量上占优势时，材料呈现（P）型，当V族占优势时，结果材料成（P）型。10.硅的原子序数是（14）。1. 硅晶体是原子晶体_,是深灰色而带有金属光泽的晶体。2. 硅的常见几种化合物，二氧化硅sio2_ ,氧化硅sio_，硅的卤化six4_,_三氯化硅_，硅烷_3. 在不同的

14、带轴方向上晶体的物理性质不同，这是晶体的各向异性_4. 在锗，硅材料中，当III族杂质元素在数量上占优势时，材料呈现（P）型，当V族占优势时，结果材料成（P）型。5. 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以直拉法和区熔法两种物理提纯生长方法 为主6. 多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起 特定方向的_温度梯度_8. 电阻率的测量接触法四探针法拓展电阻法_。非接触法电容耦合法电感耦合法_。9高纯度的多晶硅生长单晶硅则基本是以区熔法_和直拉法两种物理提纯生长方法为主10.电参数的测量是硅材料电学性能测试的重要内容。它主要包括导电型号电阻率，少子寿命和迁徙率测量_。1

15、. 晶体缺陷主要类型有点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。2. 晶体生长过程可看成相界的推移过程，由此，晶体生长方式分为三类固相生长、液相生长、汽相生长。3. 在太阳能级多晶硅制备中，改良西门子法的显著特点有能耗低、成本低、产量高、质量稳定对环境不产生污染等。4. 在掺金量相同时 N型硅比P型硅寿命下降的更快些。5. 如果硅材料很纯，材料的电阻率错误！未找到引用源。 和杂质浓度 错误！未找到引用源。的关系是=1/错误！未找到引用源。e错误！未找到引用源。6. 多晶硅薄膜太阳电池以成为目前世界光伏领域中最活跃的研究方向。7. 单晶硅的原生缺陷是晶体原生颗粒缺陷。1. 硅晶体中硅原子两两之间的夹角为（

16、109° 28'）2. 单晶硅晶胞常数为 0.543nm, （111）晶面的面间距为（0.941 nm ）和原子密度为（7.801 nm-2 ）3. 在晶格中，通过任意两点连一直线，则这直线上包含了无数个相同的格点，此直线称为（晶列）。4. 三氯氢硅还原法最早由（西门子）公司研究成功。6. 多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定 方向的（温度梯度）。7. 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以（直拉法）和（区熔法）两种物理提纯生长方法为主。8. 在锗，硅材料中，当III族杂质元素在数量上占优势时，材料呈现（P）型，当V族占优势时，结果材料成（

17、P）型。10.硅多晶300g,掺杂P-Si母合金0.2g拉制单晶头部电阻率为 1Qcm （相应参杂浓度为 5.2* ）,假设迁移率是常数，为0.35 /VS，则母合金浓度为（2.2* ）1太阳能电池发电的原理主要是 ，硅太阳能电池的基本材料为P型单晶硅，上表面为 N+型区，构成一个 。2、 晶体生长系统处于平衡状态，必须满足的平衡条件有：、和。3、不论胚芽的形状如何，要想形成临界晶核，体系的吉布斯自由能的增加必须达到该晶核表面能的。4、 精馏是实现多级部分 和多级部分的实用技术。是实现精馏技术的工具。5、 从石英砂制取硅需经过加料、熔化、放肩生长、尾部生长。6、 对于硅材料，当川族杂质元素在数

18、量上占优势时，材料呈型，反之当V族元素占优势时则呈现型。7、 P在硅中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成 ，称它们为。B在硅中能够接受电子而产生导电空穴并形成 ，所以称它们为。8、 半导体材料的电阻率一方面与载流子 有关，另一方面又与载流子的迁移率有关。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率越 。9、 单晶生长中影响电阻率均匀性的因素有 、坩埚污染。10、直拉法生长单晶硅的过程有润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光。其中，缩颈的主要目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除 内原有位错的延伸。答案：1半导体的光电效应、PN+2、热平衡条件、力学平衡条件、相平衡条件3、1/34、汽化、冷

19、凝、精馏塔5、缩颈生长、等径生长6、P、N7、正电中心、施主杂质、负点中心、受主杂质8、密度、低9、分凝、蒸发10、籽晶1、 典型的晶胞结构有简立方、体心立方、 、氯化铯结构、金刚石结构、闪锌矿结构、 、这8种结构。2、晶体生长系统处于平衡态时，必须满足的平衡条件：、。3、 硅的提纯必须经过或者物理提纯。4、 精馏是利用不同组分有不同的 ，在同一温度下各组分具有不同的 _的特点 进行分离的。5、为制备性能优良的太阳电池， 在铸造多晶硅晶体生长时， 需要解决以下问题：尽量的晶粒；尽量 的固液界面温度；尽量 的热应力；尽可能少的来自坩埚的污染。6、 可以钝化铸造多晶硅中杂质和缺陷，包括晶界。7、

20、硅单晶的直拉生长的主要工艺流程有加料、熔化、 、放肩生长、尾部生长。8、 直拉单晶炉的设备中石墨坩埚勇于支撑石英坩埚，石墨坩埚的底部比较厚， 以起到较好的效果，从而使熔体的温度从底部到表面逐渐 。9、 铸造多晶硅的原材料与直拉、区熔单晶硅生长方法相比，铸造方法对硅原料的不纯 有更大的 ，这也是铸造多晶硅成本相对较低的原因。10、 热作用使硅原子在晶格格点上振动，当振动能量超过某一定值时，硅原子便脱离格点位置，到达晶格格点间隙位置，形成间隙原子，同时晶格位置便留下一个空位，在这个过程中会产生相等数目的空位和间隙原子，这样成对产生的空位和间隙原子称为1、面心立方、氯化钠结构、纤锌矿结构2、热平衡条

21、件、力学平衡条件、相平衡条件3、化学提纯4、沸点、蒸汽压5、大、均匀、小6、氢7、缩颈生长、等径生长8、绝热、降低9、容忍性10、弗兰克缺陷1、晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和【体】缺陷。2、肖特基缺陷属于【点缺陷】。3、 本征半导体Si、Ge等的【四】个价电子，与另四个原子构成【四】个共价键，当掺入 少量的五价原子（如 P、As）时，就形成了 n型半导体。4、平衡载流子是指在 PN结中只存在【本征激发】而产生的载流子。5、调平固液界面属于控制直拉法生长单晶硅的【横向】电阻率均匀性。6、 多晶硅的生产方法主要包含：【SiCI4法】、【硅烷法】、【流化床法】、【西门子

22、改良法】7、位错属于【线缺陷】。8、层错属于【面缺陷】。9、平衡载流子是指在 PN结中只存在【本征激发】而产生的载流子。10、少量的能量使空穴从束缚的状态变为自有载流子，这个过程成为【杂质电离】。1. 硅的光吸收处于红外波段。2. 三氯氢硅的提纯主要是粗馏和精馏两个过程。97%上的产品，在我国通称为工配料，熔炼，出炉和产品包装等几个3. 以硅石和碳质还原剂等为原料经碳热还原法生产的含硅 业硅或冶金级硅。4. 冶炼级硅生产的工艺过程都可以大体分为原料准备， 部分。5. 三氯氢硅还原法最早由西门子公司研究成功。6. 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以区熔法和直拉法两种物理提纯生长方法为主。7. CZ

23、法生长单晶硅工艺主要包括加料，熔化，缩颈生长，放肩生长，等径生长，尾部生 6个主要步骤。8. 单晶硅棒或多晶硅锭制成硅片是一个重要的过程,它对太阳能电池性能和效率有重要的影响。9. 硅片的翘曲度是衡量硅片的参数之一。1 、硅元素原子序数是。2 、半导体按其是否含有杂质及杂质成分，分为 、<3 、写出生成三氯氢硅的化学方程式： 。4 、晶体生长过程亦即相变过程，也可以看作是相界面的推移过程。因此，可将晶体生长方式分为 、。5 、三氯氢硅还原法最早由西门子公司研究成功，因此又称为 。6 、铸造多晶硅的方法： 、。7 、应用于工业生产的成长硅单晶的方法： 、。8 、目前硅片清洗最常用的方法有：

24、 、9 、氢还原三氯氢硅的化学方程式： 。10 、硅的提纯分为：、。1、14 2、本征半导体，杂志半导体3、Si+3HCI=SiHCI 3+H24、固相生长，液相生长，汽相生长5 、西门子法 6、布里曼法，热交换法，电磁铸锭法，浇铸法 7、悬浮区熔法，直拉法8 、化学清洗法，超声清洗法，真空高温处理法9、SiHCI 3+Hz=Si+3HCI10、物理提纯，化学提纯1. 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或 无定型硅，然后用直拉法或悬浮区熔法中生长出棒状单晶硅。2. 晶体缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。其中点缺陷包括：弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷 。3. 半导体材料的电阻率一方面与载流子的密度有

25、关，另一方面又于 载流子的迁移率有关。4. 直拉法生长单晶硅拉晶过程的步骤有：籽晶熔接、引晶和缩颈、放肩、等径生长、收晶。5. 在切割、研磨和抛光的过程中，会带来表面损伤层。从而产生无穷多的载流子复合中心， 使光生载流子的寿命大大降低，无法被内建电场分离。6. 在拥有等于或者大于硅材料禁带宽度的光子照射到硅材料上，在价带上的电子吸收这个光子的能量，跃迁到导带上，并且在价带上留下一个 空穴。7. 在室温下，除了本征激发外还受到杂质电离 的影响，载流子浓度增加，使半导体的电阻率上升。8. 平衡载流子是指在PN结中只存在本征激发而产生的载流子。9. 控制直拉法生长的单晶硅的电阻率均匀性分为控制其纵向

26、电阻率 均匀性和 径向电阻率的均匀性。10. 当拉晶时固液界面并不平坦，对于分凝系数不为1的杂志而言，会导致产生的单晶硅的径向电阻率有较大的不均匀性 。1硅的化学提纯可以分为 中间产物的合成，中间产物的提纯和中间产物的还原三步。2物理提纯可以分为湿法提纯；区域提纯和杂质蒸发三种。3结晶学把晶体生长过程看作是成核长大的过程。成核根据其生长方式可分为原生成核和辅_助成核。4热交换法制备多晶硅常分为装料，加热，化料，晶体生长，退火和冷却六 _5精馏提纯是利用不同的组份有不同的沸点，在同一温度下各组分有不同蒸汽压的特点进行分离的。6吸附提纯中的吸附剂应具有较大的表面积，吸附容量大；具有一定的机械强度，

27、抗磨损； 容易再生等特点。7硅不能采用水平区域提纯法是因为没有合适的容器。（石英是最好的，但石英和硅仍有反应）8铸造多晶硅中的碳杂质的主要来源是铸造原材料中的杂质和制备过热器形成的CO与硅熔体形成的碳杂质。9三氯氢硅还原法主要分为三氯氢硅的合成；三氯氢硅的提纯和氢还原10在绝对温度零度和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在。1. 化学法提纯高纯多晶硅的生产方法大多数分为2. 三氯氢硅合成化学方程式 3. 临界晶核指4. 定向凝固原理5. 常见的铸造多晶硅的方法 、6. 氧在铸造多晶硅中的浓度约为 7. 是半导体性。8. 晶体生长分为 、9. 高纯硅的主要用途 、10. 西门子法中间原料三

28、氯氢硅的熔点 沸点1. 半导体材料的电学参数是用掺杂的方法来控制的。2. 多晶硅的生产方法主要包含：SiCI4法、硅烷法、流化床法、西门子改良法。3. 晶棒切割主要通过使用内圆切割、外圆切割、多线切割等方式进行切割。4. 晶体生长系统处于平衡态时，必须满足的平衡条件有： 热平衡条件、力学平衡条件和相平衡条件。5. 每个面心立方晶胞中包含 4个原子。6. 硅晶体的半导体性源于共价键。7. 为了消除硅片加工产生的表面损伤层，进行的氧化铬抛光，特点是：速度快，工艺较易掌握，但抛光损伤层较厚。& 硅太阳能电池主要通过扩散在表面制备PN结，其中，用四探针法测量薄层电阻。9. 以B掺入Si为例，其

29、中，受主杂质是 B原子。10. N型半导体中，称 n为非平衡多子， p为非平衡少子。1、 硅晶体的结构是金刚石结构，每个原子周围的最近邻原子数是4个。2、硅晶体（111 ）面间的距离是为 0.78 ?3、 晶体生长系统处于平衡态时，必须满足的平衡条件有：热平衡条件、力学平衡条件和相_ 平衡条件。4、化学法提纯高纯多晶硅的生产方法大多数分为三步：中间化合物的合成、中间化合 分离提纯和中间产物被还原或者是分解成高纯硅。5、 硅烷法在提纯方面的优点之一就是硅烷的热分解，写出其化学反应式：Si错误！未找到 引用源。tSi+2错误！未找到引用源。6、每个面心立方晶胞中包含 4个原子。7、硅晶体的半导体性

30、源于共价键。8、对于临界晶核，应同时满足三个条件：母相压强等于外压强；三个相的化学势相等；新相压强大于外压强，其差值等于新相表面能随新相体积的变化率。9、单晶硅的制备方法是直拉单晶法。10、抛光工艺分为三类：机械抛光类、化学抛光类和化学一机械抛光类。1, 硅的化学提纯是将硅用化学方法转化为_，再将其提纯至所需纯度，然后再还原成高 纯硅。2, 是铸造多晶硅的主要杂质。3, 硅中的点缺陷包括 以及。4, 硅晶胞中的原子数为 个原子。5, 用氢还原高纯度三氯氢硅的化学式为 。6, 热交换法与布里曼法主要区别在于 。7, 固相表面产生了流体相的浓缩这种现象叫 。8, 抛光工艺分为三类： 、和。1. 从

31、石英砂中制取硅的工艺可分为：加料，熔化，（缩颈生长），（放肩生长），（等径生长），（尾部生长）。2. 半导体材料的电阻率一方面与（载流子浓度）有关，另一方面与（载流子的迁移率）有关。3. 影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素主要包括（分凝），（蒸发），（坩埚污染）4. 多晶硅的主要生产方法包括（SiCI4法），（硅烷法），（流化床法），（西门子改良法）5. 晶体生长中调节固液界面的目的是（控制径向电阻率均匀性）6. 晶棒切割的主要方式有：（内圆切割），（外圆切割），（多线切割）7. B在硅中电离时能够（接受）电子而产生（导电空穴），并形成（负电中心），所以称它们为受主杂质8. 直拉法生长单晶硅的

32、拉晶过程：（润晶），缩颈生长，放肩生长，等径生长，（拉光）9. 晶体硅存在缺陷后，会在硅晶体能带的禁带中引入（缺陷能级）2、 直拉法生长单晶硅拉晶过程有籽晶熔接、 收晶5 个主要阶段。3、 在直拉法生长单晶硅时横向电阻率均匀性的控制方法是：。4、 直拉法生长单晶硅拉晶过程中缩颈的主要目的是 和。5、 硅片制备主要工艺流程： 单晶生长ttt晶片研磨及磨边t蚀刻t抛光t t打包6、 硅太阳能电池主要通过 在表面制备PN结。7、 主要依靠导电的半导体称为 P型半导体。8、 主要依靠 导电的半导体称为 N型半导体。9、 Cz硅单晶生长工艺中影响纵向电阻率均匀性主要因素有：、沾污等。10、 晶棒切割主要

33、通过使用 、等方式进行切割。1、点缺陷 线缺陷面缺陷和体缺陷2、引晶和缩颈 放肩等径生长3、调平固液界面4、 排除接触不良引起的多晶尽量消除籽晶内原有位错的延伸5、整形切片 硅片检测6、扩散7、空穴8、电子9、 杂质的分凝蒸发10、内圆切割 外圆切割 多线切割1、 共价键有两个重要的性质： 和2、半导体按其是否含有杂质及杂质成分，可分为 、3、 在人工晶体生长系统中，为了在所希望的地方生长出晶体，必须严格控制生长系统中的。4、工业所有吸附剂应满足的要求（写出 3个）：、和。5、可将多晶硅的铸造方法细化分为、电磁铸锭法、。6、 铸造多晶硅制备过程中，可以采用 作为坩埚。7、 硅中的和是晶体中所固

34、有的，因此通常又被称为本征点缺陷。8、直拉单晶硅生长完成后呈圆棒状，因此，单晶硅生长完成后需要进行9、 是硅片的最重要参数。10、倒角工艺是用具有特定形状的砂轮磨去硅片边缘的 7、太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应8对于硅材料，当川族杂质元素在数量上占优势时，材料呈现P型9、在硅中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质。10使纵向电阻率逐渐降低的效果与使电阻率逐渐升高的效果达到平衡，就会得到纵向电阻 率比较均匀的晶体。方法：变速拉晶法，双坩埚法。1. 根据单晶硅的使用目的不同，单晶硅的制备工艺也不同，主要的制备工艺有两种，分别是区域熔炼法和切克劳斯基法 。3

35、. 在热平衡状态半导体中，载流子的产生和复合的过程保持动态平衡，从而使载流子浓度保持定值，则处于此种状态下的载流子为平衡载流子。处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0 （此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部 分载流子称为非平衡载流子。4使纵向电阻率逐渐降低的效果与使电阻率逐渐升高的效果达到平衡，就会得到纵向电阻率比较均匀的晶体。方法：变速拉晶法，双坩埚法。5多晶硅的生产方法主要包含：SiCI4法、硅烷法、流化床法、西门子改良法。6硅片的主要工艺流程包括：单晶生长t整形t 切片t晶片研磨及磨边t蚀刻t 抛光t硅片检测t打包。7纯净半导体Si中掺V族元素的杂

36、质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质8. 在P型半导体的多数载流子是：空穴9总厚度变差TTV是指：硅片厚度的最大值与最小值之差10.常用的半导体电阻率测量方法有：直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针。1、在晶格中，通过任意两点连一直线，则这直线上包含了无数个相同的格点，此直线称为2、 精馏是利用不同组分有不同的 ，在同一温度下，各组分具有不同蒸汽压的特点进行分离的。3、 物理吸附的最大优点是其为一种 过程，吸附剂经脱附后可以循环使用，不 必每次更换吸附剂。4、多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的。5、 工业硅生产过程中一般要做好以

37、下几个方面： 、和。6、 改良西门子法包括五个主要环节： 、和。7、 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以 和两种物理提纯生长方法为主。8、 CZ法生长单晶硅工艺主要包括加料，熔化， ，放肩生长，等径生长， 6个主要步骤。9、 以硅石和碳质还原剂等为原料经碳热还原法生产的含硅97%上的产品，在我国通称为工业硅或。10、 总厚度变差 TTV是指： ;翘曲度 WAR是指。1、晶列2、沸点3、可逆4、温度梯度5、观察炉子情况，及时调整配料比；选择合理的炉子结构参数和电气参数；及时捣炉，帮 助沉料；保持料层有良好的透气性6、 SHCb的合成；SHCI3精馏提纯；SHCI3的氢还原；尾气的回收；SCI4的氢

38、化分离7、区熔法；直拉法8、缩颈生长；尾部生长9、冶金级硅10、 硅片厚度的最大值与最小值之差；硅片的中面与参考面之间的最大距离与最小距离之差1. 硅片的主要工艺流程包括 f整形t切片t晶片研磨及磨边t蚀刻t抛光t硅片检测t打包2. 非平衡载流子通过 而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命T,寿命T与 在 中的位置密切相关3. 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以_和_两种物理提纯生长方法为主。单晶硅的主要工业生产方法是： 4. 多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的 。5. CZ法生长单晶硅工艺主要包括加料，熔化， ，放肩生长，等径生长，6个主要步骤。1. 晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷2. 单晶硅的主要生产方法是：西门子改良直拉法3. 在P型半导体的多数载流子是：空穴4. 硅片的主要工艺流程包括 单晶生长T整形T切片T晶片研磨及磨边T蚀刻T抛光T硅片 检测T打包5. 纯净半导