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文档简介
1、一、实验目的进一步掌握施密特触发器的原理和特点，熟悉和了解由施密特触发器构成的部分应用电路，学会正确使用 TTL , CMOS集成的施密特触发器。二、实验内容1 .具有施密特性的门电路特性测试(1) 74LS132芯片的特性测试图20.1所示为74LS132芯片的原理电路和逻辑符号图。图 20.1用实验法测出芯片的电压传输特性曲线。并标出Vt+, Vj AVt等值。参照给定的原理电路图，说明Vt+, V， AVt等值和理论分析值是否一致？理论分析时，可假设肖特基三极管的Vbes=0.8V, Vces=0.3V,肖特基二极管的正向导通压BI Vd=0.4V。(2) CMOS CD40106 特性
2、测试图20.2所示为CD40106芯片的原理电路的逻辑符号图。令Vdd=+5V,测出CD40106的Vt+, Vt- - AVt值，画出相应的电压传输特性曲线。改变Vdd值，使之分别为+10V, -15V,重复上述内容。348106图 20.22.施密性触发器的应用。（1）多谐振荡器按图20.3所示电路接线,V dd=-5V。(b)(a)CD4B1B6图 20.3用示波器观察图（a）,图（b）电路输出端Vo的波形。选择电容 C,使图（a）中Vo的频率f=100KHZ150KHz 。选取图（b）电路中的电容 C,令其分别为100PE和1 F,测出Vo端振荡波形的相应的频 率。（2）压控振荡器按图
3、20.4所示电路接线 Vdd=+5V信号Vi的变化范围为2.55.0V图 20.4用示波器观察并记录 Vo端的波形。当Vi取值分别为：2.5V、3V、3.5V、4.0V、4.5V、5V时测出Vo端波形相应的频率 f。观察电路中元件参数的大小（如电阻 R、电容C）和f有何关系？观察与非门的VT施密特触发器的 Vt+、V和f有何关系？三、思考题1 .施密特触发器电路的特点是什么？（图 20.1）所示的原理电路是由哪几部分构成的？各部分的作用是什么？2 . CMOS施密特触发器的 Vdd值的大小和芯片的 Vt+、Vt-、AVt参数有何关系？3 .改变图20.1图（b）电路的Vdd值时，Vo端的振荡频率是否会跟着变化？怎样变化？ 四、实验仪器及材料1 仪器：示波器2 材料：CMOS 芯CD40106 具有施密特触发特性的反相器 1 片C
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