LED芯片封装缺陷检测方法研究(1)

1、LED芯片封装缺陷检测方法研究(1)论文论文摘要：引脚式LED芯片封装工艺中封装缺陷不可防止。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应，分析了一种封装缺陷对LED支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对LED支架回路光电流进展非接触检测，得到LED芯片功能状态及芯片电极与引线支架问的电气连接情况，并对检测精度的影响因素进展分析。实验说明，该方法具有高检测信噪比，可以实现对封装过程LED芯片功能状态及封装缺陷的检测。计算结果与实验结果较好吻合。 论文关键词：LED芯片；封装缺陷检测；p-n结光生伏特效应；电子隧穿效应；非金属膜层 LED(Light-emitting diode)由于寿命长、能耗

2、低等优点被广泛地应用于指示、显示等领域。可靠性、稳定性及高出光率是LED取代现有照明光源必须考虑的因素。封装工艺是影响LED功能作用的主要因素之一，封装工艺关键工序有装架、压焊、封装。由于封装工艺本身的原因，导致LED封装过程中存在诸多缺陷(如重复焊接、芯片电极氧化等)，统计数据显示1-2：焊接系统的失效占整个半导体失效形式的比例是2530，在国内，由于受到设备和产量的双重限制，多数消费厂家采用人工焊接的方法，焊接系统不合格占不合格总数的40以上。从使用角度分析，LED封装过程中产生的缺陷，虽然使用初期并不影响其光电性能，但在以后的使用过程中会逐渐暴露出来并导致器件失效。在LED的某些应用领域

3、，如高精细航天器材，其潜在的缺陷比那些立即出现致命性失效的缺陷危害更大。因此，如何在封装过程中实现对LED芯片的检测、阻断存在缺陷的LED进入后序封装工序，从而降低消费本钱、进步产品的质量、防止使用存在缺陷的LED造成重大损失就成为LED封装行业急需解决的难题。目前，LED产业的检测技术主要集中于封装前晶片级的检测4-5及封装完成后的成品级检测6-7，而国内针对封装过程中LED的检测技术尚不成熟。本文在LED芯片非接触检测方法的根底上8-9，在LED引脚式封装过程中，利用p-n结光生伏特效应，分析了封装缺陷对光照射LED芯片在引线支架中产生的回路光电流的影响，采用电磁感应定律测量该回路光电流，

4、实现LED封装过程中芯片质量及封装缺陷的检测。1理论分析 11 p-n结的光生伏特效应m根据p-n结光生伏特效应，光生电流IL表示为： 式中，A为p-n结面积，q是电子电量，Ln、Lp分别为电子和空穴的扩散长度，J表示以光子数计算的平均光强，为p-n结材料的吸收系数，是量子产额，即每吸收一个光子产生的电子一空穴对数。 在LED引脚式封装过程中，每个LED芯片是被固定在引线支架上的，LED芯片通过压焊金丝(铝丝)与引线支架形成了闭合回路，如图1。假设忽略引线支架电阻，LED支架回路光电流等于芯片光生电流IL。可见，当p-n结材料和掺杂浓度一定时，支架回路光电流与光照强度I成正比。12封装缺陷机理 LED芯片受到腐蚀因素影响或沾染油污时，在芯片电极外表生成一层非金属膜，产生封装缺陷。电极外表存在非金属膜层的LED芯片压焊工序后，焊接处形成金属一介质-金属构造，也称为隧道结。当一定强度的光照射在LED芯片上，假设LED芯片失效，支架回路无光电流流过假设非金属膜层足够厚，只有极少数电子可以隧穿膜层势垒，LED支架回路也无光电流流过；假设非金属膜层较薄，由于LED芯片光生电流在隧道结两侧形成电场，电子主要以场致发射的方