ttl与非门的静态参数测试

1、实验一 TTL与非门的静态参数测试实验报告By kqh from SYSU、实验数据及数据分析1 .低电平输出电源电流ICCL和高电平输出电源电流ICCH及静态平均功耗P：I血：测试电路如图1所示，测得ICCL为测试电路如图1(b)所示，测得I cch为mAP:W=p£P叱=匆乎 + 处Z73 乂。+ 5 乂。一叱X。：222图 1(b)图 1(a)数据分析：低电平输出电源电流I CCL比高电平输出电源电流ICCH高，符合理论预测。2 .输入短路电流I IS和输入漏电流Iih：I IS (或 I IL )：测试电路如图2所示，测得Iis为I IH :测试电路如图2(b)所示，电流过小

2、，多用电表无测量示数+5V数据分析：输入短路电流I IS和输入漏电流I IH分别是和无示数，均比较小，说明前级门电路带负载的个数较多。3 .输出高电平UOH及关门电平UOff测试电路如图3所示，测得UOh为则当输出电压为90%Uh ()时，测得输入电压(即关门电压)为+5V4 .输出低电平UOl及开门电平UOn测试电路如图4所示，测得UOL为调整输入电压，测得开门电平UOn为560Q数据分析：综合实验3、4可知，74LS00的跳变电压在 在之间，高电平为 ，低5.电平为。测试TTL与非门的电压传输特性Ui(V)0U0(V)Ui(V)WV)Ui(V)234U0(V)用MATLAB以合，U0关于U

3、i的函数图像，如图 5所示TTL与非门的电压传输特性图5图像分析：在高电平输出范围内，随输入电平增大，输出电平轻微减小；在低电平 输出范围内，输出电平基本不随输入电平变化而变化。输入电平在左右时，输出电平出 现跳跃，与实验 3、4结果基本相符6.平均传输延迟时间tpd测试电路如图6(a)所示，输出波形如图 6(b)所示。七级非门整形非门图 6(a)RIGOL tdDB 30000 00 Op &T 干 ii 152V二二11iwrinlI科节r.却交in fln;中心；T.dil= fi /.e>.00 VJUUUL上三性间图 6（b）数据分析：由波形图中读得T=,则tp。6 6

4、29ns二、实验思考题1、TTL与非门和CMOS1非门有何异同点答：TTL与CMOS的相同点是：a.都是与非逻辑元件，可以实现与非逻辑功能b.输出端都可以悬空c.都有输出高电平 UOH关门电平Uof、输出低电平UOL及开门电平Uon等参数TTL与CMOS的不同点是：a. TTL与非门的闲置输入端可以悬空，悬空时相当于接高电平。CMOST非门闲置输入端应接高电平或地，因 CMO崎入悬空时能感应出高电压会损坏芯片；b. TTL电路是电流控制器件，而 CMOSI路是电压控制器件。c. TTL电路的速度快，传输延迟时间短 （5-10ns），但是功耗大。COMSl路的速度慢，传输延迟时间长（25-50ns）,但功耗低。d. CMOS勺逻辑1电平电压接近于电源电压，逻辑0电平接近于0V,具有更宽的噪声容限。2、如何将与非门作为非门使用答：主要有两种方法：a.将与非门的两输入端短接端，即两输入端输入同一信号b.将多余输入端接高电平处