材料分析方法复试题目(南理工各大材料学院可用)

1、材料分析方法复试考题一、解释下列名字的不同1、X 射线衍射与电子衍射有何异同？ 电子衍射与 X 射线衍射相比具有下列特点：1）电子波的波长比 X 射线短的多 ,在同样满足布拉格定律时 ,它的衍射角 非常小 , 约为 10-2rad, 而 X 射线衍射时 , 最大角可接近 /2。2）电子衍射操作时采用薄膜样品,薄膜样品的倒易阵点会沿样品的厚度方向延伸成杆状 ,于是 ,增加了倒易阵点和厄瓦尔德球相交的机会,结果使略微偏离布拉格条件的电子束也能发生衍射。3）由于电子波的波长短 ,采用厄瓦尔德图解时 ,反射球的半径很大 ,在衍射角 较小 的范围内 ,反射球面可以近似看成一个平面. 可以认为 ,电子衍射

2、产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内.这个结果使晶体产生的衍射花样能比较直观地反映各晶面的位向 ,便于实际结构分析。4）原子对电子的散射能力远高于它对X 射线的散射能力 （约高出 4个数量级 ）,故电子衍射束的强度较大 ,摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒钟。2、特征 x射线与连续 x 射线4、物相分析与成分分析二、说出下列检定所要用的手段（这个记不清了）1、测奥氏体成分含量直接比较法（定量）2、薄膜上 1nm 微粒的物相4、忘了，反正就是 XRD ，透射电镜，扫描电镜，定性啊，定量啊什么的三、让你说明德拜照相法的衍射几何，还让画图四、给你一个图，让你说明二次电子成像的原理五、说明宏观应力测

3、定的原理（没复习到，比较难）六、给你一个衍射斑点的图，告诉你体心立方好像，然后让你鉴别出点的指数 七、给了一个 15组数据的 X 射线衍射数据，还有 3个 PDF卡片， SiO2，-Al2O3 ， -Al2O3 ，然后让你说 明这 15 组数据分别属于哪个物相，就是物相检定的一个实际操作。2011 复试材料分析方法回忆版一、简答题（ 40=5*4+10*2 ）1、连续 X 射线与特征 X 射线的特点连续 X 射线：1）X 射线强度 I 沿着波长连续分布2）存在短波限 SWL3）存在最大强度对应的波长 m特征 X 射线波长对阳极靶材有严格恒定数值。 （只决定于阳极靶材元素的原子序） 波长不受管电

4、压、管电流的影响标识谱的强度随管电压和管电流提高而增大对于多晶体材料衍射分析，希望入射 X 射线的单色性最好，即 I 特/I 连最大。（一般取 U/Uk=4 时，I 特 /I 连取得 最大值，故 X 射线管工作电压为 U3-5Uk 。Uk 为 K 系特征谱的激发电压 ） 2、物相分析与成分分析的区别 成分分析：确定组成物质的元素成分及含量 ,但不能说明其存在状态。如 45钢，含 Fe,C 元素 物相分析：确定由各种元素的存在状态、其晶体结构等（单质或化合物） 。如 45 钢，主要有 铁素体及渗 碳体构成。物相定性分析的原理是什么？对食盐进行化学分析与物相定性分析，所得信息有何不同？ 答： 物相

5、定性分析的原理： X 射线在某种晶体上的衍射必然反映出带有晶体特征的特定的衍射花样（衍 射位置 、衍射强度 I），而没有两种结晶物质会给出完全相同的衍射花样，所以我们才能根据衍射花样 与晶体结构一一对应的关系，来确定某一物相。对食盐进行化学分析，只可得出组成物质的元素种类（ Na,Cl 等）及其含量，却不能说明其存在状态，亦 即不能说明其是何种晶体结构，同种元素虽然成分不发生变化，但可以不同晶体状态存在，对化合物更是 如此。定性分析的任务就是鉴别待测样由哪些物相所组成。物相定量分析的原理是什么？试述用 K 值法进行物相定量分析的过程。 答：根据 X 射线衍射强度公式，某一物相的相对含量的增加，

6、其衍射线的强度亦随之增加，所以通过衍射 线强度的数值可以确定对应物相的相对含量。 由于各个物相对 X 射线的吸收影响不同， X 射线衍射强度与 该物相的相对含量之间不成线性比例关系，必须加以修正。这是内标法的一种， 是事先在待测样品中加入纯元素， 然后测出定标曲线的斜率即 K 值。 当要进行这类待 测材料衍射分析时， 已知 K 值和标准物相质量分数 s，只要测出 a相强度 Ia 与标准物相的强度 Is的比值 Ia/Is 就可以求出 a 相的质量分数 a。3、反射球与倒易球的特点4、电子衍射与 X-ray 衍射的区别电子衍射与 X 射线衍射相比具有下列特点：1) 电子波的波长比 X 射线短的多

7、,在同样满足布拉格定律时 ,它的衍射角 非常小 , 约为 10-2rad, 而 X 射线衍射时 , 最大角可接近 /2。2) 电子衍射操作时采用薄膜样品,薄膜样品的倒易阵点会沿样品的厚度方向延伸成杆状 ,于是 ,增加了倒易阵点和厄瓦尔德球相交的机会,结果使略微偏离布拉格条件的电子束也能发生衍射。3) 由于电子波的波长短 ,采用厄瓦尔德图解时 ,反射球的半径很大 ,在衍射角 较小 的范围内 ,反射球面可以近似看成一个平面. 可以认为 ,电子衍射产生的衍射斑点大致分布在一个二维倒易截面内.这个结果使晶体产生的衍射花样能比较直观地反映各晶面的位向 ,便于实际结构分析。4) 原子对电子的散射能力远高于

8、它对X 射线的散射能力 (约高出 4个数量级 ),故电子衍射束的强度较大 ,摄取衍射花样时曝光时间仅需数秒钟。电子衍射与 X 射线衍射有那些区别？可否认为有了电子衍射分析手段，X射线衍射方法就可有可无了？答：电子衍射与 X 射线衍射一样，遵从衍射产生的必要条件和系统消光规律，但电子是物质波，因而电子衍 射与 X 射线衍射相比，又有自身的特点：(1) 电子波波长很短，一般只有千分之几nm，而衍射用 X 射线波长约在十分之几到百分之几 nm，按布拉格方程 2dsin =可知，电子衍射的 2角很小，即入射电子和衍射电子束都近乎平行于衍射晶面；(2) 由于物质对电子的散射作用很强，因而电子束穿透物质的

9、能力大大减弱，故电子只适于材料表层或薄膜样 品的结构分析；(3) 透射电子显微镜上配置选区电子衍射装置，使得薄膜样品的结构分析与形貌有机结合起来，这是 X 射线衍 射无法比拟的特点。但是， X射线衍射方法并非可有可无，这是因为： X 射线的透射能力比较强，辐射厚度也比较深，约为几 um 到几十 um，并且它的衍射角比较大，这些特点都使X 射线衍射适宜于固态晶体的深层度分析。电子衍射应用的领域：1、 物相分析和结构分析；2、 确定晶体位向；3、确定晶体缺陷的结构及其晶体学特征。X-ray 衍射应用的领域： 物相分析，应力测定，单晶体位向，测定多晶体的结构，最主要是物相定性分析。5、制备薄膜样品的

10、基本要求是什么？具体工艺如何？双喷减薄与离子减薄各适用于制备什么样品？ 合乎要求的薄膜样品应具备以下条件：首先， 样品的组织结构必须和大块样品相同 ，在制备过程中， 这些组织结构不发生变化。第二， 样品相对于电子束而言必须有足够的透明度 ，因为只有样品能被电子束 透过，才能进行观察和分析。第三， 薄膜样品有一定的强度和刚度 ，在制备，夹持和操作过程中，在一定的机械力作用下不会引起变形和损坏。最后，在样品制备过程中不允许表面产生氧化和腐蚀。氧化和腐蚀 会使样品的透明度下降，并造成多种假像。从大块金属上制备金属薄膜样品的过程大致分三步：（1）从实物或大块试样上切割厚度为0.3 0.5mm厚的薄片。

11、（2）对样品薄膜进行预先减薄（机械法或化学法）。（3）对样品进行最终减薄（电解减薄或双喷离子减薄）。离子减薄：1）不导电的陶瓷样品2）要求质量高的金属样品3）不宜双喷电解的金属与合金样品双喷电解减薄：1）不易于腐蚀的裂纹端试样2）非粉末冶金试样3）组织中各相电解性能相差不大的材料6、4）不易于脆断、不能清洗的试样说明多晶、单晶（及厚3单.6晶 ）衍多射晶花电样子的衍特射征花及样形及成其原标理定。 多晶衍射花样是晶体倒易球与反射球的交线，是一个个以透射斑为中心的同心圆环；单晶衍射花样是 晶体倒易点阵去掉结构消光的倒对易于杆多与晶反薄射膜球、的纳交米点晶，体，当电这子些束点照构射成时平，行被四照边

12、射形区衍域射花样； （当单晶体较厚时， 由于散射因素的影响会出现包除含衍很射多花晶样粒外，的此一时明其一衍暗射线花对样的与菊单池晶衍不射同花。样）花样特征：单晶电子衍射花样就是3.6（u.v1w ） *衍0 零射层倒原易理截面与的花放大样像特征时，衍 线衍射不产 生衍射生消光电子束照 射成像 相似。成像原理和典型衍射花样见下图，简要说明多晶（纳米晶体） 、单晶及非晶衍射花样的特征及形成原理。 答：单晶花样是一个零层二维倒易截面，其倒易点规则排列，具有明显对称性，且处于二维网络的格点上。 因此表达花样对称性的基本单元为平行四边形。单晶电子衍射花样就是 （uvw）*0 零层倒易截面的放大像。多晶面

13、的衍射花样为：各衍射圆锥与垂直入射束方向的荧光屏或照相底片的相交线，为一系列同心圆环。 每一族衍射晶面对应的倒易点分布集合而成一半径为 1/d 的倒易球面， 与 Ewald 球的相惯线为圆环， 因此， 样 品各晶粒 hkl 晶面族晶面的衍射线轨迹形成以入射电子束为轴、 2 为半锥角的衍射圆锥，不同晶面族衍射圆 锥 2 不同，但各衍射圆锥共顶、共轴。非晶的衍射花样为一个圆斑。15 分的题也想不起来了）二、计算、证明题三、论述题（具体的哪个题属于哪个记不清，还有1、布拉格方程厄瓦尔德图解的一致性（10 ）作一个长度等于 1/的矢量 K0 ，使它平行于入射光束，并取该矢量的端点O 作为倒点阵的原点。

14、然后用与矢量 K0 相同的比例尺作倒点阵。以矢量 K0 的起始点 C 为圆心，以 1/ 为半径作一球，则从（ HKL ） 面上产生衍射的条件是对应的倒结点 HKL （图中的 P 点）必须处于此球面上，而衍射线束的方向即是C 至P 点的联接线方向，即图中的矢量 K 的方向。当上述条件满足时，矢量（ K- K0 ）就是倒点阵原点 O 至倒结 点 P（ HKL ）的联结矢量 OP ，即倒格失R* HKL. 于是衍射方程 K- K0=R* HKL 得到了满足。即倒易点阵空间的衍射条件方程成立。又由 g*=R* HK2sin 1/ =g*2sin1/=1/d2dsin =（类似解释：首先作晶体的倒易点阵

15、， O 为倒易原点。入射线沿 O'O 方向入射，且令 O'O =S0/ 。 以 0'为球心，以 1/为半径画一球，称反射球。若球面与倒易点B 相交，连 O'B 则有 O'B- S0/ =OB，这里 OB 为一倒易矢量。因 O'O =OB=1/ ，故 O'OB 为与等腰三角形等效， O'B是一衍射线方向。 由此可见，当 x 射线沿 O' O 方向入射的情况下，所有能发生反射的晶面，其倒易点都应落在以O'为球心。以 1/为半径的球面上，从球心 O'指向倒易点的方向是相应晶面反射线的方向。）2、电磁透镜在 TEM

16、 和 SEM 中的作用（ 10）扫描电镜的成像原理与透射电镜有何不同 ?答：扫描电子显微镜（ Scanning electron microscope-SEM ）是以类似电视摄影显像的方式，通过细聚焦电子 束在样品表面扫描激发出的各种物理信号来调制成像的显微分析技术。SEM 成像原理与 TEM 完全不同，不用电磁透镜放大成像3、简述单轴应力测试原理（ 10）平面应力测试原理在一块冷轧钢板中可能存在哪几种内应力？它们的衍射谱有什么特点？ 答：在一块冷轧钢板中可能存在三种内应力， 它们是： 第一类内应力是在物体较大范围内或许多晶粒范围内存在 并保持平衡的应力。称之为宏观应力。它能使衍射线产生位移。

17、 第二类应力是在一个或少数晶粒范围内存在并保持平衡的内应力。它一般能使衍射峰宽化。 第三类应力是在若干原子范围存在并保持平衡的内应力。它能使衍射线减弱。宏观应力对 X 射线衍射花样的影响是什么？衍射仪法测定宏观应力的方法有哪些？答：宏观应力对 X 射线衍射花样的影响是造成衍射线位移。 衍射仪法测定宏观应力的方法有两种， 一种是 0° -45法。另一种是 sin2法。4、六面体(都是 90°)8 个顶角上是 a 原子，体心是 b 原子， fa=29 ，fb=36 ，问结构因子何时为零，属于何 种晶格类型( 10)NaCl 晶体为立方晶系，试推导其结构因子 FHKL ，并说明

18、NaCl 晶体属于何种点阵类型。已知 NaCl 晶体晶胞中离子的位置如下：4个 Na 离子分别位于： 0,0,0；1/2,1/2,0；1/2,0,1/2；0,1/2,1/24个Cl 离子分别位于： 1/2,1/2,1/2；0,0,1/2；0,1/2,0；1/2,0,0解：将八个离子带入公式下：位于(1) 当 H，K，L 奇偶混杂时， F=0，( 2) 当 H ， K ， L 奇 偶 不 混 杂 时 所以 NaCl 依然属于面心点阵。在 Fe-C-Al 三元合金中生成 Fe3CAl 化合物，其晶胞中原子占位如Al 位于(0,0,0)，Fe位于(1/2, 1/2, 0) ，(1/2, 0, 1/2

19、) ，(0, 1/2, 1/2) ，C (1/2, 1/2, 1/2) 。三种元素对电子的原子散射因子如下图所示。(1) 写出结构因子 FHKL 的表达式(用原子散射因子 fAl, fFe, fC 表达)；2）计算电子衍射花样中， 相对衍射强度 I001/I002, I011/I002 的比值（以结构因子平方作为各衍射斑点的相对强度）解：(2)I001/I002=9/121 ， I011/I002=1/121005、给出了电子衍射花样， r1， r2， r3，和两个角度，相机常数，进行标定（15）单晶电子衍射花样的标定有哪几种方法？图1 是某低碳钢基体铁素体相的电子衍射花样， 请以尝试校核法为

20、例，说明进行该电子衍射花样标定的过程与步骤。图1 某低碳钢基体铁素体相的电子衍射花样答：一般，主要有以下几种方法：1）当已知晶体结构时，有根据面间距和面夹角的尝试校核法；根据衍射斑点的矢径比值或N 值序列的 R2比值法2）未知晶体结构时，可根据系列衍射斑点计算的面间距来查JCPDS（ PDF）卡片的方法。3）标准花样对照法4）根据衍射斑点特征平行四边形的查表方法过程与步骤：R1，R2，R3 ， R4 ?（见图）（1） 测量靠近中心斑点的几个衍射斑点至中心斑点距离（2）根据衍射基本公式L1 d求出相应的晶面间距 d1，d2，d3， d4 ?1.、已因为晶体结构是已知的，某一 d 值即为该晶体某一

21、晶面族的晶面间距，故可根据 知hk晶l 体，即结由构d衍1 查射出花h样1k的1l1标 ，定由 d2 查出 h2k2l2 ，依次类推。 尝试 - 核算（校核）法(3)d 值定出相应的晶面族指数1)量靠近中心斑点的几个衍射斑点至中心斑点距离 R1， R2， R4 ?（? 见图）R32)根据衍射基本公式(4)开中心斑点最近衍射斑点的指数。若d2， d3， dh晶、面k、间lR1 最短，则相应斑点的指数应为 h1k1l1 面族中的一个。 例如 112 ），就有 24 种标法；3)两个指数相等、另一指数为 0 的晶面族（例如 110 ）有 12 种标法； 为晶体结三个构指是数已相等知的的晶，面族某（一

22、如 1d1值1 ）即有为8该种晶标法体；某一晶面族 晶面两间个距指，数为故可0 的根晶据面族有d值6 定种标出法相，应因此的，晶第面一个族指指数数可 以是等价晶面中的任意一个。 决，定即第由二个d斑1点查的出指数h。1k1l 1，由d2查出h2k2l 2 ，依次类第二个斑点的指数不能任选，因为它和第1 个斑点之间的夹角必须符合夹角公式。对立方晶系而言，夹角公式为cosh1h2 k1k2 l1l2 h12 k12 l12 h22 kl22决定了两个斑点后，其它斑点可以根据矢量运算求得R3 R1 R27) 决定了两个斑点后，其它斑点可以根据矢量运算求得R3 R1 R即 h3 = h1 + h2+

23、k2L3 = L1 + L28) 根据晶带根定据律晶带求定零律层倒易截层求倒零易层截uvw gh1 k1l1 gh2 k2 luvw gh1k1l1gh2k2l2h1h21l12l231.5面心立方晶体单晶电子衍射花样如图所示，测得：R1=10.0mm; R2=16.3mm;R3=19.2mm 夹角关系见图。求： ( 1)先用 R2 比法标定所有衍射斑点 指数，并求出晶带轴指数 uvw ； ( 2)若 L =20.0mm ? ，求此晶体的点阵参数 a=? 解：(1)R12：R22:R32=100： 265.7：368.6=3:8:11 (H1 K1 L 1)=(1 1 1) (H2 K2 L2

24、) =(0 2 -2) (H3 K3 L3)= (1 1 1)+ (0 2 -2) =(1 3 -1) 晶带轴方向为( -2 1 1)58.5R2 R1R32）根据 Rdhkl=L 所以,所以 a=3.5?下图为 18Cr2N4WA经 900油淬 400回火后在透射电镜下摄得的渗碳体选区电子衍射花样示意图， 数斑点进行标定。请对其指R1=9.8mm, R2=10.0mm, =95°, L =2.05 mm?nm 11得 d l得 d1=0.209nm， d2=0.205nm,dR（h1k1l 1）为（ -1-2 1 ）（ h2k2l 2）为（ 2 -1 0 ）解：由 R L查表得：又

25、 R1R2，可确定最近的衍射斑点指数为（h1k1l 1）即（-1 -2 1 ）由 cosh1h2 k1k2 l1l2k21 l21)(h22 k22 l 22)，且=95，得第二个斑点指数为（2 -1 0 ），或（ -2 1 0 ），又由R1+R2=R3 得h3=h1+h2 , k3=k1+k2 , L3=L1+L2得 第三个斑点指数为， （ 1 -3 1 ）或（ -1 3 1 ）当第一个衍射斑点指数为（ 1 2 1 ）时同理可求得相应的斑点指数为（ 3 1 1 ）或（ -1 3 1 ），标定如下图6、SEM 和面分析的衬度来源（有具体的图，但知识点是这个，10)AOB90 。试求：(1)标定

26、图中所有斑点的指数；(2)求出晶带轴指数 uvw ；(3)计算相机常数 L =?-Fe 单晶（体心立方，点阵常数 a=2.86 ? ）的选区电子衍射花样如图所示。已测得 A、B、C 三个衍射斑点距透射斑点 O的距离为：RA=10.0mm,RB=24.5mm,RC=26.5mm，解：（1）R12：R22:R32=100：600：702=2:12:14(H1 K1 L 1)=(1 1 0) (H2 K2 L2) =(2 -2 2) (H3 K3 L3)= (1 1 0)+ (2 -2 2) =(3 -1 2)(2) 晶带轴指数 uvw=1 -1 -2(3) ,，L =R1d110=10*2.0 =

27、20.0 mm ?表面形貌衬度和原子序数衬度各有什么特点？答： 表面形貌衬度是由于试样表面形貌差别而形成的衬度。利用对试样表面形貌变化敏感的物理信号调制成像， 可以得到形貌衬度图像。形貌衬度的形成是由于某些信号，如二次电子、背散射电子等，其强度是试样表面倾角 的函数，而试样表面微区形貌差别实际上就是各微区表面相对于入射电子束的倾角不同，因此电子束在试样上扫 描时任何两点的形貌差别，表现为信号强度的差别，从而在图像中形成显示形貌的衬度。二次电子像的衬度是最 典型的形貌衬度。由于二次电子信号主要来自样品表层 5-10nm 深度范围，它的强度与原子序数没有明确的关系， 而仅对微区刻面相对于入射电子束

28、的位向十分敏感， 且二次电子像分辨率比较高， 所以特别适用于显示形貌衬度。原子序数衬度是由于试样表面物质原子序数 （或化学成分） 差别而形成的衬度。 利用对试样表面原子序数 （或 化学成分）变化敏感的物理信号作为显像管的调制信号，可以得到原子序数衬度图像。背散射电子像、吸收电子 像的衬度都含有原子序数衬度， 而特征 X 射线像的衬度就是原子序数衬度。 粗糙表面的原子序数衬度往往被形貌 衬度所掩盖，为此，对于显示原子序数衬度的样品，应进行磨平和抛光，但不能浸蚀。面分析：电子束在样品表面作光栅扫描， 将谱仪（波、能）固定在所要测量的某一元素特征 X 射线信号 （波长或能量） 的位置，此时，在荧光屏

29、上得到该元素的面分布图像。改变位置可得到另一元素的浓度分布情况。也是用 X 射线 调制图像的方法。二次电子像和背散射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处 ? 说明二次电子像衬度形成原理。 答：二次电子像 :1）凸出的尖棱，小粒子以及比较陡的斜面处SE产额较多，在荧光屏上这部分的亮度较大。2）平面上的 SE产额较小，亮度较低。5.55.5.S3）在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子，使其不易被控制到，因此相应衬度也较暗。 背表散面射形电貌子衬像度原理及其应用1）二用次B电E子进成行像形原貌分理析时，其分辨率远比SE 像低。2）BE能量高， 以直线轨迹逸出样品表面， 对于背向检测器的样品表

30、面， 因检测器无法收集到 BE而变成一片阴影， 信因号此主，其要图用象于衬分度析很样强品，表衬面度形太貌大。会（失去细5节的1层0 次nm，范不围利）于分析。因此，BE形貌分析效果远不及 SE，故一般像不用原理BE信号。示， 大。因为电子束穿入样品激发二次电子的有效深度增加了， 使表面 5-10 nm 作用体积内逸出表面的二次电子数量增多。四、1、给出 XRD 分析后的 d 和 I/I 1以及三张 PDF，要求写出各个衍射峰属于何种物质， 并简明写出鉴定过 程( 15) 鉴定过程：1) 从衍射图中选取强度最大的三根衍射线， 并使其的 d 值按强度递减的顺序排列， 即 d1,d2,d3，又将其余 线条之值按强度递减顺序列于三强线之后。2) 在 Hanawalt 索引中找到 d1 所在