二极管特性主要参数

1、会计学1二极管特性主要参数二极管特性主要参数第1章 半导体二极管重点难点思考练习重点难点：1.二极管的伏安特性2. 二极管的主要参数1.2 二极管的特性及主要参数课程引入教学目标教学内容第1页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参数一、二极管的一、二极管的结构结构1 1、结构结构由一个PN结构成课程引入教学目标教学内容（ a a ） 点 接） 点 接触型触型（b b）面接）面接触型触型第2页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参数一、二极管的一、二极管的结构结构2 2、符、符号号NP阳极 a阴极 k课程引入教学目标教学内容

2、第3页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参数一、二极管的一、二极管的结构结构3 3、分类分类材料：硅二极管和锗二极管材料：硅二极管和锗二极管用途：整流、稳压、开关、普通用途：整流、稳压、开关、普通二极管二极管结构、工艺：点接触、面接触结构、工艺：点接触、面接触课程引入教学目标教学内容第4页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参数一、二极管的一、二极管的结构结构4 4 、 型、 型号号2 A P 92 A P 9用数字代表同类器件的不同规格用数字代表同类器件的不同规格代表器件的代表器件的材料材料2代表二极管，代表二极管，3

3、代表三代表三极管。极管。代表器件的代表器件的类型类型课程引入教学目标教学内容第5页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参数二、二极管的伏二、二极管的伏安特性安特性iu0 硅：硅：0.5 V0.5 V 锗：锗： 0.1 0.1 V V导通压降导通压降反向饱和电流反向饱和电流死死区区电电压压击穿电压击穿电压U UBRBR锗锗伏安特性曲线伏安特性曲线课程引入教学目标教学内容第6页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参数二、二极管的伏二、二极管的伏安特性安特性1 1、正向特性、正向特性死区电压：死区电压： 硅：硅：0.5V 锗：锗

4、：0.1V2 2、反向特性、反向特性正常工作时的管压降正常工作时的管压降 硅：硅：0.7V 锗：锗：0.3V 反向电流由少子形成，因此反向电流一反向电流由少子形成，因此反向电流一般般很小很小。小功率硅管：小于小功率硅管：小于1微安；小功率锗管：微安；小功率锗管：几十微安几十微安课程引入教学目标教学内容第7页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参数二、二极管的伏二、二极管的伏安特性安特性结论： 二极管是非线性元件 二极管具有单向导电性3 3、反向击穿特、反向击穿特性性 反向击穿：外加电压达到一定数值反向击穿：外加电压达到一定数值时，在时，在PN结中形成强大的电

5、场，强制产结中形成强大的电场，强制产生大量的电子和空穴，使反向电流剧增生大量的电子和空穴，使反向电流剧增；课程引入教学目标教学内容第8页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参数三、二极管的主三、二极管的主要参数要参数 1 1、 最大整流电流最大整流电流I IFMFM二极管长期运行允二极管长期运行允许通过的最大正向平均电流许通过的最大正向平均电流2 2、 反向击穿电压反向击穿电压U UBMBM 允许加在二极管上的反向允许加在二极管上的反向电压最大值电压最大值课程引入教学目标教学内容第9页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参

6、数三、二极管的主三、二极管的主要参数要参数3、 反向电流反向电流I IR R在室温下，在规定的反向在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。反电压下的反向电流值。反向电流越小，管子单向导向电流越小，管子单向导电性能越好。电性能越好。4 4、最高工作频率、最高工作频率f fM M主要取决于主要取决于PN结结电容的大小结结电容的大小课程引入教学目标教学内容第10页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习思考练习：1.二极管的正向特性有何特点？2.温度对二极管的特性有哪些影响？3.使用二极管应注意哪些问题？1.2 二极管的特性及主要参数课程引入教学目标教学内容第11页/共15页第1章 半导体二

7、极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参数二、二极管的伏二、二极管的伏安特性安特性1 1、正向特性、正向特性死区电压：死区电压： 硅：硅：0.5V 锗：锗：0.1V2 2、反向特性、反向特性正常工作时的管压降正常工作时的管压降 硅：硅：0.7V 锗：锗：0.3V 反向电流由少子形成，因此反向电流一反向电流由少子形成，因此反向电流一般般很小很小。小功率硅管：小于小功率硅管：小于1微安；小功率锗管：微安；小功率锗管：几十微安几十微安课程引入教学目标教学内容第12页/共15页第1章 半导体二极管重点难点思考练习1.2 二极管的特性及主要参数二、二极管的伏二、二极管的伏安特性安特性结论： 二极管是非线性元件 二极管具有单向导电性3 3、反向击穿特、反向击穿特性性 反向击穿：外加电压达到一定数值反向击穿：外加电压达到一定数值时，在时，在PN结中形成强大的电场，强制产结中形成强大的电场，强制产生大量的电子和空穴，使反向电流剧增生大量的电子和空穴，使反向电流剧增；课程引入教学目标教