电力电子技术课程设计范例

1、电力电子技术课程设计题目：直流降压斩波电路的设计专业：电气自动化班级：14 电气姓名：周方舟学号：指导教师：喻丽丽目录442.142. 2523 · ····· 62. 4102.515173.1 Matlab173. 21 83.324 · ··· 24252526一设计要求与方案供电方案有两种选择。一，线性直流电源。线性电源（Linear powersupply ）是先将交流电经过变压器降低电压幅值，再经过整流电路整流后，得到脉冲直流电，后经滤波得到带有微小波纹电压的直流电压。要达到高精度的

2、直流电压，必须经过稳压电源进行稳压。线性电源体积重量大，很难实现小型化、损耗大、效率低、输出与输入之间有公共端，不易实现隔离，只能降压，不能升压。二，升压斩波电路。由脉宽调制芯片TL494 为控制器构成BOOST原理的，实现升压型DC-DC变换器，输出电压的可调整与稳压控制的开关源是借助晶体管的开/ 关实现的。因此选择方案二。设计要求 ：设计要求是输出电压 Uo=220V可调的 DC/DC 变换器，这里为升压斩波电路。由于这些电路中都需要直流电源，所以这部分由以前所学模拟电路知识可以由整流器解决。 MOSFET 的通断用 PWM 控制，用 PWM 方式来控制 MOSFET 的通断需要使用脉宽调

3、制器 TL494 来产生 PWM 控制信号。设计方案：1、电源电路电源电路采用电容滤波的二极管不控整流电路， 220V单相交流电经 220V/24V 变压器，降为 24V交流电，再经二极管不控整流电路及滤波电容滤波后，变为平直的直流电，其幅值在 22V36V之间。2、主电路2.1 主电路选用升压斩波电路，开关管选用电力MOSFET。2.2Boost 电路的负载为110V、25W白炽灯，2.3boost 电路中，占空比不要超过65%，否则电压大于100V。3、控制电路的选择与确定3.1 脉冲发生器 TL4943.2 驱动电路 IR2110二设计原理分析2 1 总体结构分析电力电子器件在实际应用中

4、，一般是由控制电路，驱动电路，保护电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。由信息电子电路组成的控制电路按照系统的工作要求形成控制信号，通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或者关断。来完成整个系统的功能。因此，一个完整的降压斩波电路也应包括主电路，控制电路，驱动电路和保护电路这些环节。直流斩波电路由电源、变压器、整流电路、滤波电路、主电路、控制和驱动电路及保护电路组成。如图 21 所示：电源变压器整流电路滤波电路控制和驱动电路升压斩波电路保护电路图 (2-1)2.2 直流电源设计小功率直流电源由电源变压器、整流电路、滤波电路三个部分组成，其原理框图如图 2.1 所示：图 2.1在

5、直流电源中一般用四个二极管组成桥式整流电路，整流电路的作用是将交流电压 U 2 变换成脉动的直流电压U 3 。滤波电路一般由电容组成， 其作用是把脉动直流电压 U 3 中的大部分纹波加以滤除，以得到较平滑的直流电压UI 。UI 与交流电压 U2的有效值的关系为： U I(1.1 1.2)U 2 ；在整流电路中，每只二极管所承受的最大反向电压为： U RM2U 2；流过每只二极管的平均电流为：I DI R0.45U 22R整流电路设计如下：T220V U2U 45VCRLo图（ 2-3 ）2.3 主电路工作原理假设 L 和 C 值很大。 V 处于通态时，电源 E 向电感 L 充电，电流恒定 I1

6、 ，电容 C 向负载 R 供电，输出电压 Uo 恒定。V 处于断态时，电源 E 和电感 L 同时向电容 C充电，并向负载提供能量。图（ 2-4 ）首先假设电路中电感和电容值都足够大。当可控开关 S 处于导通状态时，电源 E 向电感 L 充电，充电电流基本恒定为 I 1, 同时电容 C上的电压向负载 R供电。因为电容 C的值很大，基本保持输出电压 U0为恒值。设 S处于导通的时间为 ton ，此阶段电感 L 上积蓄的能量为： E I 1 t on当 S 处于断态时， E 和 L 共同向电容 C充电并向负载 R提供能量。设 T 处于断态的时间为 t off ，则在此期间电感释放的能量为：( U0V

7、 )Itoffs 1稳态时，一个周期T 中 L 积蓄能量与释放能量相等EI1tonUoE I1toff化简得：tont offTEU ot offEtoff以上为升压斩波电路的工作原理。电感的选择根据电感最大贮能值0. 5 ×L ×I×I确定电感峰值电流I max = I o+ 2 ×VoToff / L （ Toff 为关断时间） , 匝数 N应进行取整，当匝数少电流大时，应尽量避免取半匝的情况。经计算后选取电感量为10 mH,电容为4 700 F。uouoEEOtOtii1i2iI 20ii2I10I101OOIt120t xtontoffttont

8、Tt2Ttoff图 2-5 电流连续图 2-6 电流断续当 MOSFET处于导通时，得di1Ri 1E MLdt设 i1 的初值为 I10 ，解上式得tE Mti 1I 10e1eR当 MOSFET处于关断时，设电动机电枢电流为 i 2，得Ldi 2Ri2E MEdt设 i2 的初值为 I 20，解上式得tt onEE Mtt oni 2I 20 e1eR当电流连续时，从图2-6 的电流波形可看出，t = t on 时刻i1 = I 20 ， t =T 时刻 i 2= I 10 ，由此可得t onE Mt onI 20I10e1 eRt o ffEE Mt offI 10I20eR1 e故由上

9、两式求得：t offI10EM1eRTe1tonTE1eERmeR1I 20EMeeEeeERTRmeR1e1把上面两式用泰勒级数线性近似，得I 10I 20( m)ER该式表示了 L 为无穷大时电枢电流的平均值I o ，即I o( mEE ME)RR当电流断续时的波形如图2-6 所示。当 t =0 时刻 i 1 = I10=0，令式 （1-10 ）中 I10 =0 即可求出 I 20 ，进而可写出 i 2 的表达式。另外，当t = t 2 时， i 2 =0，可求得 i 2持续的时间 t x ，即t ont x1mel nm1当 t xt off时，电路为电流断续工作状态， t xt off

10、 是电流断续的条件，即m1e1e根据上式可对电路的工作状态做出判断。该式也是最优参数选择的依据。2.4 触发电路的设计TL494CN是一种固定频率脉宽调制电路，它包含了开关电源控制所需的全部功能，广泛应用于单端正激双管式、半桥式、全桥式开关电源。 TL494 有 SO-16 和 PDIP-16 两种封装形式，以适应不同场合的要求。其主要特性如下：1. 集成了全部的脉宽调制电路。2. 片内置线性锯齿波振荡器，外置振荡元件仅两个（一个电阻和一个电容）。3. 内置误差放大器。4. 内止 5V 参考基准电压源。5. 可调整死区时间。6. 内置功率晶体管可提供 500mA的驱动能力。7. 推或拉两种输出

11、方式。1TL494 引脚图图（ 2-7 ）TL494工作原理简述TL494的内部电路由基准电压产生电路、 振荡电路、间歇期调整电路、两个误差放大器、脉宽调制比较器以及输出电路等组成。其中1、2脚是误差放大器 I 的同相和反相输入端； 3脚是相位校正和增益控制； 4脚为死区时间比较器， 具有 120mV的输入补偿电压， 它限制了最小输出死区时间约等于锯齿波周期的 4%，当输出端接地， 最大输出占空比为 96%，而输出端接参考电平时， 占空比为 48%。当把死区时间控制输入端接上固定的电压（范围在 03.3V之间）即能在输出脉冲上产生附加的死区时间。5、6脚分别用于外接振荡电阻和振荡电容，5脚可以

12、产生锯齿波， 所产生的锯齿波稳定，线性度好；7脚为接地端； 8、9脚和 11、10脚分别为 TL494内部两个末级输出三极管集电极和发射极；12脚为电源供电端； 13脚为输出控制端，控制 TL494的输出方式， 该脚接地时，两路输出晶体管同时导通或截止，形成单端工作状态，可以用于提高输出电流；接14脚时为推挽输出方式，为 5V基准电压输出端，最大输出电流10mA；15、 16脚是误差放大器 II 的反相和同相输入端。TL494内置了线性锯齿波振荡器, 振荡频率可通过外部的一个电阻和一个电容进行调节 ,其振荡频率为 :输出脉冲的宽度是通过电容 CT 上的正极性锯齿波电压与另外两个控制信号进行比较

13、来实现。 功率输出管 Q1 和 Q2 受控于或非门 , 当 13 脚控制信号为高电平时 , 调制脉冲交替输出至两个输出晶体管 Q1 和 Q2, 输出频率等于脉冲振荡器的一半。当 13 脚控制信号为低电平时 , 芯片工作于单端状态 , 功率输出管 Q1和 Q2 均由或非门的前一级与门控制 , 为得到更高的驱动电流输出 , 可将 Q1 和 Q2 并联使用。 当双稳触发器的时钟信号为低电平时才会被选通，即只有在锯齿波电压大于控制信号期间才会被选通。当控制信号增大，输出脉冲的宽度将减小。控制信号由集成电路外部输入，一路送至死区时间比较器，一路送往误差放大器的输入端。TL494 内部电路方框图图（ 2-

14、8 ）基于 TL494 的脉冲发生器TL494电路设计图（ 2-9 ）电力场效应晶体管MOSFET随着信息电子技术与电力电子技术在发展的基础上相结合，形成了高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，其典型代表就是电力场效应晶体管MOSFET1. 电力场效应晶体管特点电力场效应晶体管简称电力Power Mosfet 。 特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性好。但是电流容量小，耐压低，一般适用于功率不超过 10kW的电源电子装置。2.MOSFET的结构和工作原理电力 MOSFET的种类按导电沟道可分为P 沟道和 N沟道，图 1-

15、6 所示为 N沟道结构。电力 MOSFET的工作原理是： 在截止状态，漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P 基区与 N漂移区之间形成的PN结反偏，漏源极之间无电流流过。在导电状态，即当UGS 大于开启电压或阈值电压UT 时，栅极下 P 区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P 型半导体反型成 N型而成为反型层， 该反型层形成 N沟道而使 PN结消失，漏极和源极导电。图（ 2-9 ） 内部结构断面示意图图（ 2-10 ）电气图形符号MOSFET开关时间在 10100ns 之间，工作频率可达100kHz 以上，是电力电子器件中最高的。 由于是场控器件， 静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入

16、电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。总电路设计图图（ 2-11 ）2.5 过压过流保护原理与设计（1）过电压保护过压保护要根据电路中过压产生的不同部位，加入不同的保护电路，当达到定电压值时，自动开通保护电路，使过压通过保护电路形成通路，消耗过压储存的电磁能量，从而使过压的能量不会加到主开关器件上，保护了电力电子器件。为了达到保护效果，可以使用阻容保护电路来实现。将电容并联在回路中，当电路中出现电压尖峰电压时，电容两端电压不能突变的特性，可以有效地抑制电路中的过压。与电容串联的电阻能消耗掉部分过压能量，同时抑制电路中的电感与电容产生振荡，过电压保护电路如图2-12

17、 所示。图 2-12 RC 阻容过电压保护电路图（ 2）过电流保护当电力电子电路运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。当器件击穿或短路、触发电路或控制电路发生故障、出现过载、直流侧短路、可逆传动系统产生环流或逆变失败，以及交流电源电压过高或过低、缺相等，均可引起过流。由于电力电子器件的电流过载能力相对较差，必须对变换器进行适当的过流保护。采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种的过流保护措施。过电流保护电路如图2-13 所示，其中交流侧接快速熔断器能对晶闸管元件短路及直流侧短路起保护作用。器件直接串接快速熔断器才对元件的保护作用最好，因为它们流过同个电流因而被广泛使用。电子电

18、路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。图 2-13过电流保护电过 压过 流保 护原 理与 设计图 2-14根据主电路所示把输出电压，电流反馈回来经过集成运放LM393比较输出， LM393输出接 494 的 4 脚控制其死区电压（高电平不工作、低电平工作），通过调节R12可调节反馈电压大小，当LM393 的 3 脚反馈电压增大超过2 脚电压时， 1 脚输出高电平。 TL494 停止工作，即可起到过压保护作用。过流保护工作原理同过压保护一样三仿真分析与调试图 3-13.1Matlab仿 真 图 设 计由前

19、面所述原理可知U otontoff ET Et offt off由于上式中的斩波电路。其中，T / toff1，输出电压高于电源电压，故称该电路为升压T / toff1表示升压比，调节其大小，即可改变输出电压U o 的大小，调节方法与改变占空比的方法类似。将升压比的倒数记作，即t off，因此，则 和 关系为1TU o1 E1 E1说明：当所选的 C能达到所需的输出滤波要求时L 可以选的足够大，以便使开关变换器保持在连续的工作状态，但电容器本身没有完美的电器性能所以其内部的等效串联电阻将消耗一些功率。另外，等效串联电阻上的压降会产生输出纹波电压，要减小这些纹波电压只能靠减少等效串联电阻的值和动

20、态电流的值。类似的电容C选择，经常由纹波电流的大小决定。截止频率f 的高低， LC的大小，都将影响输出纹波电压。在实际设计过程中，选择L 和 C时，要综合考虑重量、尺寸以及成本等因素。从改善动态特性看，可考虑小电感量、大电容值。升压斩波电路之所以能使输出电压高于电源电压，关键有两个原因：一是L 储能之后具有使电压泵升的作用，二是电容 C 可将输出电压保持住。 在以上分析中，认为 T 处于通态期间因电容 C 的作用使得输出电压 U0 不变，但实际上 C 值不可能为无穷大， 在此阶段其向负载放电， 输出电压必然会有所下降，故实际输出电压会略低，不过在电容 C 足够大时，误差很小，基本可以忽略。3.

21、2 仿真结果周期设为 1KHz , 占空比为 50%,电感为 10mH,电容为 2200uF, 负载为100 时进行仿真，仿真结果如下：图 3-0-1 负载电压 98.2V图 3-0-2流经电感L 的电流值为0.982A可以知负载两端的电压与输入电压基本上成2 倍的关系。即Vout11（V）Vin1*50100150%负载不变为 100，频率 1KHz，占空比从 5%到 45%以等百分比递增时，输出电压，与输入电压和电路参数之间的关系。a. 占空比 5%图 3-1-1 负载电压 51.8V图 3-1-2 流经电感 L 的电流值为 0.518A负载电压可以看出负载电压约为51.8V，基本上符合理

22、论计算：Vout1 Vin11*50 52.615%b. 占空比 15%图 2-2-1 负载电压 57.4V图 3-2-2 流经电感 L 的电流值为 0.57A负载电压约为51.8V，基本上符合理论计算：Vout1 Vin11*50 58.8115%c. 占空比 25%图 3-3-1负载电压65.5V图 3-3-2 流经电感 L 的电流值为 0.65A负载电压约为 65.5V，基本上符合理论计算：Vout1 Vin11*50 66.6125%d. 占空比 35%图 3-4-1负载电压 75.6V图 3-4-2流经电感 L 的电流值为 0.75A负载电压约为75.6V，基本上符合理论计算Vout

23、1 Vin11*50 76.9135%e. 占空比 45%图 3-5-1 负载电压 89.3V图 3-5-2 流经电感 L 的电流值为 0.89A负载电压约为89.3V，基本上符合理论计算Vout1 Vin11*50 91145%在占空比为50%时，输出电压可以看到负载两端的电压与输入电压基本上成 2 倍的关系。即Vout1Vin111*5010050%由以上仿真图形分析可得：1) 占空比越大负载输出电压越大，调节时间越长2) 电容 C值越大峰值时间越大，第一个峰值越大3) 电感 L 值越大峰值时间越大，调节时间越大在实际中可根据项目的大小、设计的实际要求及成本的大小选取适当的电感电容值， 以

24、达到设计的要求。（可以在一些经验值附近选取电感电容值，滨进行反复的试验最中确定自己需要的电感电容值）这里仅根据要有良好的直流稳定性和快速性，在 =50 时经过大量的仿真实验选取的一组理想的电容电感值，及其此时的输出波形。经大量仿真结果比较分析可得，当 L =10e-3H 、C=10e-3F是波形的快速性和直流稳定性比较理想。3.3 仿真实验结论通过仿真实验和对仿真实验得到的输出波形的分析可知，在直流升压斩波电路中电感电容的对其负载电压的影响。虽然理想的电感电容值为无穷大，但这在现实设计中是不可能实现的。如选取电感电容值极大这必将和减小成本成为矛盾， 而且由以上的仿真分析可知它也将和 Boost

25、 启动时调节时间成为矛盾。所以在设计时要综合考虑多方面的因素来选取合适的电感电容值！元器件列表器件名称规格型号数量（单位）变压器300KV/A1 个整流二极管IN40046 个大电感700mH2 个MOSFET200V/1A1 个电阻500，5.1K各 1 个电阻10K ，10各 2 个芯片TL4941 块二极管IN41483 个电容0.01 F，100F各 2 个设计心得此次课程设计，从理论到实践，在短短一星期的时间里，我遇到了很多问题，也学到了很多东西。它不仅巩固了我以前所学的理论知识，更使我们知道了由理论结合实践的基本方法，锻炼了自己解决实际问题的能力。在此次课程设计过程中，碰到的问题比

26、较多，靠自己所学的知识根本解决不了，借鉴了很多网上资料，解决了这些问题，也学到了很多课本上没有的东西。在做设计的过程中我学到了很多东西，也知道了自己的哪些不足之处，知道自己对以前所学过的知识理解得不够深刻，掌握得不够牢固，以后仍需努力。通过这次课程设计，看到了自己的不足之处，同时也锻炼了自己将理论知识运用到实际中的能力，加强了自己的实际运用能力，也学会了怎么样去分析问题和解决问题。三、参考资料何希才、毛德柱编著 . 新型半导体器件及其应用实例. 北京 :电子工业出版社王兆安 , 黄俊 . 电力电子技术 ( 第四版 ).机械工业出版社 ,2000康华光 , 陈大钦 . 电子技术基础 ( 第四版

27、).高等教育出版社 ,1998李国勇 , 谢克明 , 杨丽娟 . 计算机仿真技术与CAD-基于 MATLAB的控制系统 ( 第二版 ). 北京 : 电子工业出版社 ,2008施晓红 , 周佳 . 精通 GUI图形界面编程 . 北京 : 北京大学出版社 ,1999张义和 .Protel DXP电路设计快速入门 . 北京 : 中国铁道出版社 ,200 6 何希才、毛德柱编著 . 新型半导体器件及其应用实例 . 北京 :电子工业出版社 致 谢由于本人的经验不足，在此次课程设计过程中出现了很多问题，是在同学的帮助下完成的，在此，感谢老师和各位帮助我的同学。目录1. 21.422

28、.3.1 SG3525A33.2 SG352534.34.1EXB84134.2EXB8413 .3 4 5摘要：关键词：一 .直流降压斩波电路的设计总思路1.1 电路的总设计思路直流降压斩波电路可分为三个部分电路块。 分别为主电路模块， 控制电路模块和驱动电路模块。主电路模块， 注要由全控器件 IGBT 的开通与关断的时间占空比来决定输出电压 u。的大小。控制电路模块，可用SG3525 来控制 IGBT 的开通与关断。驱动电路模块，用来驱动IGBT 。1.2 电路设计总框图1.3 降压斩波主电路的原理图1.4 电路总框图二 直流降压斩波电路主电路模块21 主电路模块原

29、理直流降压斩波主电路可使用一个全控器件 IGBT 控制导通。用控制电路和驱动电路来控制 IGBT 的开断，当 t=0 时，驱动 IGBT 导通，电源 E 向负载供电，负载电压u。=E，负载电流 i。按指数曲线上升。当 t=t1 时刻，控制 IGBT 关断，负载电流经二极管VD 续流，负载电压 u。近似为零，负载电流指数曲线下降。为了使负载电流连续且脉动小，故串联 L 值较大的电感。至一个周期 T 结束，再驱动 IGBT 导通，重复上一周期的过程。当电力工作于稳态时负载电流在一个周期的初值和终值相等，负载电压的平均值为Ton 为 IGBT 处于通态的时间； Toff 为处于断态的时间； T 为开

30、关周期；为导通占空比。通过调节占空比使输出到负载的电压平均值U。最大为 E，若减小占空比， 则 U。随之减小。2.2 主电路图三 控制电路模块直流斩波电路的控制电路用SG3525 来实现3.1SG3525A 脉宽调制器控制电路SG3525简介SG3525A 系列脉宽调制器控制电路可以改进为各种类型的开关电源的控制性能和使用较少的外部零件。在芯片上的 5.1V 基准电压调定在± 1，误差放大器有一个输入共模电压范围。它包括基准电压，这样就不需要外接的分压电阻器了。一个到振荡器的同步输入可以使多个单元成为从电路或一个单元和外部系统时钟同步。在 CT 和放电脚之间用单个电阻器连接即可对死区

31、时间进行大范围的编程。在这些器件内部还有软起动电路，它只需要一个外部的定时电容器。一只断路脚同时控制软起动电路和输出级。只要用脉冲关断，通过PWM（脉宽调制）锁存器瞬时切断和具有较长关断命令的软起动再循环。当 VCC 低于标称值时欠电压锁定禁止输出和改变软起动电容器。输出级是推挽式的可以提供超过200mA 的源和漏电流。SG3525A 系列的 NOR（或非）逻辑在断开状态时输出为低。·工作范围为 8.0V 到 35V· 5.1V±1.0调定的基准电压· 100Hz 到 400KHz 振荡器频率·分立的振荡器同步脚SG3525 内部结构和工作特性

32、（ 1）基准电压调整器基准电压调整器是输出为5.1V，50mA，有短路电流保护的电压调整器。它供电给所有内部电路，同时又可作为外部基准参考电压。若输入电压低于6V 时，可把15、16 脚短接，这时 5V 电压调整器不起作用。（ 2）振荡器3525A 的振荡器，除 CT、RT 端外，增加了放电 7、同步端 3。RT 阻值决定了内部恒流值对 CT 充电， CT 的放电则由 5、7 端之间外接的电阻值 RD 决定。把充电和放电回路分开，有利于通过 RD 来调节死区的时间，因此是重大改进。这时 3525A 的振荡频率可表为：1f S3RD)CT (0.7R T（3.1）在 3525A 中增加了同步端

33、3 专为外同步用，为多个 3525A 的联用提供了方便。同步脉冲的频率应比振荡频率 fS 要低一些。(3)误差放大器误差放大器是差动输入的放大器。它的增益标称值为 80dB，其大小由反馈或输出负载决定，输出负载可以是纯电阻，也可以是电阻性元件和电容的元件组合。该放大器共模输入电压范围在 1.83.4V，需要将基准电压分压送至误差放大器 1 脚（正电压输出）或 2 脚（负电阻输出）。3524 的误差放大器、电流控制器和关闭控制三个信号共用一个反相输入端，3525A 改为增加一个反相输入端， 误差放大器与关闭电路各自送至比较器的反相端。这样避免了彼此相互影响。有利于误差放大器和补偿网络工作精度的提

34、高。(4)闭锁控制端 10利用外部电路控制 10 脚电位，当 10 脚有高电平时，可关闭误差放大器的输出，因此，可作为软起动和过电压保护等。(5)有软起动电路比较器的反相端即软起动控制端8，端 8 可外接软起动电容。该电容由内部 Vreft2.5VC8的 50A 恒流源充电。达到 2.5V 所经的时间为50 A。点空比由小到大（50）变化。(6)增加 PWM 锁存器使关闭作用更可靠比较器（脉冲宽度调制）输出送到 PWM 锁存器。锁存器由关闭电路置位，由振荡器输出时间脉冲复位。这样，当关闭电路动作，即使过流信号立即消失，锁存器也可维持一个周期的关闭控制，直到下一周期时钟信号使倘存器复位为止。另外

35、，由于 PWM 锁存器对比较器来的置位信号锁存，将误差放大器上的噪音、振铃及系统所有的跳动和振荡信号消除了。只有在下一个时钟周期才能重新置位，有利于可靠性提高。(7)增设欠压锁定电路电路主要作用是当 IC 块输入电压小于 8V 时，集成块内部电路锁定，停止工作（其准源及必要电路除外） ，使之消耗电流降到很小（约 2mA）。(8)输出级由两个中功率 NPN 管构成，每管有抗饱和电路和过流保护电路，每组可输出 100mA 。组间是相互隔离的。电路结构改为确保其输出电平或者是高电平或者是低电平的一个电平状态中。为了能适应驱动快速的场效应功率管的需要，末级采用推拉式电路，使关断速度更快。11 端（或 14 端）的拉电流和灌电流，达 100mA。在状态转换中，由于存在开闭滞后，使流出和吸收间出现重迭导通。在重迭处有一个电流尖脉冲，其持续时间约100ns。使用时 VC 接一个 0.1f 电容可以滤去尖峰。另一个不足处是吸电流时，如负载电流达到 50mA 以上时，管饱和压降较高（约 1V ）。3.2SG3525 构成的控制电路图四驱动电路模块4.1 驱动芯片 EXB841 的控制原理图 1 为 EXB841 的驱动原理。其主要有三个工作过程：正常开通过程、正常关断过程和过流保护动作过程。14 和 15 两脚间外加PWM 控制信号，当触发脉冲信号