14 LED芯片的发展趋势ppt课件

1、1.4 LED芯片的发展趋势芯片的发展趋势LED芯片的发展趋势芯片的发展趋势l一、大功率芯片一、大功率芯片l二、高效率芯片二、高效率芯片l三、我国芯片发展情况三、我国芯片发展情况一、一、LED芯片大功率芯片大功率l在在LEDLED按输入功率分类中，瓦级按输入功率分类中，瓦级LEDLED芯片的尺寸芯片的尺寸为为1 11mm1mm，小功率，小功率LEDLED芯片为芯片为8 88mil=2008mil=200200m200m。l是不是会得出这样的结论：是不是会得出这样的结论：LEDLED的芯片尺寸越的芯片尺寸越大，输入的电功率越大，输出光通量越大。大，输入的电功率越大，输出光通量越大。l研究表明：当

2、芯片尺寸大于研究表明：当芯片尺寸大于1.6661.6661.666mm1.666mm时，时，发光不会与芯片面积成正比，而是随着芯片面发光不会与芯片面积成正比，而是随着芯片面积的增加，发光强度减小。积的增加，发光强度减小。一、发展趋势之大功率一、一、LED芯片大功率芯片大功率未来大功率未来大功率LED的获得方法的获得方法不可能由大尺寸面积的单芯片不可能由大尺寸面积的单芯片LED完成完成由多个芯片组合做成高亮度由多个芯片组合做成高亮度LED光源。光源。一、发展趋势之大功率二、高效率二、高效率LED芯片发光效率的理论推算芯片发光效率的理论推算200lm/W二、发展趋势之高效率目前的效率水平目前的效率

3、水平以白光以白光LED为例为例2000年：年：10lm/W市场：市场：70100lm/W二、发展趋势之高效率2019年年Osram新款白光新款白光LED发光效率又创新高发光效率又创新高l在在350mA的工作电流下，峰值亮度达到了的工作电流下，峰值亮度达到了155lm，发，发光效率为光效率为136lm/W。l研究人员使用了一种新型研究人员使用了一种新型1平方毫米平方毫米LED发光元件。发光元件。这种这种LED原型的色温为原型的色温为5000K，色座标为，色座标为0.349，0.393）(x，y)。l欧司朗表示这种欧司朗表示这种LED还可以工作于还可以工作于1.4A电流下，亮度电流下，亮度可达到可

4、达到500lm，潜在应用包括投影仪、汽车车灯以及，潜在应用包括投影仪、汽车车灯以及其他需要高亮度照明场合，届时仅靠单颗其他需要高亮度照明场合，届时仅靠单颗LED就能满就能满足人们的需要。目前，欧司朗准备将这项技术迅速从足人们的需要。目前，欧司朗准备将这项技术迅速从实验室带入市场。实验室带入市场。 二、发展趋势之高效率提高发光效率的方法提高发光效率的方法l内量子效率：电子跃迁产生光子的效率。基本内量子效率：电子跃迁产生光子的效率。基本可以达到可以达到80甚至甚至90以上。以上。l外量子效率：远没有上面的高，也就是光子产外量子效率：远没有上面的高，也就是光子产生了，却无法有效提取，被生了，却无法有

5、效提取，被LED吸收产生为热吸收产生为热能导致结温升高能导致结温升高 。从芯片的外延片的结构中。从芯片的外延片的结构中考虑，如衬底的结构、芯片表面处理、芯片大考虑，如衬底的结构、芯片表面处理、芯片大小、封装方法等方面改善。小、封装方法等方面改善。二、发展趋势之高效率提高外量子效率简介提高外量子效率简介l衬底剥离技术衬底剥离技术 l表面粗化技术表面粗化技术 l制备基于二维光子晶体的微结构制备基于二维光子晶体的微结构 l倒装芯片技术倒装芯片技术 l芯片表面处理技术芯片表面处理技术 l全方位反射膜全方位反射膜 l发展大功率大尺寸芯片发展大功率大尺寸芯片 l提高侧向出光的利用效率提高侧向出光的利用效率 二、发展趋势之高效率三、我国芯片发展情况三、我国芯片发展情况“十一五半导体照明战略目标示意图十一五半导体照明战略目标示意图我国我国LED芯片国产化趋势变化芯片国产化趋势变化 三、我国芯片发展情况三、我国芯片发展情况国内外白光国内外白光LED芯片指标对比芯片指标对比三、我国芯片发展情况三、我国芯片发展情况小结小结LED的发展趋势的发展趋势一是高功率，通过增加单个芯片的尺寸面积达到，一是高功率，通过增加单个芯片的尺寸面积达到，或是组合使用大功率单个或是组合使用大功率单个LED芯片。芯片。二是高效率，在内部量子效率无法提高的情况下，