PTCR陶瓷材料实用教案

1、2. Heywang 表面(biomin)势垒模型（1961年提出）2002Denr )/exp(00kTe /DrNs n 0e表面(biomin)势垒高度 EF 费米(fi m)能级Ns表面态密度 空间电荷层厚度 rES 表面态距导带底距离 第1页/共14页第一页，共15页。由Heywang模型(mxng)求受主状态密度的方法： kTeRR/exp0 2200exp/ 2SrDRe NnkT 1：温度(wnd)T（k）时的阻值R0R：常数(chngsh)e ：势垒高度 sN：表面受主的状态密度 Dn：施主有效状态密度 r：晶界势垒层的介电常数 3. 受主态密度的实验测量及计算方法受主态密度

2、的实验测量及计算方法第2页/共14页第二页，共15页。00/rFls 2r：表观(bio un)介电常数 Fl0s ：容量(rngling) ：试样(sh yn)的厚度 ：电极的面积/2 ,/rrsDdrrNn 3d ：试样的平均粒径由123式得：kTdNeRRrS0204/exp4第3页/共14页第三页，共15页。式取对数(du sh)： 482800log10 /2.303/41/10/2.303rSRTe N dklnR5Rlog为纵坐标， Tr303. 2/108为横坐标作图为直线(zhxin)。直线(zhxin)的斜率=80210/14/kdNeS 6由6可以求出Ns第4页/共14页

3、第四页，共15页。 第5页/共14页第五页，共15页。4. 复阻抗复阻抗 PTCR的等效电路的等效电路第6页/共14页第六页，共15页。等效电路的复阻抗等效电路的复阻抗11ggbggbggbRRZZZZjZjj222211ggbggbRRZ 222211gggbgbggbRRZ 1j 12()f s( )gggCRa( )gbgbgbCRa；为虚数(xsh)单位；为角频率；为晶粒相的时间(shjin)常熟为晶界相的时间常数(sh jin chn sh)第7页/共14页第七页，共15页。,ggbrgbrg,0gbggbgRR CC1gbggbRZRZjZj 221gbggbRZR 221gbgb

4、gbRZ 1g b 2gbgRZRmax2gbRZZ0,ggbZRR,gZR简化简化(jinhu)等效电路的复阻抗等效电路的复阻抗PTCR考虑(kol)形状因子，则时，；第8页/共14页第八页，共15页。第9页/共14页第九页，共15页。第10页/共14页第十页，共15页。第11页/共14页第十一页，共15页。5. PTCR的基本的基本(jbn)特性特性第12页/共14页第十二页，共15页。6. 基本参数基本参数25 CR-室温(sh wn)电阻TC -居里(j l)温度Rmax/Rmin -升阻比 - 电阻率的温度系数(xsh) 7. 应用第13页/共14页第十三页，共15页。感谢您的观看(gunkn)！第14页/共14页第十四页，共15页。NoImage内容(nirng)总结2. Heywang 表面势垒模型（1961年提出）。2. Heywang 表面势垒模型（1961年提出）。EF 费米(fi m)能级。为横坐标作图为直线。6.