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文档简介
1、jiangsu changjiang electronics technology co., ltd sot-23 plastic-encapsulate transistors s9015 transistor (pnp) featureszcomplementary to s9014 marking:m6 maximum ratings (ta=25 unless otherwise noted) symbol parameter value unit vcbocollector-base voltage -50 v vceocollector-emitter voltage -45 v
2、veboemitter-base voltage -5 v iccollector current -continuous -0.1 a pccollector power dissipation 0.2 w tjjunction temperature 150 tstgstorage temperature -55-150 electrical characteristics (ta=25 unless otherwise specified) parameter symbol test conditions min typmaxunitcollector-base breakdown vo
3、ltage v(br)cboic= -100a, ie=0 -50 v collector-emitter breakdown voltage v(br)ceoic = -0.1ma, ib=0 -45 v emitter-base breakdown voltage v(br)eboie=-100a, ic=0 -5 v collector cut-off current icbovcb=-50 v, ie=0 -0.1 a emitter cut-off current ieboveb= -5v, ic=0 -0.1 a dc current gain hfevce=-5v, ic= -1
4、ma 200 1000 collector-emitter saturation voltage vce(sat) ic=-100ma, ib= -10ma -0.3 v base-emitter saturation voltage vbe(sat) ic=-100ma, ib=-10ma -1 v transition frequency ftvce=-5v, ic= -10ma f=30mhz150 mhz classification of hferank l h range 200-450 450-1000 sot-23 1. base 2. emitter 3. collector
5、b,dec ,【南京南山半导体有限公司 长电 贴片 三极管 选型资料】-0.1-1-10110-0.1-1-10-1001010010000255075100125150050100150200250-0-2-4-6-8-0-2-4-6-8-0.1-1-10-100101001000-1-10-100-0.1-1-0.0-0.3-0.6-0.9-1.2-0.1-1-10-100-1-10-100-0.01-0.1-1-20f=1mhzie=0/ic=0ta=25 vcb/ vebcob/ cib cobcibcapacitancec(pf)reverse voltage vr (v)30com
6、mon emittervce=-5vta=25transitionfrequencyft(mhz)collector current ic (ma)pc tacollectorpowerdissipationpc(mw)ambient temperature ta ()-6ua-8ua-10ua-12ua-16ua-20ua-18ua-14uacommon emitterta=25-4uaib=-2uastatic characteristiccollectorcurrentic(ma)collector-emitter voltage vce (v)common emittervce= -5
7、victa=25ta=100dccurrentgainhfecollector current ic (ma)-0.2-0.2icft hfe =10icvbesat ta=100 ta=25base-emittersaturationvoltagevbesat(v)collector current ic (ma)-2common emittervce=-5vs9015typical characterisiticsvbeic ta=100ta=25collectorcurrentic(ma)base-emmiter voltage vbe (v) =10ta=100ta=25icvcesa
8、t collector-emittersaturationvoltagevcesat(v)collector current ic (ma)b,dec ,【南京南山半导体有限公司 长电 贴片 三极管 选型资料】min.max.min.max.a0.9001.1500.0350.045a10.0000.1000.0000.004a20.9001.0500.0350.041b0.3000.5000.0120.020c0.0800.1500.0030.006d2.8003.0000.1100.118e1.2001.4000.0470.055e12.2502.5500.0890.100ee11.8002.0000.0710.079ll10.3000.5000.0120.02008080.550 ref.0.022 ref.symboldimensions in inchesdimensions in millimeters0.950 ty p.0.037 ty p【南京南山半导体有限公司 长电三极管 选型资料】the bottom gasket the top gasket 30001 pcs 300015 pcs label on the reel label on the inner box label on the outer box qa label seal the
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