LTE室分多系统合路干扰分析与整改措施

1、LTE室分多系统合路干扰分析与整改措施中讯邮电咨询设计院有限公司2014年06月1干扰问题现象 32干扰站点比例 33干扰问题原因3.1互调干扰分析33.2互调干扰的影响因素63.3功率容量影响分析74建议整改措施4.1整改目标94.2整改方案94.3其他工作要求9LTE室分多系统合路干扰分析与整改措施目前，广东联通1800MHz FDD-LTE室分建设万案大多为合路至原室分系统， 开通后出现了 WCDM室分底噪异常抬升的干扰问题，严重影响了现网3G用户。为 解决此类问题，广东联通网络建设部特制定LTE室分多系统合路干扰分析与整 改措施用于指导LTE室分工程建设。1干扰问题现象LTE室分合路至

2、原系统激活之后， WCDM室分RTWPT 1-5dB的抬升；LTE模 拟下行加载100%t，部分 WCDM室分RTWF有 15-20dB的明显抬升。干扰现象如 下图所示：/ W"广町EK却鲜任&> 旺鲜I"匚RS5 4 -讦钳 Mill KHK昂吕 Mmti! nsrni： ZBi£ 培富甯世 覺> SCiW 9R怛电上品3-孕 rw-rf 4 w«* * - Tira i即T»1卜科吹厦 / |瞬»"2血!|A *fc4t£RaB辛耳-r萨誉爸冋新»*：=JiEMr£：i

3、fflHIil；£li4(F Mg 十 lESVM 出 1««M 半IX"日 十融ILlTtniw7氏時LTE室分多系统合路干扰示意图1 （ D/W/L合路）2干扰站点比例前期专项研究工作主要在广州开展，广州 FDD规模为560站，其中合路站点共374站，占比66.8%。目前已开通LTE室分168个，其中方案为合路站点111个；存在干扰站点15个，占比13.5%广分LTE占点互调干扰处理进度0512.xlsx3干扰问题原因3.1互调干扰分析无源互调是射频信号路径中两个或多个射频信号因各种无源器件（例如天线、电缆或连接器）的非线性特性引起的混频干扰信号。在

4、大功率、多信道系统中， 铁磁材料、异种金属焊接点、金属氧化物接点和松散的射频连接器都会产生信号的混频，其最终结果就是 PIM（Passive In termodulatio n）干扰信号互调产物的大小取决于器件的互调抑制度。互调抑制度越差，互调产物越大; 互调抑制度越好，互调产物越小。互调产物的大小还和输入信号的功率密切相关。 在相同的互调抑制度情况下，输入功率越大，互调产物越大。一般取三阶互调来衡量互调水平，三阶互调越高，则五阶互调也高。五阶互 调一般比三阶互调低10-15dB。（一） Case 1 （D/W/L合路当前频段划分）：DCS1800:1830-1850/1735-1755 MH

5、z LTE1800: 1850-1870/1755-1775 MHz UMTS2100: 2130-2145/1940-1955 MHz互调产物的频率分析结果：（1）三阶互调产物不会干扰 GL1800和 UMTS210的上行；（2）五阶互调产物会干扰部分 G1800上行频率（1750-1755）、部分U2100 上行频率（1940-1950 ）、整个LTE1800的上行频率；（3）七阶互调产物会干扰 GL1800和UMTS210整个的上行频率。GWQL- LTEDIL.1WD- ig吕UMTSUL-LTE OUCasel当前频段划分互调示意图Case 2 （ D/W/L合路后续规划频段划分）：

6、DCS 1800: 1830-1840/1735-1745 MHz; LTE1800: 1840-1860/1745-1765 MHzUMTS2100: 2130-2145/1940-1955 MHz互调产物频率的分析结果：（1）三阶互调产物不会干扰 GL1800和 UMTS210的上行；（2）五阶互调产物不会干扰 GL1800和 UMTS210的上行；（3）七阶互调产物会干扰部分 G1800上行频率（1740-1745），部分U2100 上行频率（1940-1950），整个LTE1800的上行频率。uMTEUl-空枯叶 IK OILW PL-3叫 I-TIUL-ii iM BlLWTSH.-

7、£ILTEOL"IMP-Ul Dt-UWTS'JM 3117®UU上U I'xl出Case2后续可能频段划分互调示意图（三）Case 3（ G900/W2100/L1800合路）：A： FDD-LTE1850-1870（现有频段）二阶互调落入 900上行B： FDD-LTE1840-1860 （后续规划频段）二阶互调不落入 900上行G900和 L1800二阶互调影响G900上行，GSMW DCSLTE勺四阶互调产物落在 DCS与 LTE的上行频段。（四）Case 4 （与电信CDM多系统合路）：CDMA875880MHZ 二次谐波产物（17501

8、760MHZ 影响 LTE和 DCSL行,无法通过更换器件规避，且部分站点因电信已部署合路LTE,导致我方无法再合路。互调产物计算.xlsx3.2互调干扰的影响因素（一）无源器件的质量：前期集采无源器件互调抑制度仅为120dBc,且已有旧系统经多年运行使用产 生器件老化锈蚀问题，又因安装于基站信源前端的器件输入信号功率大，导致互 调抑制度指标不达标。安装于基站信源前端的器件需更换为互调抑制度不低于 140dBc的高性能器件。（二）施工工艺（含跳线，馈线的接头制作）的质量：室分施工工艺质量存在不足，馈线、跳线接头质量差或接头制作问题，都会 引起互调干扰指标的抬升。万案图例材质要求对指标影响成本可

9、靠 性DIN外导体：黄铜互调、插损指标好，互调能达到-150 到-160dBc高高内导体：锡青铜N外导体：锌合金互调、插损较好，互调能达 到-140dBc,主要用于对功率 容量要求不咼的场景中中内导体：黄 铜a内芯+外导体：锌合金互调难以保证，易造成泄漏低低外导体内导体：黄 铜（三）天馈系统外的互调干扰，由天线附近金属物体（如生锈的铁制品等）的强 非线性特性引起。3.3功率容量影响分析安装于基站信源前端的器件由于承受较高的功率通过，往往由于器件的工艺、结构、耦合节点电阻的耐功率、触点距离、接地隔离电阻等问题影响器件的电气 性能指标和承受功率能力，同时还会因为器件的“趋肤效应”而导致局部微打火，

10、 出现电压飞弧打火现象，产生宽带噪声，对通信系统形成严重的上行干扰。目前联通对于无源器件功率容量的集采标准要求是200*平均），按照WCDMA等制式对功率的要求，可以满足 WCDM系统多载波的平均功率要求。但问题是 WCDM系统峰均比很高，往往超过10,而集采器件没有峰值功率的指标要求，在 多载波和大话务量的冲击下，很容易带来宽带杂散干扰。使用1800 FDD-LTE后，由于1800 FDD-LTE下行频段距离 WCDM上行频段较 近，且LTE峰均比较大，因此产生的飞弧打火很容易干扰 WCDM上行频段。功率容量计算参考：合路方式合路系统载波数组合第一级 峰值（W第二级 峰值（W第三级 峰值（W

11、与电信合路合计（GSM2载波，CDMA80Q 载波，WCDMAS波, LTE 1 载波通独建合计（GSM2载波，20451421984LTE室分无源器件功率容限分析.docx功率容量计算V2.xlSXWCDMA4波，LTE 2 载波）合计（GSM2载波，WCDMA4波，LTE 1 载波计（GSM2载波，WCDMA3波，LTE 1 载波）1159806558合计（GSM2载波，WCDMA2波，LTE 1 载波）694484336分公司在制定更换器件需计算器件所处级数及承受的总功率，评估站点未来 话务增长情况，更换器件功率容量建议如下：运营商载波

12、数站占八、数占比建议联通 独 建WCDM小于 2 载波（含2载波）38469%建议前三级更换平均功率300vy峰值功率1200W高性能器件。WCDM大于 3载波（含3载 波）7313%建议第一级更换平均功率500V，峰值功率1500W高性能器件，第二、三级使用平均功率300V，峰值功率1200W高性能器件。电信合路（CDM）10318%建议第一、二级更换平均功率500W峰值 功率1500W高性能器件，第三级使用平均功率300V，峰值功率1200W高性能器件。合计560100%4建议整改措施4.1整改目标LTE室分开通后，要确保不影响 WCDM系统现网用户感受。暂定整改目标为 合路后WCDM底噪

13、提升dB数的75%（例：原WCDM底噪为-105，合路LTE加载后 WCDM底噪提升10dB,整改目标为 WCDM底噪提升不超过2.5dB，通过整改LTE 加载后WCDM底噪不能高于-102.5）4.2整改方案暂定对合路后存在干扰的站点进行整改。将存在问题的站点前三级器件逐级替换， 替换器件互调抑制度不低于140dBc, 功率容量参考3.3节，直到达成4.1节整改目标为止。对于更换前三级器件仍未达到整改目标的站点，统计数据进一步分析再制定 解决方案。4.3其他工作要求1、整改目标确定目前设计院及其他省份尚无可参考的整改目标经验值，与LTE合路前WCDMA底噪相比，若整改目标值过严，则整改成本高、物业难度大，难以实现；整改目 标过松，则网络质量下降，用户感知降低。考虑以上因素，目前暂定合路后 WCDMA 底噪提升dB数的75%各分公司整改站点务必按下表进行数据统计，待整改数据 统计分析后制定后续整改目标。LTE合路站点整改纪录.xlsx2、2G直放站站点，涉及设备